【技術實現步驟摘要】
本專利技術實施例涉及半導體，尤其涉及一種半導體結構及其形成方法。
技術介紹
1、隨著集成電路的快速發展，半導體結構的特征尺寸不斷縮小，在進行光刻工藝時，如何控制不同層的圖形之間的套刻誤差，成為光刻工藝中至關重要的步驟。
2、目前，在形成半導體結構的過程中，通常會形成對準標記，通過探測對準標記的位置，以提高不同工藝層之間的套刻精準性。
3、然而，目前形成對準標記的方案仍有待改進。
技術實現思路
1、有鑒于此，本專利技術實施例提供一種半導體結構及其形成方法，能夠提高對準信號的強度。
2、本專利技術實施例提供一種半導體結構的形成方法，包括：提供基底，所述基底包括器件區和標記區，所述基底的標記區內具有凹槽，所述基底上具有覆蓋所述凹槽的標記材料層，以及位于所述標記材料層上的互連層；在所述標記區的互連層內形成開口，所述開口的深度小于或等于所述互連層的厚度，并將所述開口覆蓋的標記材料層作為對準標記。
3、可選地，所述在所述標記區的互連層內形成開口之前，形成方法還包括：
4、根據反射光的光強與光強固有損耗之和，與探測光的光強之間的比值，所述互連層的材料的透光率與所述互連層的厚度之積，以及所述標記材料層的材料的透光率和所述標記材料層的厚度之積，確定所述開口的深度；
5、其中，所述反射光由所述探測光經所述基底、所述標記材料層和所述互連層反射形成。
6、可選地，采用下述公式，確定所述開口的深度：
7、
...【技術保護點】
1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述在所述標記區的互連層內形成開口之前，形成方法還包括：
3.根據權利要求2所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，采用下述公式，確定所述開口的深度：
4.根據權利要求2所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述標記材料層的厚度為0.5μm至2μm；
5.根據權利要求2所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述互連層的厚度為3μm至5μm；
6.根據權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述標記材料層對探測光的透光率大于所述基底對所述探測光的透光率。
7.根據權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述在所述標記區的互連層內形成開口的步驟包括：
8.根據權利要求7所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述圖案化處理的步驟包括：
9.根據權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，沿平行于所述基底表面方向，所述開口的寬度大于所述標記區的寬度。>
10.根據權利要求8所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，沿平行于所述基底表面方向，所述開口的寬度為550μm至650μm。
11.根據權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，沿所述基底表面的法線方向，所述凹槽的深度為100nm至140nm。
12.一種半導體結構，其特征在于，包括：
13.根據權利要求12所述的半導體結構，其特征在于，所述標記材料層的厚度為0.5μm至2μm；
14.根據權利要求12所述的半導體結構，其特征在于，所述互連層的厚度為3μm至5μm；
15.根據權利要求12所述的半導體結構，其特征在于，所述標記材料層對探測光的透光率大于所述基底對所述探測光的透光率。
...【技術特征摘要】
1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述在所述標記區的互連層內形成開口之前，形成方法還包括：
3.根據權利要求2所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，采用下述公式，確定所述開口的深度：
4.根據權利要求2所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述標記材料層的厚度為0.5μm至2μm；
5.根據權利要求2所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述互連層的厚度為3μm至5μm；
6.根據權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述標記材料層對探測光的透光率大于所述基底對所述探測光的透光率。
7.根據權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述在所述標記區的互連層內形成開口的步驟包括：
8.根據權利要求7所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所...
【專利技術屬性】
技術研發人員：王海峰，許陽，肖全煒，肖鵬，
申請(專利權)人：寶鼎乾芯集成電路杭州有限公司，
類型：發明
國別省市：
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