【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉半導體集成電路的封裝與集成領域，具體涉及基板、重布線層或轉接板的可復用封裝結構。
技術介紹
1、集成電路（integrated?circuit，ic，又稱芯片）是一種將大量微電子組件集成在一塊半導體材料上的技術，在現代電子系統、計算機系統、通信系統中被廣泛應用。典型的ic產品開發流程包括芯片設計、晶圓加工制造以及芯片封裝與測試三個主要階段。其中，芯片封裝是ic產品開發的最后階段，直接影響到產品的最終性能、可靠性、成本和市場競爭力。隨著半導體技術的不斷進步，芯片封裝技術的作用愈發凸顯，已成為推動行業發展的關鍵力量之一。
2、按照封裝技術，芯片封裝可分類為傳統封裝和先進封裝。在傳統封裝中，可分為塑料封裝和陶瓷封裝。塑料封裝是一種經過時間驗證、廣泛應用于各類ic產品制造中的封裝方法，進一步可細分為引線框架封裝（lead?frame?package，lfp）和基板封裝(substratepackage，sp)。
3、lfp使用金屬框架作為基板，通過多個引線將芯片的焊盤與外部電路相連，適用于多種ic，包括邏輯、存儲、微處理器和模擬信號處理器等。sp使用基板作為芯片和外部電路之間的物理和電氣連接中介，與lfp相比，sp可提供更優越的電氣特性和更小的封裝尺寸，適用于高速電氣特性、高密度集成、容納大量i/o引腳和高可靠性的ic產品，sp封裝形式包括球柵陣列（ball?grid?array，bga）、平面網格陣列（land?grid?array，lga）、雙列直插式封裝（dual?in-line?package
4、先進封裝包括晶圓級封裝（wafer?level?package，wlp）、2.5d封裝、3d封裝、系統級封裝（system?in?package，sip）等。其中wlp可分為晶圓級芯片封裝（wafer?level?chipscale?package，wlcsp）、重布線層(re-distribution?layer，rdl)、倒片封裝(flip?chip，fc)、硅通孔（through?silicon?via，tsv）。
5、wlcsp分為兩種類型：扇出型（fan-out?package，fop）和扇入型（fan-in?package，fip），fip因其封裝尺寸與芯片尺寸相同，可實現最小封裝體積，但該方式導致其物理化學防護性能相對較弱和焊點的可靠性相對較差。fop通過“扇出”的方式，將芯片焊盤從芯片的周邊或面陣焊盤通過重布線層和焊球連接到基板或電路板上，保留了fip優勢，克服了其不足。因此fop應用范圍非常廣泛，包括但不限于高性能計算、毫米波雷達、物聯網和移動處理器等。
6、rdl提供了一種改變芯片焊盤位置的方式以適應封裝設計或提高i/o（輸入/輸出）引腳的密度，實現更小的封裝尺寸或更復雜的電氣性能要求，廣泛應用于fc、wlp和fop等封裝技術，對高性能處理器、圖形處理器、網絡通信芯片和存儲器等高速高密度應用至關重要。fc利用凸點將元器件朝下互連到基板或電路板上，廣泛應用于在高性能封裝、sip、射頻和微波等領域。tsv通過在芯片和芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導通，實現芯片之間互連的技術，是2.5d/3d封裝的關鍵工藝之一。
7、2.5d封裝基于晶圓加工工藝，目前分為兩大流派，其一是嵌入到樹脂基板中的硅橋技術，例如英特爾公司的embedded?multi-die?interconnect?bridge（emib）。其二是采用tsv的轉接板技術，例如臺積電公司的chip?on?wafer?on?substrate（cowos）、三星公司的i-cube等。3d封裝用于大規模集成電路芯片和存儲芯片集成，以臺積電公司的system?onintegrated?circuit最為成熟，其技術路徑結合異構鍵合（hybrid?bonding，hb）技術、tsv技術。
8、sip利用現有的封裝技術和組裝方法，將不同功能的芯片（如處理器等）以及可能的無源元件（如電阻、電容等）集成在一個封裝內。這種集成可以是二維的（所有元件都在同一平面上）或三維的（元件堆疊起來），以實現更高的集成度和更小的尺寸。sip因其小型化設計、高集成度、研發周期短、結構相對簡單、高可靠性、設計靈活性、密封性和高可靠性等優勢而廣受歡迎，但同時sip也面臨技術挑戰，如熱管理、信號完整性、電磁干擾，以及制造工藝復雜、測試驗證難度大、功能變更困難和行業標準化不統一等問題。
