【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及一種半導(dǎo)體制作工藝，更特定言之，其涉及一種通過(guò)熱板烘烤制作工藝改善光致抗蝕劑殘留的半導(dǎo)體制作工藝。
技術(shù)介紹
1、過(guò)去幾十年間，半導(dǎo)體集成電路(ic)產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了快速的成長(zhǎng)與發(fā)展，其在材料、電路設(shè)計(jì)、及制作工藝上的進(jìn)步與演變讓廠商得以制作出比前代更小、更為精密復(fù)雜的集成電路。在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)展的過(guò)程中，制作工藝方法、設(shè)備、及材料都持續(xù)不斷的進(jìn)步，以達(dá)成更小的元件特征尺寸的需求。
2、光刻制作工藝(也稱為光刻制作工藝)是將半導(dǎo)體圖案顯影到基板上的一門(mén)技術(shù)，即將一感光層形成在一基板上，再通過(guò)光輻射穿過(guò)事先圖案化的掩模以在感光層上產(chǎn)生圖案。雖然光刻設(shè)備及相關(guān)技術(shù)在縮減元件的線寬方面已有顯著的進(jìn)步，但仍需要進(jìn)一步的發(fā)展與改進(jìn)。例如光致抗蝕劑圖案化后的實(shí)際特征與輪廓的真實(shí)度不足，無(wú)法精準(zhǔn)地復(fù)制所需圖案到半導(dǎo)體基板上。又例如在圖案化步驟及顯影步驟完成后，不需要的光致抗蝕劑部位仍可能會(huì)殘留在基板上，影響圖案的真實(shí)度。
3、在現(xiàn)有技術(shù)中，作為感光層的光致抗蝕劑或底部抗反射涂層(bottom?anti-reflective?coating,barc)形成在基板上后可能會(huì)因?yàn)橹谱鞴に嚺判虻雀鞣N因素閑置了一段時(shí)間后才會(huì)進(jìn)行光刻制作工藝(即待機(jī)時(shí)間過(guò)長(zhǎng))，如此可能會(huì)導(dǎo)致與光致抗蝕劑接觸的層結(jié)構(gòu)中的雜質(zhì)粒子擴(kuò)散進(jìn)入光致抗蝕劑之中，進(jìn)而導(dǎo)致光致抗蝕劑性質(zhì)改變，影響后續(xù)的光刻制作工藝。例如，如果與光致抗蝕劑接觸的層結(jié)構(gòu)含氮成分，其氮離子擴(kuò)散進(jìn)入光致抗蝕劑后會(huì)與光致抗蝕劑中的氫離子產(chǎn)生中和反應(yīng)，使得界面處原有的光酸成分變少，如
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、有鑒于前述光致抗蝕劑容易因放置過(guò)久變質(zhì)而導(dǎo)致光致抗蝕劑殘留等問(wèn)題，本專利技術(shù)于此提出了一種新穎的半導(dǎo)體制作工藝，其特點(diǎn)在于在光致抗蝕劑形成前先對(duì)基底進(jìn)行熱板烘烤動(dòng)作，使得底部抗反射涂層(bottom?anti-reflective?coating,barc)中的氮離子從表面揮發(fā)，如此可避免后續(xù)光致抗蝕劑形成后因?yàn)殚e置時(shí)間過(guò)長(zhǎng)而導(dǎo)致氮離子進(jìn)入光致抗蝕劑中使光致抗蝕劑變質(zhì)，繼而使光致抗蝕劑曝光顯影后殘留在基底上的問(wèn)題。
2、本專利技術(shù)的目的在于提出一種改善光致抗蝕劑殘留的半導(dǎo)體制作工藝，其步驟包含提供一含氮層、在該含氮層上形成一底部抗反射涂層，其中該含氮層中的氮離子會(huì)擴(kuò)散進(jìn)入該底部抗反射涂層、對(duì)該含氮層進(jìn)行一熱板烘烤制作工藝，使該底部抗反射涂層中的氮離子從表面揮發(fā)、在該熱板烘烤制作工藝過(guò)后，在該底部抗反射涂層上形成一光致抗蝕劑、以及進(jìn)行一曝光與顯影制作工藝圖案化該光致抗蝕劑。
3、本專利技術(shù)的這類目的與其他目的在閱者讀過(guò)下文中以多種圖示與繪圖來(lái)描述的優(yōu)選實(shí)施例的細(xì)節(jié)說(shuō)明后應(yīng)可變得更為明了顯見(jiàn)。
本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種改善光致抗蝕劑殘留的半導(dǎo)體制作工藝，包含：
2.如權(quán)利要求1所述的改善光致抗蝕劑殘留的半導(dǎo)體制作工藝，其中該含氮層的材料為氮化硅或氮化鈦。
3.如權(quán)利要求1所述的改善光致抗蝕劑殘留的半導(dǎo)體制作工藝，其中該熱板烘烤制作工藝后到形成該光致抗蝕劑前的待機(jī)時(shí)間超過(guò)八小時(shí)。
4.如權(quán)利要求1所述的改善光致抗蝕劑殘留的半導(dǎo)體制作工藝，其中該熱板烘烤制作工藝的溫度介于120～140℃之間，持續(xù)時(shí)間介于60～90秒之間。
【技術(shù)特征摘要】
1.一種改善光致抗蝕劑殘留的半導(dǎo)體制作工藝，包含：
2.如權(quán)利要求1所述的改善光致抗蝕劑殘留的半導(dǎo)體制作工藝，其中該含氮層的材料為氮化硅或氮化鈦。
3.如權(quán)利要求1所述的改善光致抗蝕劑殘留的半導(dǎo)體制作工...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：何熊武，白源吉，談文毅，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：聯(lián)芯集成電路制造廈門(mén)有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：
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