【技術實現步驟摘要】
本專利技術屬于復合薄膜材料，具體涉及一種透明抗靜電保護膜及其制備方法。
技術介紹
1、隨著電子行業的快速發展，電子產品逐漸成為不可缺少的必需品。靜電是一種接觸式摩擦使得物體電荷聚集累積的現象。而很多電子產品在移動和使用過程中會產生靜電，靜電累積可導致放電、產品短路等，直至引發火災、爆炸等安全事故，對電子產品的正常使用造成嚴重影響，產生巨大的風險與危害。目前在電子行業中，大多采用保護膜貼附于電子產品表面，發揮抗靜電作用，避免因靜電造成對電子產品的影響。
2、現有的抗靜電保護膜大多采用兩種方法獲得：一種是在功能涂層中直接添加導電填料，另一種是在功能涂層和基材之間涂布普通的抗靜電層，比如，石墨金屬網格、硅烷系抗靜電涂層、導電高分子材料等。其中，功能涂層中添加導電填料會由于導電填料自身性質和添加量的影響，使獲得的功能涂層的性能不穩定；而在功能涂層和基材之間涂布普通的抗靜電層會出現涂層透光率下降明顯、電阻不夠低、抗靜電作用隨時間會逐漸消退、成本高等問題，不僅會影響電子產品的使用，而且抗靜電效果不佳。尤其的，當功能涂層是鉑金催化體系的硅膠壓敏膠涂層時，現有的抗靜電涂層會使硅膠“中毒”，從而影響功能涂層的固化以及產品的成型和質量。另外，現有技術中公開的抗靜電的離型膜，是在基材和離型劑中涂布聚噻吩體系的抗靜電液，聚噻吩能隙較小，但氧化摻雜電位較高，故其氧化態在空氣中很不穩定，會迅速被還原為本征態，因此所得到的抗靜電離型膜隨著時間的推移，離型膜的抗靜電性能因聚噻吩體系的還原而大幅度降低，無法滿足工業化生產和使用要求。
3、
技術實現思路
1、針對現有技術的不足，本專利技術提供了一種透明抗靜電保護膜及其制備方法，采用一維高長徑比鍍銀納米線，由于其導電性好、結構穩定、易形成導電網絡、材料易制備及生產工藝簡單成本低，在較低填充量(＜3％)的情況下，即可實現抗靜電功能，大大降低了導電填料的逾滲閾值，有效避免了對薄膜光學透過率的影響，大幅度提高抗靜電保護膜的光學透過率(達到90％)；此外通過對一維高長徑比鍍銀納米線進行化學改性，大幅度提高導電填料與基體的相容性以及在基體中的分散穩定性；鍍銀納米線對功能涂層影響小，尤其不會導致鉑金催化體系的硅膠壓敏膠或鉑金催化體系的硅油離型劑“中毒”，從而不會造成壓敏膠或離型劑不固化或固化不完全的現象，解決了功能涂層加入導電填料后固化受影響的問題，增強了抗靜電保護膜的環境耐受性，極大地延長了抗靜電保護膜的使用壽命，降低了成產成本，有利于規模化生產。
2、一種透明抗靜電保護膜，具體包括基材以及附于其上的涂層，所述涂層包括聚噻吩抗靜電層以及鍍銀納米線透明抗靜電功能涂層；
3、所述基材的一個表面上依次設置聚噻吩抗靜電層和鍍銀納米線透明抗靜電功能涂層；
4、所述透明抗靜電保護膜的厚度為50～200μm，基材的厚度為10～200μm；聚噻吩抗靜電層的表面電阻為105～107ω，厚度為0.05～50μm；鍍銀納米線透明抗靜電功能涂層的表面電阻為104～108ω，厚度為0.1～100μm。
5、所述基材的材質選自pet、pi、pe、pp、pvc薄膜中的一種，聚噻吩抗靜電層由聚噻吩抗靜電液涂覆于基材表面制得，鍍銀納米線透明抗靜電功能涂層由鍍銀納米線分散液與高分子基體混合并超聲分散后，涂覆于聚噻吩抗靜電層表面制得。
6、所述聚噻吩抗靜電液的制備方法為：將聚噻吩加入到乙醇與水的混合溶液，攪拌均勻后制得；其中，聚噻吩與乙醇和水的體積比為1：(1～3)：(1～3)，聚噻吩和乙醇為分析純；