9、其中，功能變更是在sip研發實際工作中的常見問題，需求方可能會在sip芯片設計、加工完成后提出，原因包括不限于調整功能、供應鏈變化、降低成本、功能失效、尺寸調整或設計兼容性等，而功能變更會涉及電氣特性、功率和熱管理、尺寸和布局調整、信號電源完整性、電磁兼容性、熱應力、可靠性和材料選擇等，進而需要重新設計基板、重布線層或轉接板。
10、功能變更所帶來的顯著的負面影響，包括但不限于：
11、（1）生產成本和工藝：重新設計可能增加成本，可能需要引入新的生產設備或者調整生產流程。
12、（2）兼容性和可擴展性：重新設計需考慮與現有系統的兼容性和未來可擴展性，設計更復雜、更具挑戰。
13、（3）測試和驗證：重新設計需要經過新的測試和驗證流程，以確保滿足新的功能要求。
14、（4）供應鏈和物流：重新設計可能需要更新供應鏈和物流策略，以適應新材料或新工藝的需求。
15、（5）市場響應時間：重新設計將延遲生產時間和計劃，無法快速響應市場需求。
16、因此，針對已完成設計、加工的sip芯片在功能變更時，綜合考慮技術、成本、時間、市場等多方面因素，如何降低因功能變更而導致的負面影響，即如何避免基板、重布線層或轉接板的重新設計，提高基板、重布線層或轉接板的可復用性，從而提升sip芯片的設計靈活性、性能和成本效益，是行業亟待解決的關鍵問題。
技術實現思路
1、本專利技術的實施的目的在于，提供一種基板、重布線層或轉接板可復用封裝結構，本專利技術提供的技術方案如下：一種基板、重布線層或轉接板可復用封裝結構，用于基板、重布線層或轉接板，包括：第一電連接面以及第二電連接面，所述第一電連接面與第二電連接面之間層疊交錯設置有電氣布線層以及基板絕緣介質，兩電氣布線層之間均通過多個電互連孔連通，所述第一電連接面連接有第一功能芯片以及互連假片，所述第一功能芯片通過第一引出線與互連假片電連接，所述互連假片通過第二引出線連接至第二電連接面的焊球。
2、優選的，第一功能芯片通過至少一個第一凸點設置在第一電連接面，所述互連假片通過多個第二凸點設置在第一電連接面上，互連假片內部設置有連接兩第二凸點的引線，所述第一凸點通過第一引出線與其中一第二凸點電連接，另本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種基板、重布線層或轉接板可復用封裝結構，用于基板、重布線層或轉接板，包括：第一電連接面以及第二電連接面，所述第一電連接面與第二電連接面之間層疊交錯設置有電氣布線層以及基板絕緣介質，兩電氣布線層之間通過電互連孔連通，其特征在于，所述第一電連接面連接有第一功能芯片以及互連假片，所述第一功能芯片通過第一引出線與互連假片電連接，所述互連假片通過第二引出線連接至第二電連接面的焊球。
2.根據權利要求1所述的基板、重布線層或轉接板可復用封裝結構，其特征在于，包括；第一功能芯片通過至少一個第一凸點設置在第一電連接面，所述互連假片通過多個第二凸點設置在第一電連接面上，互連假片內部設置有連接兩第二凸點的引線，所述第一凸點通過第一引出線與其中一第二凸點電連接，另一第二凸點通過第二引出線連接至第二電連接面的焊球。
3.根據權利要求1所述的基板、重布線層或轉接板可復用封裝結構，其特征在于，所述互連假片的第二凸點至少為兩個。
4.根據權利要求1所述的基板、重布線層或轉接板可復用封裝結構，其特征在于，所述互連假片的材質為：硅、砷化鎵、陶瓷其中一種或幾種組合。
...【技術特征摘要】
1.一種基板、重布線層或轉接板可復用封裝結構，用于基板、重布線層或轉接板，包括：第一電連接面以及第二電連接面，所述第一電連接面與第二電連接面之間層疊交錯設置有電氣布線層以及基板絕緣介質，兩電氣布線層之間通過電互連孔連通，其特征在于，所述第一電連接面連接有第一功能芯片以及互連假片，所述第一功能芯片通過第一引出線與互連假片電連接，所述互連假片通過第二引出線連接至第二電連接面的焊球。
2.根據權利要求1所述的基板、重布線層或轉接板可復用封裝結構，其特征在于，包括；第一功能芯片通過至少一個第一凸點設置在第一電連接面，所述互連假片通過多個第二凸點設置在第一電連接面上，互連假片內部設置有連接兩第二凸點的引線，所述第一凸點通過第一引出線與其中一第二凸點電連接，另一第二凸點通過第二引出線連接至第二電連接面的焊球。
3.根據權利要求1所述的基板、重布線層或轉接板可復用封裝結構，其特征在于，所述互連假片的第二凸點至少為兩個。
4.根據權利要求1所述的基板、重布線層或轉接板可復用封裝結構，其特征在于，所述互連假片的材質...
【專利技術屬性】
技術研發人員：王雙福，楊佳，魏啟甫，賀文華，
申請(專利權)人：泓林微電子昆山有限公司，
類型：發明
國別省市：
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