【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及一種半導體元件以及半導體結構，尤其涉及一種微型發光元件以及微型發光元件結構。
技術介紹
1、微型發光二極管芯片的發光效率與其內部量子效率以及外部光萃取效率相關，其中微型發光二極管芯片的內部量子效率與其磊晶品質以及電極設計相關。一般來說，電流經由接觸層進入微型發光二極管芯片時，尚未在水平方向擴散便已通過主動層，且大多數的載子皆于接觸層與半導體層的連接處正下方就復合，導致局部的電流密度高，使得內部量子效率低下。
技術實現思路
1、本專利技術是針對一種微型發光元件，可增加電流密度的均勻性，以提升內部量子效率。
2、本專利技術還針對一種微型發光元件結構，其包括上述的微型發光元件，具有較佳的顯示品質。
3、根據本專利技術的實施例，微型發光元件包括磊晶結構、第一電極、第二電極、第一接觸層以及擴散結構。磊晶結構包括依序堆疊的第一型半導體層、主動層以及第二型半導體層。第二型半導體層具有相對遠離第一型半導體層的外表面。第一電極配置于磊晶結構上且電性連接第一型半導體層。第二電極配置于磊晶結構上且電性連接第二型半導體層。第一接觸層配置于第一電極與第一型半導體層之間。擴散結構配置于第二型半導體層遠離第一型半導體層的一側。擴散結構的導電率小于第二型半導體層的導電率。第二型半導體層的外表面暴露出擴散結構遠離第一型半導體層的下表面。
4、根據本專利技術的實施例，微型發光元件結構包括基板以及多個微型發光元件。微型發光元件彼此分離地配置于基板上。每一微型發光元件包括
5、基于上述，在本專利技術的微型發光元件的設計中，擴散結構是配置于第二型半導體層遠離第一型半導體層的一側，其中擴散結構的導電率小于第二型半導體層的導電率，且第二型半導體層的外表面暴露出擴散結構遠離第一型半導體層的下表面。通過擴散結構的設計，可有效地阻擋載子直接流向原本的復合區域，迫使電流得以擴散至較大的范圍，進而可增加電流密度的均勻性，以提升內部量子效率。
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1.一種微型發光元件，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的微型發光元件，其特征在于，所述擴散結構相對于所述下表面的上表面與所述主動層之間具有間隙。
3.根據權利要求1所述的微型發光元件，其特征在于，所述擴散結構的第一厚度大于所述第二型半導體層的第二厚度的一半。
4.根據權利要求1所述的微型發光元件，其特征在于，所述第一接觸層于所述主動層上的正投影重疊于所述擴散結構于所述主動層上的正投影。
5.根據權利要求4所述的微型發光元件，其特征在于，所述擴散結構于所述主動層上的正投影面積大于所述第一接觸層于所述主動層上的正投影面積。
6.根據權利要求1所述的微型發光元件，其特征在于，還包括：
7.根據權利要求6所述的微型發光元件，其特征在于，所述第一型半導體層、所述主動層以及所述第二型半導體層的第一部分構成平臺，所述第二型半導體層的第二部分形成相對于所述平臺凹陷而形成平臺面，而所述第二接觸層位于所述平臺面上。
8.根據權利要求7所述的微型發光元件，其特征在于，所述擴散結構的第一厚度大于所述第三厚度。<...
【技術特征摘要】
1.一種微型發光元件，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的微型發光元件，其特征在于，所述擴散結構相對于所述下表面的上表面與所述主動層之間具有間隙。
3.根據權利要求1所述的微型發光元件，其特征在于，所述擴散結構的第一厚度大于所述第二型半導體層的第二厚度的一半。
4.根據權利要求1所述的微型發光元件，其特征在于，所述第一接觸層于所述主動層上的正投影重疊于所述擴散結構于所述主動層上的正投影。
5.根據權利要求4所述的微型發光元件，其特征在于，所述擴散結構于所述主動層上的正投影面積大于所述第一接觸層于所述主動層上的正投影面積。
6.根據權利要求1所述的微型發光元件，其特征在于，還包括：
7.根據權利要求6所述的微型發光元件，其特征在于，所述第一型半導體層、所述主動層以及所述第二型半導體層的第一部分構成平臺，所述第二型...
【專利技術屬性】
技術研發人員：鄭汶均，彭宥箖，羅子元，彭琬容，蔡百揚，陳飛宏，林京亮，
申請(專利權)人：錼創顯示科技股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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