【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及氧化鋯瓷塊燒結(jié)領(lǐng)域，尤其是一種基于連續(xù)窯的氧化鋯瓷塊燒結(jié)的控溫方法。
技術(shù)介紹
1、氧化鋯瓷塊非常廣泛的應(yīng)用于牙科領(lǐng)域，主要用于制作烤瓷牙、牙齒貼面以及嵌體等。這些應(yīng)用主要是基于氧化鋯瓷塊的高美學(xué)效果、低收縮性、高抗壓強度、極高的耐磨性以及優(yōu)異的生物安全性等特點。在現(xiàn)有制備氧化鋯瓷塊的技術(shù)中，先是利用氧化鋯粉體壓制成氧化鋯餅料，之后再對氧化鋯餅料進(jìn)行燒制而成；目前，一般是通過推板窯對其進(jìn)行熱處理，在熱處理的過程中，將氧化鋯餅料逐漸推入并通過推板窯的內(nèi)部，利用推板窯的運行進(jìn)行穩(wěn)定的加熱，在熱處理過程中，經(jīng)常會存在控溫不好而造成的氧化鋯瓷塊的開裂和變形，還會影響到其致密度和強度，成品質(zhì)量不高。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、針對現(xiàn)有的不足，本專利技術(shù)提供一種基于連續(xù)窯的氧化鋯瓷塊燒結(jié)的控溫方法。
2、本專利技術(shù)解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是：一種基于連續(xù)窯的氧化鋯瓷塊燒結(jié)的控溫方法，將連續(xù)窯的窯爐從前端至后端依次劃分為第一預(yù)熱區(qū)、第一保溫區(qū)、第二預(yù)熱區(qū)、第三預(yù)熱區(qū)、燒成區(qū)和冷卻區(qū)；
3、所述第一預(yù)熱區(qū)的溫度為300±15℃，其升溫速率為20-23℃/h，其長度占連續(xù)窯窯爐長度的10-11％；
4、所述第一保溫區(qū)的溫度為300±15℃，其長度占連續(xù)窯窯爐長度的1-1.3％；
5、所述第二預(yù)熱區(qū)的溫度為800±50℃，其升溫速率為14-20℃/h，其長度占連續(xù)窯窯爐長度的30-40％；
6、所述第三預(yù)熱區(qū)的溫度為950±50℃
7、所述燒成區(qū)的溫度為1000-1080℃，其長度占連續(xù)窯窯爐長度的10-11％；
8、所述冷卻區(qū)的冷卻速率是38-60℃/h，其長度占連續(xù)窯窯爐長度的9-10％；
9、所述連續(xù)窯對應(yīng)于每米長的窯爐的推進(jìn)速度為0.013±0.002m/h。
10、作為優(yōu)選，所述第一預(yù)熱區(qū)、第二預(yù)熱區(qū)和第三預(yù)熱區(qū)在各自預(yù)熱區(qū)中還都劃分有多個子預(yù)熱區(qū)，且對應(yīng)于同一個預(yù)熱區(qū)中的多個子預(yù)熱區(qū)從前端至后端的溫度以一定的溫差值依次上升。
11、作為優(yōu)選，所述第一預(yù)熱區(qū)的溫度從100-120℃升溫至300±15℃；所述第二預(yù)熱區(qū)的溫度從300±15℃升溫至800±50℃；所述第三預(yù)熱區(qū)的溫度從800±50℃升溫至950±50℃。
12、作為優(yōu)選，所述第一預(yù)熱區(qū)中各個子預(yù)熱區(qū)的溫差范圍是70±10℃；所述第二預(yù)熱區(qū)中各個子預(yù)熱區(qū)的溫差范圍是45±10℃；所述第三預(yù)熱區(qū)中各個子預(yù)熱區(qū)的溫差范圍是60±10℃。
13、作為優(yōu)選，所述燒成區(qū)中從前端至后端依次劃分有升溫區(qū)和第二保溫區(qū)，所述升溫區(qū)的升溫速率20-25℃/h，其長度占燒成區(qū)長度的1/3。
14、作為優(yōu)選，所述冷卻區(qū)中從前端至后端依次劃分有多個子冷卻區(qū)，多個所述子冷卻區(qū)的冷卻速率從兩端向中間逐漸降低。
15、作為優(yōu)選，所述連續(xù)窯的窯爐在第一預(yù)熱區(qū)前還設(shè)置有前緩沖區(qū)，在冷卻區(qū)后還設(shè)置有后緩沖區(qū)；所述前緩沖區(qū)的長度占連續(xù)窯窯爐長度的3-3.5％；所述后緩沖區(qū)的長度占連續(xù)窯窯爐長度的13-15％。
16、作為優(yōu)選，所述連續(xù)窯的窯爐長21m，所述連續(xù)窯的推進(jìn)速度是0.27m/h。
17、本專利技術(shù)的有益效果在于：該專利技術(shù)在連續(xù)窯的窯爐內(nèi)分設(shè)了多個預(yù)熱區(qū)，并在預(yù)熱區(qū)之間還設(shè)置保溫區(qū)，同時還通過各區(qū)的不同升溫速率，確保了氧化鋯餅料受熱更均勻，避免了過高的溫差，能很精確的控制連續(xù)窯各個分區(qū)中的溫度，解決了受熱不均的問題，提高了成品的質(zhì)量。
