【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及電子器件，特別涉及一種具有場板的半導(dǎo)體器件的制作方法及半導(dǎo)體器件。
技術(shù)介紹
1、氮化鎵高電子遷移率晶體管（high?electron?mobility?transistors，gan?hemt）作為寬禁帶（wbg）功率半導(dǎo)體器件的代表，其在高頻功率應(yīng)用方面有巨大的潛力。在橫向gan?hemt開關(guān)器件的設(shè)計中，開關(guān)器件的耐壓能力是一個非常重要的性能參數(shù)，在開關(guān)器件關(guān)斷時，橫向gan?hemt開關(guān)器件的主要耐壓結(jié)構(gòu)為柵極（g）與漏極（d）之間的耗盡區(qū)，在相同的耗盡區(qū)尺寸下，電場分布決定了耐壓值的大小，而靠近漏極一側(cè)的柵極角落處存在著電場集中效應(yīng)，導(dǎo)致此處存在一個電場峰值，該電場峰值達到某個臨界值時，就會發(fā)生電場擊穿，進而影響器件可靠性，甚至發(fā)生不可逆的損壞。
2、為了提高半導(dǎo)體器件的耐壓能力，一般都會采用場板結(jié)構(gòu)，場板的主要作用是調(diào)整漂移區(qū)的電場分布，將原本存在于柵極附近的電場尖峰減弱，提高半導(dǎo)體器件的耐壓。場板的引入會減輕原本的電場尖峰，但會在場板的末端存在一個新的電場尖峰，對于高壓半導(dǎo)體器件，單一的場板往往難以實現(xiàn)理想的電場分布，一般的，高壓半導(dǎo)體率器件都有多級場板結(jié)構(gòu)，用于調(diào)制電場分布。使用這種方法，從柵極向漏極方向的每一層場板會進一步調(diào)制前一個場板產(chǎn)生的電場尖峰，通過調(diào)節(jié)每級場板的長度和高度，獲得一個優(yōu)化的電場分布，實現(xiàn)更高的耐壓及可靠性。
3、為了在半導(dǎo)體器件中實現(xiàn)多層場板，現(xiàn)存結(jié)構(gòu)中往往需要多層介質(zhì)和金屬的刻蝕并進行多次光刻步驟，而且隨著場板層數(shù)越多，工藝成本以及時間成本也會顯著增
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本專利技術(shù)實施例提供一種具有場板的半導(dǎo)體器件的制作方法及半導(dǎo)體器件，簡化了在半導(dǎo)體器件中設(shè)置場板的實現(xiàn)成本和時間。
2、本專利技術(shù)實施例一方面提供一種具有場板的半導(dǎo)體器件的制作方法，包括：
3、在襯底的外延層上淀積第一層介質(zhì)和第二層介質(zhì)，對所述第二層介質(zhì)和第一層介質(zhì)進行介質(zhì)刻蝕，形成源漏極介質(zhì)；
4、在所述源漏極介質(zhì)上進行金屬淀積和金屬刻蝕，形成所述半導(dǎo)體器件的源極、漏極及第一層場板，在所述源極與第一層場板之間保留柵極位置；
5、淀積第三層介質(zhì)，并在所述柵極位置對所述第三層介質(zhì)和第二層介質(zhì)進行介質(zhì)刻蝕，形成柵極介質(zhì)；
6、在所述柵極介質(zhì)上進行金屬淀積和金屬刻蝕，形成所述半導(dǎo)體器件的柵極。
7、本專利技術(shù)實施例另一方面提供一種具有場板的半導(dǎo)體器件的制作方法，包括：
8、在襯底的外延層上淀積第一層介質(zhì)和第二層介質(zhì)，對所述第二層介質(zhì)和第一層介質(zhì)進行介質(zhì)刻蝕，形成源漏極介質(zhì)；
9、在所述源漏極介質(zhì)上進行金屬淀積和金屬刻蝕，形成所述半導(dǎo)體器件的源極、漏極及第一層場板，在所述源極與第一層場板之間保留柵極位置；
10、淀積第三層介質(zhì)，在所述第三層介質(zhì)上進行金屬淀積和金屬刻蝕，形成第二層場板，所述第二層場板在所述第一層場板之上，且所述第二層場板與第一層場板在所述襯底方向的投影具有交疊區(qū)域；
11、淀積第四層介質(zhì)，并在所述柵極位置對所述第四層介質(zhì)、第三層介質(zhì)和第二層介質(zhì)進行介質(zhì)刻蝕，形成柵極介質(zhì)；
12、在所述柵極介質(zhì)上進行金屬淀積和金屬刻蝕，形成所述半導(dǎo)體器件的柵極。
13、本專利技術(shù)實施例又一方面還提供一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件是按照本專利技術(shù)實施例一方面或另一方面所述的具有場板的半導(dǎo)體器件的制作方法所制作得到的半導(dǎo)體器件。
14、可見，在本實施例的具有場板的制作半導(dǎo)體器件的過程中，將半導(dǎo)體器件中的第一層場板與源極、漏極的形成集中到同一步驟中，使得形成的源極、漏極和第一層場板在同一層上，這樣可以簡化半導(dǎo)體器件的制作步驟，從而簡化了在半導(dǎo)體器件中設(shè)置場板的實現(xiàn)成本和時間。
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1.一種具有場板的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，包括：
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述柵極介質(zhì)上進行金屬淀積和金屬刻蝕之后，還包括：
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述柵極介質(zhì)上進行金屬淀積和金屬刻蝕之后，還包括：
4.如權(quán)利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
6.一種具有場板的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，包括：
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述在所述柵極介質(zhì)上進行金屬淀積和金屬刻蝕之后，還包括：
8.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述在所述柵極介質(zhì)上進行金屬淀積和金屬刻蝕之后，還包括：
9.如權(quán)利要求7或8所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
10.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件是按照所述權(quán)利要求1至9任一項所述具有場板的半導(dǎo)體器件的制作方法所制作得到的半導(dǎo)體器件。
【技術(shù)特征摘要】
1.一種具有場板的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，包括：
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述柵極介質(zhì)上進行金屬淀積和金屬刻蝕之后，還包括：
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述柵極介質(zhì)上進行金屬淀積和金屬刻蝕之后，還包括：
4.如權(quán)利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
6.一種具有場板的半導(dǎo)體器件的制作...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：高吳昊，曾凡明，吳毅鋒，郭超凡，
申請(專利權(quán))人：珠海鎵未來科技有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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