【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本申請涉及熱場，特別是涉及一種用于單晶爐的熱場和單晶爐。
技術(shù)介紹
1、單晶爐的熱場包括加熱器和保溫筒，保溫筒套設(shè)在加熱器外，且對加熱器進行保溫，以減少加熱器的熱量損失，且利于加熱器保持溫度恒定。在現(xiàn)有技術(shù)中，加熱器通常為石墨件，而保溫筒包括石墨件和碳氈。為保障保溫筒對加熱器的保溫效果，保溫筒與加熱器之間的間隙應(yīng)當(dāng)較小。然而當(dāng)保溫筒與加熱器之間的間隙不足時，保溫筒容易因通電而與加熱器打火，存在安全隱患。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、基于此，本申請?zhí)峁┮环N用于單晶爐的熱場和單晶爐，以改善現(xiàn)有技術(shù)中的保溫裝置與加熱器之間的間隙不足容易出現(xiàn)打火現(xiàn)象而存在有安全隱患的問題。
2、第一方面，本申請?zhí)峁┮环N用于單晶爐的熱場，所述熱場包括：
3、加熱器；
4、保溫裝置，其包括保溫環(huán)和固定環(huán)，所述保溫環(huán)采用絕緣耐高溫的材質(zhì)制成，所述保溫環(huán)套設(shè)在所述加熱器外，且所述保溫環(huán)的內(nèi)側(cè)至少部分與所述加熱器的外側(cè)相抵接，所述保溫環(huán)包括若干個保溫單元體，若干個所述保溫單元體沿周向進行拼接，所述固定環(huán)套設(shè)在所述保溫環(huán)的外側(cè)以將若干個所述保溫單元體鎖緊固定。
5、在其中一個實施例中，所述保溫環(huán)的熱膨脹系數(shù)不小于所述加熱器的熱膨脹系數(shù)。
6、在其中一個實施例中，所述保溫環(huán)的材質(zhì)為氧化鋯、碳化鋯、碳化鈦、碳化鈮、碳化鉿或者碳化鉭。
7、在其中一個實施例中，所述固定環(huán)采用碳碳材料制成。
8、在其中一個實施例中，所述保溫單元體沿所述保溫環(huán)周向的兩側(cè)分
9、在其中一個實施例中，所述凸起部和所述凹陷部的橫截面均設(shè)置為“v”字形。
10、在其中一個實施例中，所述凸起部和所述凹陷部的橫截面均設(shè)置為波浪形。
11、在其中一個實施例中，所述保溫單元體的橫截面設(shè)置為“v”字形，所述保溫單元體的“v”字形的兩側(cè)與所述加熱器的外側(cè)相抵接。
12、在其中一個實施例中，所述保溫單元體的橫截面設(shè)置為弧形，所述保溫單元體的內(nèi)側(cè)與所述加熱器的外側(cè)相抵接。
13、第二方面，本申請?zhí)峁┮环N單晶爐，所述單晶爐包括本申請?zhí)峁┑娜我庖环N用于單晶爐的熱場。
14、本申請通過固定環(huán)將若干個保溫單元體鎖緊固定在加熱器上，可以將若干個保溫單元體拼接為保溫環(huán)，且可以將保溫環(huán)的內(nèi)側(cè)至少部分與加熱器的外側(cè)相抵接，因此本申請減小甚至消除保溫環(huán)與加熱器之間的間隙，進而以保障保溫環(huán)的保溫效果；與此同時，由于本申請中的保溫環(huán)采用絕緣耐高溫的材質(zhì)制成，因此本申請還可以避免保溫環(huán)與加熱器之間打火，進而以降低安全隱患。
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1.一種用于單晶爐的熱場，其特征在于，所述熱場包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于單晶爐的熱場，其特征在于，所述保溫環(huán)(200)的熱膨脹系數(shù)不小于所述加熱器(100)的熱膨脹系數(shù)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于單晶爐的熱場，其特征在于，所述保溫環(huán)(200)的材質(zhì)為氧化鋯、碳化鋯、碳化鈦、碳化鈮、碳化鉿或者碳化鉭。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于單晶爐的熱場，其特征在于，所述固定環(huán)(300)采用碳碳材料制成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于單晶爐的熱場，其特征在于，所述保溫單元體(210)沿所述保溫環(huán)(200)周向的兩側(cè)分別設(shè)置有凸起部(211)和凹陷部(212)，沿周向相鄰的兩個所述保溫單元體(210)通過一組相互配合的所述凸起部(211)和所述凹陷部(212)進行拼接。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于單晶爐的熱場，其特征在于，所述凸起部(211)和所述凹陷部(212)的橫截面均設(shè)置為“V”字形。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于單晶爐的熱場，其特征在于，所述凸起部(211)和所述凹陷部(212)的橫截面均設(shè)置為波浪形
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于單晶爐的熱場，其特征在于，所述保溫單元體(210)的橫截面設(shè)置為“V”字形，所述保溫單元體(210)的“V”字形的兩側(cè)與所述加熱器(100)的外側(cè)相抵接。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于單晶爐的熱場，其特征在于，所述保溫單元體(210)的橫截面設(shè)置為弧形，所述保溫單元體(210)的內(nèi)側(cè)與所述加熱器(100)的外側(cè)相抵接。
10.一種單晶爐，其特征在于，所述單晶爐包括如權(quán)利要求1-9任一項所述的用于單晶爐的熱場。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種用于單晶爐的熱場，其特征在于，所述熱場包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于單晶爐的熱場，其特征在于，所述保溫環(huán)(200)的熱膨脹系數(shù)不小于所述加熱器(100)的熱膨脹系數(shù)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于單晶爐的熱場，其特征在于，所述保溫環(huán)(200)的材質(zhì)為氧化鋯、碳化鋯、碳化鈦、碳化鈮、碳化鉿或者碳化鉭。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于單晶爐的熱場，其特征在于，所述固定環(huán)(300)采用碳碳材料制成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于單晶爐的熱場，其特征在于，所述保溫單元體(210)沿所述保溫環(huán)(200)周向的兩側(cè)分別設(shè)置有凸起部(211)和凹陷部(212)，沿周向相鄰的兩個所述保溫單元體(210)通過一組相互配合的所述凸起部(211)和所述凹陷部(212)進行拼接。
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【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：李春輝，楊建勇，李卓越，
申請(專利權(quán))人：包頭晶澳太陽能科技有限公司，
類型：新型
國別省市：
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