7、所述高分子基體選自離型劑、壓敏膠和硬化樹脂中的一種，其中離型劑為硅油離型劑，壓敏膠選自有機硅壓敏膠、丙烯酸酯壓敏膠、橡膠壓敏膠中的一種，硬化樹脂選自丙烯酸樹脂、聚氨酯樹脂、環氧樹脂中的一種；
8、所述硅油離型劑為鉑金催化體系的硅油離型劑，壓敏膠為鉑金催化體系的有機硅壓敏膠；
9、所述鍍銀納米線分散液的制備方法為：取鍍銀納米線加入到有機溶劑中，再加入硅烷偶聯劑進行改性，攪拌均勻制得；
10、所述鍍銀納米線分散液的添加量占高分子基體總重量的1％～20％，鍍銀納米線的添加量為高分子基體總重量的0.5％～10.0％，硅烷偶聯劑的添加量占鍍銀納米線分散液總重量的0.1～0.5％。
11、所述鍍銀納米線具體為一維高長徑比鍍銀納米線，選自鍍銀鎳納米線、鍍銀碳納米管、鍍銀二氧化錫納米線、鍍銀氧化鋅納米線中的一種或多種，均采用化學鍍工藝制備得到，選用多種鍍銀納米線時，多種之間為任意比例；
12、所述鍍銀鎳納米線直徑為1～100nm、長度為0.5～100μm，鍍銀碳納米管直徑為5～20nm，長度為5～50μm，鍍銀二氧化錫納米線直徑為20～100nm，長度為10～50μm，鍍銀氧化鋅納米線直徑為10～50μm，長度為20～50μm；
13、所述有機溶劑選自乙醇、異丙醇、乙酸乙酯、環己烷中的至少兩種，多種之間為任意比例，有機溶劑的純度為分析純。
14、所述硅烷偶聯劑選自γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-環氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、n-(2-氨乙基-3-氨丙基)甲基二甲氧基硅烷、正辛基三乙氧基硅烷、γ-氨基丙基三乙氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3-縮水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷、n-β(氨基乙基)γ-氨基丙基三甲氧基硅烷和n-β(氨基乙基)γ-氨基丙基甲基二甲氧基硅烷中的一種或兩種以上的組合，硅烷偶聯劑的純度為分析純；當硅烷偶聯劑的選擇為兩種以上的組合時，它們之間為任意配比。
15、所述透明抗靜電保護膜的表面電阻為104～108ω，光學透過率為65％～90％。
16、上述透明抗靜電保護膜的制備方法，具體包括以下步驟：
17、(1)取預處理后的基材，在基材表面涂布聚噻吩抗靜電液，放入烘箱中，烘干結束后取出，得到涂覆有聚噻吩抗靜電層的基本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種透明抗靜電保護膜，其特征在于，具體包括基材以及附于其上的涂層，所述涂層包括聚噻吩抗靜電層以及鍍銀納米線透明抗靜電功能涂層；
2.根據權利要求1所述的一種透明抗靜電保護膜，其特征在于，所述基材的材質選自PET、PI、PE、PP、PVC薄膜中的一種，聚噻吩抗靜電層由聚噻吩抗靜電液涂覆于基材表面制得，鍍銀納米線透明抗靜電功能涂層由鍍銀納米線分散液與高分子基體混合并超聲分散后，涂覆于聚噻吩抗靜電層表面制得。
3.根據權利要求2所述的一種透明抗靜電保護膜，其特征在于，所述聚噻吩抗靜電液的制備方法為：將聚噻吩加入到乙醇與水的混合溶液，攪拌均勻后制得；其中，聚噻吩與乙醇和水的體積比為1：(1～3)：(1～3)，聚噻吩和乙醇為分析純；
