【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及單晶硅生產領域，具體為一種降低單晶爐首投斷線頻次的方法。
技術介紹
1、直拉法是拉制單晶硅棒的主要方法之一，該方法是將多晶硅放入單晶爐的石英坩堝內，通過石墨加熱器加熱熔化多晶硅，再通過調溫、引晶、放肩、轉肩、等徑、收尾、停爐等過程完成單晶硅棒的拉制。
2、現有的單晶爐拉制生產出現的斷線大部分為首投斷線，首投斷線是一種在首次投料開始熔化過程中，由于各種原因導致的硅料未能成功熔化或者晶體生長過程中出現的斷裂現象。首投斷線頻次較高與多種因素有關，包括爐內清潔度、原料質量、熱場穩定性、操作技術等。在單晶爐生產中，首投斷線現象會增加成本，降低日單產和工時效率，因此降低首投斷線是現有單晶爐生產中的一個重要課題。
技術實現思路
1、本專利技術為解決現有技術中單晶爐生產首投斷線導致成本增加，以及日單產和工時效率降低的問題，提供了一種可以改變原有的抽空模式，降低雜質擴散及殘留從而降低首投斷線頻次的降低單晶爐首投斷線頻次的方法。
2、本專利技術采用的技術方案是：
3、一種降低單晶爐首投斷線頻次的方法，包括以下步驟：
4、s10.開啟副泵，并連通所述副泵和單晶爐的副室進行抽真空操作；
5、s20.待爐體內部壓力達到第一設定爐壓p1后，切斷所述副泵和所述副室之間的連通，并關閉所述副泵；
6、s30.開啟主泵，并連通所述主泵和單晶爐的主室，且通入保護氣體；
7、s40.切斷所述主泵和所述主室之間的連通，并關閉所
8、進一步地，所述s10中開啟所述副泵后間隔時間t1開啟副泵球閥，使所述副泵和所述副室連通；所述s20中關閉所述副泵球閥，使所述副泵和所述副室之間的連通切斷后，間隔時間t2關閉所述副泵；所述s30中開啟所述主泵后間隔時間t3開啟主泵球閥，使所述主泵和所述主室連通；所述s40中關閉所述主泵球閥，使所述主泵和所述主室之間的連通切斷后，間隔時間t4關閉所述主泵。
9、進一步地，所述間隔時間t1在25s以上；所述間隔時間t2在25s以上；所述間隔時間t3在50s以上；所述間隔時間t4在50s以上。
10、進一步地，所述s30中待爐體內部壓力小于第二設定爐壓p2后通入保護氣體，間隔一定時間后關閉保護氣體。
11、進一步地，所述s30還包括：
12、第一次通入保護氣體結束后，再次通入保護氣體，間隔一定時間后關閉保護氣體。
13、進一步地，所述s40包括：
14、關閉氬氣后抽空至爐體內部壓力小于第三設定爐壓p3后，切斷所述主泵和所述主室之間的連通，并關閉所述主泵。
15、進一步地，所述主室由上方的爐蓋，中部的爐筒和下方的爐底盤共同構成；且所述主室內設置有保溫筒，所述保溫筒內設置有坩堝；所述坩堝的上方設置有導流筒，所述坩堝的周向外側設置有主加熱器，所述坩堝的下方設置有底部加熱器；所述主加熱器和底部加熱器下方連接有石墨電極。
16、進一步地，所述爐底盤上靠近邊緣處設置有排氣筒，所述排氣筒可連通所述主泵和所述主室。
17、進一步地，所述副室設置在所述爐蓋上方中部，所述副泵和所述副室通過排氣管連通。
18、進一步地，所述第一設定爐壓p1為200~350torr；所述副泵抽速為18000~25000l/min；所述主泵抽速為33000~40000l/min。
19、本專利技術的有益效果是：
20、1.本專利技術通過副室排氣管上的副泵與主室排氣管上的主泵分段進行抽真空操作，使爐體內部雜質較多的情況下抽真空的抽速較低，避免了雜質亂流；并且使爐體內部雜質較少的情況下抽真空的抽速較高，抽真空的效率得到提升，實現了在快速抽真空的同時減少附著到硅料及熱場部件上的雜質殘留，避免了殘留雜質造成的拉晶斷裂，從而解決了現有技術中單晶爐生產首投斷線導致成本增加，以及日單產和工時效率降低的問題；
21、2.本專利技術通過進行兩次次的保護氣體通流，可以確保爐體內部在拉晶過程中保護氣體的純度，可以防止硅熔體在高溫下與爐體內部空氣中的氧氣或其他氣體發生反應，從而避免硅單晶被氧化或污染，實現了單晶爐生產的單晶硅產品雜質減少，質量提升。