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1.一種基于連續(xù)窯的氧化鋯瓷塊燒結(jié)的控溫方法，其特征在于：將連續(xù)窯的窯爐從前端至后端依次劃分為第一預(yù)熱區(qū)、第一保溫區(qū)、第二預(yù)熱區(qū)、第三預(yù)熱區(qū)、燒成區(qū)和冷卻區(qū)；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述基于連續(xù)窯的氧化鋯瓷塊燒結(jié)的控溫方法，其特征在于:所述第一預(yù)熱區(qū)、第二預(yù)熱區(qū)和第三預(yù)熱區(qū)在各自預(yù)熱區(qū)中還都劃分有多個子預(yù)熱區(qū)，且對應(yīng)于同一個預(yù)熱區(qū)中的多個子預(yù)熱區(qū)從前端至后端的溫度以一定的溫差值依次上升。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述基于連續(xù)窯的氧化鋯瓷塊燒結(jié)的控溫方法，其特征在于:所述第一預(yù)熱區(qū)的溫度從100-120℃升溫至300±15℃；所述第二預(yù)熱區(qū)的溫度從300±15℃升溫至800±50℃；所述第三預(yù)熱區(qū)的溫度從800±50℃升溫至950±50℃。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述基于連續(xù)窯的氧化鋯瓷塊燒結(jié)的控溫方法，其特征在于:所述第一預(yù)熱區(qū)中各個子預(yù)熱區(qū)的溫差范圍是70±10℃；所述第二預(yù)熱區(qū)中各個子預(yù)熱區(qū)的溫差范圍是45±10℃；所述第三預(yù)熱區(qū)中各個子預(yù)熱區(qū)的溫差范圍是60±10℃。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述基于連續(xù)窯的氧化鋯瓷塊燒結(jié)的控溫方法，其特征在
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述基于連續(xù)窯的氧化鋯瓷塊燒結(jié)的控溫方法，其特征在于:所述冷卻區(qū)中從前端至后端依次劃分有多個子冷卻區(qū)，多個所述子冷卻區(qū)的冷卻速率從兩端向中間逐漸降低。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述基于連續(xù)窯的氧化鋯瓷塊燒結(jié)的控溫方法，其特征在于:所述連續(xù)窯的窯爐在第一預(yù)熱區(qū)前還設(shè)置有前緩沖區(qū)，在冷卻區(qū)后還設(shè)置有后緩沖區(qū)；所述前緩沖區(qū)的長度占連續(xù)窯窯爐長度的3-3.5％；所述后緩沖區(qū)的長度占連續(xù)窯窯爐長度的13-15％。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述基于連續(xù)窯的氧化鋯瓷塊燒結(jié)的控溫方法，其特征在于:所述連續(xù)窯的窯爐長21m，所述連續(xù)窯的推進(jìn)速度是0.27m/h。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種基于連續(xù)窯的氧化鋯瓷塊燒結(jié)的控溫方法，其特征在于：將連續(xù)窯的窯爐從前端至后端依次劃分為第一預(yù)熱區(qū)、第一保溫區(qū)、第二預(yù)熱區(qū)、第三預(yù)熱區(qū)、燒成區(qū)和冷卻區(qū)；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述基于連續(xù)窯的氧化鋯瓷塊燒結(jié)的控溫方法，其特征在于:所述第一預(yù)熱區(qū)、第二預(yù)熱區(qū)和第三預(yù)熱區(qū)在各自預(yù)熱區(qū)中還都劃分有多個子預(yù)熱區(qū)，且對應(yīng)于同一個預(yù)熱區(qū)中的多個子預(yù)熱區(qū)從前端至后端的溫度以一定的溫差值依次上升。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述基于連續(xù)窯的氧化鋯瓷塊燒結(jié)的控溫方法，其特征在于:所述第一預(yù)熱區(qū)的溫度從100-120℃升溫至300±15℃；所述第二預(yù)熱區(qū)的溫度從300±15℃升溫至800±50℃；所述第三預(yù)熱區(qū)的溫度從800±50℃升溫至950±50℃。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述基于連續(xù)窯的氧化鋯瓷塊燒結(jié)的控溫方法，其特征在于:所述第一預(yù)熱區(qū)中各個子預(yù)熱區(qū)的溫差范圍是70±10℃；所述第二預(yù)熱區(qū)中各個子預(yù)熱區(qū)的溫差范圍是45±10℃...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：李宗育，劉威，張宇，張旭，楊慶，劉建君，
申請(專利權(quán))人：深圳玉汝成口腔材料有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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