本發(fā)明專利技術(shù)提出一種解剖軸向玻封二極管的方法。包括以下步驟：步驟S01，通過發(fā)煙硝酸去除軸向玻封二極管封裝玻璃外的標(biāo)識和涂覆材料；步驟S02，通過X?ray對軸向玻封二極管進(jìn)行內(nèi)部成像；步驟S03，利用石蠟固定和機(jī)械拋磨方法對軸向玻封二極管進(jìn)行打磨以去除芯片外的封裝玻璃；步驟S04，利用發(fā)煙硝酸腐蝕和超聲振動清洗使芯片從電極柱上脫落。本發(fā)明專利技術(shù)保證了軸向玻封二極管內(nèi)部芯片完整開封，有效提升了針對軸向玻封二極管的分析能力，同時提高了開封效率和保證了作業(yè)的安全性。
【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及元器件失效分析和破壞性物理分析，具體涉及一種解剖軸向玻封二極管的方法。
技術(shù)介紹
1、二極管可以單向?qū)щ姡哂袑?dǎo)通和截止的特性，相當(dāng)于開關(guān)的接通與關(guān)斷，能實現(xiàn)對交流電整流、對調(diào)制信號檢波、限幅和鉗位以及對電源電壓穩(wěn)壓等多種功能。軸向玻封二極管是二極管一種封裝形式，其中大多數(shù)齊納二極管和肖特基二極管采用該種封裝。軸向玻封二極管的優(yōu)點包括：1、器件是密封的，不依賴于鈍化芯片來承受熱量和濕度；2、玻璃和半導(dǎo)體的熱膨脹系數(shù)相近，器件的熱性能優(yōu)異，允許很高的工作溫度。
2、目前，軸向玻封二極管的解剖有兩種方式，金剛刀的切割開封和hf酸的化學(xué)腐蝕。其中，破壞性物理分析試驗過程一般采用金剛刀的切割開封，開封效率高，但是，成功率低，容易造成芯片破損、芯片表面無法觀察的情況；失效分析為確保芯片完整保留，不破壞芯片結(jié)構(gòu)，一般采用hf酸腐蝕的開封方式，hf酸是危險化學(xué)藥品，有安全隱患，同時，hf酸腐蝕速度慢，需要10多個小時，而且hf會破壞芯片表面的鈍化層材料，干擾分析。
3、因此，研究軸向玻封二極管的合適解剖方法，在完整保留其內(nèi)部結(jié)構(gòu)、芯片下提高開封效率和減小安全隱患非常重要，這對高效正確分析軸向玻封二極管的失效機(jī)理和給出正確的破壞性物理分析結(jié)果極其關(guān)鍵。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、為解決上述問題，本專利技術(shù)提出一種解剖軸向玻封二極管的方法，保證了軸向玻封二極管內(nèi)部芯片完整開封，有效提升了針對軸向玻封二極管的分析能力，同時，提高了開封效率和保證了作業(yè)的安全性。
>2、本專利技術(shù)包括以下步驟：3、步驟s01，通過發(fā)煙硝酸去除軸向玻封二極管封裝玻璃外的標(biāo)識和涂覆材料；
4、步驟s02，通過x-ray對軸向玻封二極管進(jìn)行內(nèi)部成像；
5、步驟s03，利用石蠟固定和機(jī)械拋磨方法對軸向玻封二極管進(jìn)行打磨以去除芯片外的封裝玻璃；
6、步驟s04，利用發(fā)煙硝酸腐蝕和超聲振動清洗使芯片從電極柱上脫落。
7、有益效果：
8、本專利技術(shù)根據(jù)軸向玻封二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，包括框架結(jié)構(gòu)、芯片位置、芯片處封裝玻璃厚度等，利用石蠟固定和機(jī)械拋磨方式進(jìn)行打磨，去除芯片區(qū)域的封裝玻璃，并采用發(fā)煙硝酸腐蝕和丙酮中超聲振動清洗的方式，使芯片從電極柱上脫落，實現(xiàn)玻封軸向二極管的完整解剖，在保證軸向玻封二極管器件在失效分析和破壞性物理分析等分析工作中滿足使用條件的同時提高開封效率和安全性。
本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點】
1.一種解剖軸向玻封二極管的方法，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種解剖軸向玻封二極管的方法，其特征在于，所述S01具體過程為：利用發(fā)煙硝酸腐蝕掉軸向玻封二極管封裝玻璃外的標(biāo)識和涂覆材料，使內(nèi)部結(jié)構(gòu)顯現(xiàn)可以觀察。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種解剖軸向玻封二極管的方法，其特征在于，所述S02具體過程為：從軸向玻封二極管的側(cè)面對其透視成像。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種解剖軸向玻封二極管的方法，其特征在于，所述S03具體過程為：通過石蠟將器件固定在研磨夾具上，要求石蠟將器件包裹，拋磨器件到芯片位置；加熱石蠟，重新固定器件位置，使封裝玻璃未去除面朝上，再次拋磨到芯片位置；多次重復(fù)上述步驟，直到芯片周圍的封裝玻璃全部去除。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種解剖軸向玻封二極管的方法，其特征在于，所述S04具體過程為：利用發(fā)煙硝酸腐蝕和超聲振動清洗使芯片從電極柱上脫落，其中：發(fā)煙硝酸溫度控制在80℃～90℃之間，時間1s～3s左右；超聲振動清洗在丙酮中進(jìn)行，水浴溫度80℃～90℃之間，清洗時間不少于3min；清洗后，對脫落的芯片和電極柱在光學(xué)顯微鏡下觀察，確認(rèn)結(jié)構(gòu)、形貌是否完整。
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【技術(shù)特征摘要】
1.一種解剖軸向玻封二極管的方法，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種解剖軸向玻封二極管的方法，其特征在于，所述s01具體過程為：利用發(fā)煙硝酸腐蝕掉軸向玻封二極管封裝玻璃外的標(biāo)識和涂覆材料，使內(nèi)部結(jié)構(gòu)顯現(xiàn)可以觀察。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種解剖軸向玻封二極管的方法，其特征在于，所述s02具體過程為：從軸向玻封二極管的側(cè)面對其透視成像。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種解剖軸向玻封二極管的方法，其特征在于，所述s03具體過程為：通過石蠟將器件固定在研磨夾具上，要求石蠟將...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：符佳佳，許艷君，李文周，李智，閆玉波，
申請(專利權(quán))人：北京振興計量測試研究所，
類型：發(fā)明
國別省市：
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