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1.一種降低單晶爐首投斷線頻次的方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.如權利要求1所述的降低單晶爐首投斷線頻次的方法，其特征在于，所述S10中開啟所述副泵（220）后間隔時間t1開啟副泵球閥（230），使所述副泵（220）和所述副室（200）連通；所述S20中關閉所述副泵球閥（230），使所述副泵（220）和所述副室（200）之間的連通切斷后，間隔時間t2關閉所述副泵（220）；所述S30中開啟所述主泵（134）后間隔時間t3開啟主泵球閥（136），使所述主泵（134）和所述主室（100）連通；所述S40中關閉所述主泵球閥（136），使所述主泵（134）和所述主室（100）之間的連通切斷后，間隔時間t4關閉所述主泵（134）。
3.如權利要求2所述的降低單晶爐首投斷線頻次的方法，其特征在于，所述間隔時間t1在25s以上；所述間隔時間t2在25s以上；所述間隔時間t3在50s以上；所述間隔時間t4在50s以上。
4.如權利要求1所述的降低單晶爐首投斷線頻次的方法，其特征在于，所述S30中待爐體內部壓力小于第二設定爐壓P2后通入保護氣體，間隔一定時
5.如權利要求4所述的降低單晶爐首投斷線頻次的方法，其特征在于，所述S30還包括：
6.如權利要求1所述的降低單晶爐首投斷線頻次的方法，其特征在于，所述S40包括：
7.如權利要求1所述的降低單晶爐首投斷線頻次的方法，其特征在于，所述主室（100）由上方的爐蓋（110），中部的爐筒（120）和下方的爐底盤（130）共同構成；且所述主室（100）內設置有保溫筒（140），所述保溫筒（140）內設置有坩堝（170）；所述坩堝（170）的上方設置有導流筒（180），所述坩堝（170）的周向外側設置有主加熱器（150），所述坩堝（170）的下方設置有底部加熱器（160）；所述主加熱器（150）和底部加熱器（160）下方連接有石墨電極（190）。
8.如權利要求7所述的降低單晶爐首投斷線頻次的方法，其特征在于，所述爐底盤（130）上靠近邊緣處設置有排氣筒（132），所述排氣筒（132）可連通所述主泵（134）和所述主室（100）。
9.如權利要求7所述的降低單晶爐首投斷線頻次的方法，其特征在于，所述副室（200）設置在所述爐蓋（110）上方中部，所述副泵（220）和所述副室（200）通過排氣管（210）連通。
10.如權利要求1-9任意一項所述的降低單晶爐首投斷線頻次的方法，其特征在于，所述第一設定爐壓P1為200~350Torr；所述副泵（220）抽速為18000~25000L/min；所述主泵（134）抽速為33000~40000L/min。
...【技術特征摘要】
1.一種降低單晶爐首投斷線頻次的方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.如權利要求1所述的降低單晶爐首投斷線頻次的方法，其特征在于，所述s10中開啟所述副泵（220）后間隔時間t1開啟副泵球閥（230），使所述副泵（220）和所述副室（200）連通；所述s20中關閉所述副泵球閥（230），使所述副泵（220）和所述副室（200）之間的連通切斷后，間隔時間t2關閉所述副泵（220）；所述s30中開啟所述主泵（134）后間隔時間t3開啟主泵球閥（136），使所述主泵（134）和所述主室（100）連通；所述s40中關閉所述主泵球閥（136），使所述主泵（134）和所述主室（100）之間的連通切斷后，間隔時間t4關閉所述主泵（134）。
3.如權利要求2所述的降低單晶爐首投斷線頻次的方法，其特征在于，所述間隔時間t1在25s以上；所述間隔時間t2在25s以上；所述間隔時間t3在50s以上；所述間隔時間t4在50s以上。
4.如權利要求1所述的降低單晶爐首投斷線頻次的方法，其特征在于，所述s30中待爐體內部壓力小于第二設定爐壓p2后通入保護氣體，間隔一定時間后關閉保護氣體。
5.如權利要求4所述的降低單晶爐首投斷線頻次的方法，其特征在于，所述s30還包括：
6.如權利要求1所述的降低單晶爐首投斷線頻次的方法...
【專利技術屬性】
技術研發人員：李國華，唐元鳳，
申請(專利權)人：四川永祥光伏科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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