一種基于鋁帶鍵合的分立器件制造技術(shù)

本技術(shù)提供一種基于鋁帶鍵合的分立器件，涉及半導(dǎo)體功率器件封裝技術(shù)領(lǐng)域，包括：散熱框架，所述散熱框架的頂部焊接有若干功率芯片，各所述功率芯片之間以及所述功率芯片的表面和所述散熱框架的引腳之間通過鋁帶鍵合電性連接；外殼，所述散熱框架和各所述功率芯片封裝于所述外殼的內(nèi)部，所述散熱框架的底部和所述引腳從所述外殼露出。有益效果是各功率芯片之間以及功率芯片的表面和散熱框架的引腳之間通過鋁帶鍵合電性連接；并且使用了超聲波焊接技術(shù)及鍵合鋁帶，大大提高了可靠性和過電流能力。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

本技術(shù)涉及半導(dǎo)體功率器件封裝，尤其涉及一種基于鋁帶鍵合的分立器件。

技術(shù)介紹

1、隨著分立器件在變頻器、焊接、光伏逆變、風(fēng)力逆變與汽車領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛，對于分立器件來說，對于電流等級、輸出效率、散熱方面、可靠性的要求也越開越嚴(yán)苛。

2、在一般分立器件封裝工藝中，一般都使用鋁線鍵合或銅線鍵合，分立器件用于功率電子電路上，具有一系列電壓和電流等級，以適應(yīng)不同的場合或行業(yè)應(yīng)用，鋁線鍵合和銅線鍵合滿足不了大電流的載流能力，且半導(dǎo)體芯片的熱膨脹系數(shù)和鍵合線的熱膨脹系數(shù)相差較大，分立器件在長期使用過程中最容易產(chǎn)生的失效是鍵合點(diǎn)與芯片表面脫離，所以為了提高它的載流能力、可靠性和降低損耗，有些公司已經(jīng)在分立器件中使用鋁帶鍵合。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，本技術(shù)提供一種基于鋁帶鍵合的分立器件，包括：

2、散熱框架，所述散熱框架的頂部焊接有若干功率芯片，各所述功率芯片之間以及所述功率芯片的表面和所述散熱框架的引腳之間通過鋁帶鍵合電性連接；

3、外殼，所述散熱框架和各所述芯片封裝于所述外殼的內(nèi)部，所述散熱框架的底部和所述引腳從所述外殼露出。

4、優(yōu)選的，所述散熱框架包括：

5、金屬散熱板，所述金屬散熱板的一端設(shè)有多個所述引腳。

6、優(yōu)選的，所述金屬散熱板的底部從所述外殼的底部露出，并且與所述外殼的底部平齊；

7、各所述引腳從所述外殼的一側(cè)露出。

8、優(yōu)選的，所述功率芯片包括絕緣柵雙極型晶體管芯片及二極管芯片；

9、所述絕緣柵雙極型晶體管芯片和所述二極管芯片焊接于所述散熱框架的頂部；

10、所述絕緣柵雙極型晶體管芯片的表面和所述二極管芯片的表面之間通過所述鋁帶鍵合電氣連接；

11、所述絕緣柵雙極型晶體管芯片的表面和所述二極管芯片的表面與所述引腳之間通過鋁帶鍵合電氣連接。

12、優(yōu)選的，所述的鋁帶為軟態(tài)鋁帶。

13、優(yōu)選的，所述鋁帶的最高點(diǎn)與所述外殼的頂部之間的間隔為2-5mm。

14、上述技術(shù)方案具有如下優(yōu)點(diǎn)或有益效果：各功率芯片之間以及功率芯片的表面和散熱框架的引腳之間通過鋁帶鍵合電性連接；并且使用了超聲波焊接技術(shù)，大大提高了可靠性和過電流能力。

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【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】

1.一種基于鋁帶鍵合的分立器件，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分立器件，其特征在于，所述散熱框架包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的分立器件，其特征在于，所述金屬散熱板的底部從所述外殼的底部露出，并且與所述外殼的底部平齊；

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分立器件，其特征在于，所述功率芯片包括絕緣柵雙極型晶體管芯片及二極管芯片；

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分立器件，其特征在于，所述的鋁帶為軟態(tài)鋁帶。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分立器件，其特征在于，所述鋁帶的最高點(diǎn)與所述外殼的頂部之間的間隔為2-5mm。

【技術(shù)特征摘要】

1.一種基于鋁帶鍵合的分立器件，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分立器件，其特征在于，所述散熱框架包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的分立器件，其特征在于，所述金屬散熱板的底部從所述外殼的底部露出，并且與所述外殼的底部平齊；

4.根據(jù)權(quán)利要...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：駱鵬山，
申請(專利權(quán))人：浙江谷藍(lán)電子科技有限公司，
類型：新型
國別省市：