【技術實現步驟摘要】
本申請涉及半導體制造,特別涉及一種吸盤組件。
技術介紹
1、在半導體制造中,晶圓所處的反應腔室的內部結構需要盡可能減少凹槽的存在:在對晶圓進行等離子體蝕刻的過程中,反應生成的副產物會以附著物的形式附著至凹槽中,這些附著物會在等離子體反應中或這是反應腔室內部的氣壓發生變化時發生懸浮或沉降至晶圓的表面,造成所需的等離子體達不到工藝要求晶圓缺陷的形成,降低晶圓產品的良率。
2、傳統的靜電吸盤在固定至基座時,靜電吸盤與固定件之間會形成數個凹槽,如何減少這些凹槽,提高反應腔室內部的平整度是一個亟待解決的問題。
技術實現思路
1、本申請提供一種吸盤組件,可以在吸盤固定至基座時,避免吸盤與固定件之間形成凹槽。
2、本申請實施例提供一種吸盤組件,包括:吸盤,所述吸盤包括吸附部,用于吸附晶圓;以及固定部,所述固定部設置有貫穿所述固定部的第一連接孔;基座,用于承托所述吸盤,所述基座設置有與所述第一連接孔匹配的第二連接孔;固定件,被配置為依次插入所述第一連接孔以及所述第二連接孔,以將所述吸盤連接至所述基座;以及蓋帽,蓋設至所述固定件的頂部,所述蓋帽與所述第一連接孔過盈配合,且所述蓋帽的頂面與所述固定部的頂面齊平。
3、在一些實施例中,所述固定件包括頭部,所述頭部設置有卡槽;以及桿部,所述桿部與所述頭部一體連接,且所述桿部的外表面設置有螺紋。
4、在一些實施例中,所述蓋帽包括帽部,所述帽部與所述頭部的頂面接觸;以及卡接部,所述卡接部與所述帽部一體連接,且所述
5、在一些實施例中,所述帽部的表面為拋光面。
6、在一些實施例中,所述第一連接孔包括一體連接的寬孔段和窄孔段,所述寬孔段用于容納所述蓋帽和所述固定件的頭部,以及所述窄孔段用于容納所述固定件的桿部。
7、在一些實施例中,所述第二連接孔內設置有與所述桿部匹配的螺紋牙套。
8、在一些實施例中,所述卡槽垂直于所述卡槽軸線的橫截面為正六邊形。
9、在一些實施例中,所述固定件設置有沿所述固定件中心軸貫穿所述固定件的第一通孔。
10、在一些實施例中,所述蓋帽設置有沿所述蓋帽的中心軸貫穿所述蓋帽的第二通孔,所述第二通孔與所述第一通孔對齊。
11、在一些實施例中,所述第一連接孔的數目為多個,多個所述第一連接孔關于所述吸盤的中心呈中心對稱分布。
12、本申請提供的吸盤組件的有益效果包括但不限于以下:
13、本申請提供的吸盤組件包括吸盤、基座、固定件以及蓋帽,所述吸盤通過所述固定件與所述基座固定連接,所述蓋帽設置在所述固定件的頂部。
14、通過在所述固定件頂部增加與所述蓋帽,同時使所述蓋帽的頂面與所述吸盤固定部的頂面齊平,避免了將所述吸盤固定至基座時,在固定件的位置形成凹槽,進而避免了副反應產物的積聚,提高了反應腔室的清潔度,從而提升了晶圓的良率。
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1.一種吸盤組件,其特征在于,包括:
2.根據權利要求1所述的吸盤組件,其特征在于,所述固定件包括頭部,所述頭部設置有卡槽;以及桿部,所述桿部與所述頭部一體連接,且所述桿部的外表面設置有螺紋。
3.根據權利要求2所述的吸盤組件,其特征在于,所述蓋帽包括帽部,所述帽部與所述頭部的頂面接觸;以及卡接部,所述卡接部與所述帽部一體連接,且所述卡接部與所述卡槽匹配。
4.根據權利要求3所述的吸盤組件,其特征在于,所述帽部的表面為拋光面。
5.根據權利要求3所述的吸盤組件,其特征在于,所述第一連接孔包括一體連接的寬孔段和窄孔段,所述寬孔段用于容納所述蓋帽和所述固定件的頭部,以及所述窄孔段用于容納所述固定件的桿部。
6.根據權利要求2所述的吸盤組件,其特征在于,所述第二連接孔內設置有與所述桿部匹配的螺紋牙套。
7.根據權利要求2所述的吸盤組件,其特征在于,所述卡槽垂直于所述卡槽軸線的橫截面為正六邊形。
8.根據權利要求1所述的吸盤組件,其特征在于,所述固定件設置有沿所述固定件中心軸貫穿所述固定件的第一通孔。
...【技術特征摘要】
1.一種吸盤組件,其特征在于,包括:
2.根據權利要求1所述的吸盤組件,其特征在于,所述固定件包括頭部,所述頭部設置有卡槽;以及桿部,所述桿部與所述頭部一體連接,且所述桿部的外表面設置有螺紋。
3.根據權利要求2所述的吸盤組件,其特征在于,所述蓋帽包括帽部,所述帽部與所述頭部的頂面接觸;以及卡接部,所述卡接部與所述帽部一體連接,且所述卡接部與所述卡槽匹配。
4.根據權利要求3所述的吸盤組件,其特征在于,所述帽部的表面為拋光面。
5.根據權利要求3所述的吸盤組件,其特征在于,所述第一連接孔包括一體連接的寬孔段和窄孔段,所述寬孔段用于容納所述蓋帽和所述固定件的頭部,以及所述窄孔段用于容納所...
【專利技術屬性】
技術研發人員:衛德強,
申請(專利權)人:中芯北方集成電路制造北京有限公司,
類型:新型
國別省市:
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