4.根據權利要求3所述的一種透明抗靜電保護膜，其特征在于，所述鍍銀納米線具體為一維高長徑比鍍銀納米線，選自鍍銀鎳納米線、鍍銀碳納米管、鍍銀二氧化錫納米線、鍍銀氧化鋅納米線中的一種或多種，均采用化學鍍工藝制備得到，選用多種鍍銀納米線時，多種之間為任意比例；
5.根據權利要求3所述的一種透明抗靜電保護膜，其特征在
6.根據權利要求1所述的一種透明抗靜電保護膜，其特征在于，所述透明抗靜電保護膜的表面電阻為104～108Ω，光學透過率為65％～90％。
7.權利要求1所述的一種透明抗靜電保護膜的制備方法，其特征在于，具體包括以下步驟：
8.根據權利要求7所述的一種透明抗靜電保護膜的制備方法，其特征在于，所述步驟(1)中，預處理具體為：將基材置于預處理液中超聲處理15～60min，超聲處理后的基材采用去離子水沖洗后吹干，吹干后的基材表面采用酸洗、堿洗、氧等離子體中的一種或多種方式再次進行清洗，隨后用去離子水洗凈，干燥后得到表面處理完成的基材；
9.根據權利要求7所述的一種透明抗靜電保護膜的制備方法，其特征在于，所述步驟(2)中，鍍銀納米線透明抗靜電功能涂層的高分子基體選擇離型劑時，濕涂布量為0.1～1.5g/m2；選擇壓敏膠時，濕涂布量為30～50g/m2；選擇硬化樹脂時，濕涂布量為10～30g/m2；所述烘箱溫度為150～170℃，烘干時間為3～5min。
10.根據權利要求7所述的一種透明抗靜電保護膜的制備方法，其特征在于，所述步驟(1)和步驟(2)中，涂布方式選自微凹涂布、線棒涂布、刮刀涂布、狹縫涂布、噴涂、卷對卷工藝中的一種。
...【技術特征摘要】
1.一種透明抗靜電保護膜，其特征在于，具體包括基材以及附于其上的涂層，所述涂層包括聚噻吩抗靜電層以及鍍銀納米線透明抗靜電功能涂層；
2.根據權利要求1所述的一種透明抗靜電保護膜，其特征在于，所述基材的材質選自pet、pi、pe、pp、pvc薄膜中的一種，聚噻吩抗靜電層由聚噻吩抗靜電液涂覆于基材表面制得，鍍銀納米線透明抗靜電功能涂層由鍍銀納米線分散液與高分子基體混合并超聲分散后，涂覆于聚噻吩抗靜電層表面制得。
3.根據權利要求2所述的一種透明抗靜電保護膜，其特征在于，所述聚噻吩抗靜電液的制備方法為：將聚噻吩加入到乙醇與水的混合溶液，攪拌均勻后制得；其中，聚噻吩與乙醇和水的體積比為1：(1～3)：(1～3)，聚噻吩和乙醇為分析純；
4.根據權利要求3所述的一種透明抗靜電保護膜，其特征在于，所述鍍銀納米線具體為一維高長徑比鍍銀納米線，選自鍍銀鎳納米線、鍍銀碳納米管、鍍銀二氧化錫納米線、鍍銀氧化鋅納米線中的一種或多種，均采用化學鍍工藝制備得到，選用多種鍍銀納米線時，多種之間為任意比例；
5.根據權利要求3所述的一種透明抗靜電保護膜，其特征在于，所述硅烷偶聯劑選自γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-環氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、n-(2-氨乙基-3-氨丙基)甲基二甲氧基硅烷、正辛基三乙氧基硅烷、γ-氨基丙基三乙氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3-縮水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷、n-β(氨基乙基)γ-氨...
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