【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體，具體提供一種合成射流激勵器、mems裝置以及合成射流激勵器的制備方法。
技術介紹
1、伴隨著微電子產品的集成化和小型化技術的迅猛發展，電子元器件正朝著高性能、小型化、長壽命的方向演進，微電子產品的系統集成度不斷提高，散熱問題已成為許多高新
發展的重大瓶頸。目前，一些微系統的熱流密度已高達106-107w/m2。尤其是大功率電子元件，其散熱需求更為迫切。微型化、耗能和散熱問題已成為制約芯片性能高速發展的主要障礙。
2、信息產業作為經濟發展的核心動力，各種新型高功率熱流密度器件層出不窮，大幅提升了產值。然而，電子器件單位體積內熱耗散量的增加導致溫度升高，進而引發系統可靠性與安全性的問題，嚴重阻礙了元器件的進一步發展。因此，散熱技術逐漸成為電力電子應用領域研究的焦點。隨著元器件向著高性能和緊湊化方向發展，對有效散熱的需求也在不斷提升，并且這種需求將在未來愈加重要。因此，開發高效的冷卻系統和高性能熱控制技術已成為當前亟待解決的問題。
3、目前，傳統的散熱技術如風冷式翅片散熱器、熱管、液冷等，在低重量和小體積方面面臨天然的限制，難以滿足微型化和高集成度的發展要求。
4、微機電系統(micro-electro-mechanical?system，簡稱mems)是一種在毫米、微米甚至納米級尺度下，將微電子和微機械技術相結合的先進工業技術，以實現高精度、高集成度等要求。作為mems中最重要的細分領域之一，合成射流激勵器(synthetic?jetactuator，sja)在微機電系
5、然而，現有的合成射流換熱裝置，主要采用機械組裝方式，包括蓋板、壓電振子、腔體、出口板等組件，但在低重量和小體積方面仍存在不足，難以滿足微型化處理功能器件的需求。相應地，本領域需要一種新的合成射流激勵器方案來解決上述問題。
技術實現思路
1、本專利技術旨在解決上述技術問題，即，解決現有合成射流激勵器難以微型化的問題。
2、在第一方面，本專利技術提供一種合成射流激勵器，包括：
3、第一玻璃基板，包括第一側壁和由所述第一側壁圍繞的腔體，其中所述腔體具有第一開口；
4、振膜，設置在所述第一玻璃基板與所述第一開口相對的一側，包括與所述第一開口相對的第二開口；
5、壓電振子，設置在所述振膜遠離所述第一玻璃基板的表面上。
6、在上述合成射流激勵器的一個技術方案中，所述振膜包括：
7、自所述第一側壁向所述腔體方向延伸的懸臂結構；
8、設置于所述懸臂結構上的第一電極；
9、設置于所述第一電極上的介質結構。
10、在上述合成射流激勵器的一個技術方案中，還包括:
11、設置于所述振膜遠離所述第一玻璃基板的表面上第二電極，為所述壓電振子供電。
12、在上述合成射流激勵器的一個技術方案中，所述懸臂結構的材料為聚酰亞胺。
13、在上述合成射流激勵器的一個技術方案中，所述第一玻璃基板還包括自所述第一側壁向所述腔體方向延伸的延伸部，所述延伸部構成所述懸臂結構。
14、在上述合成射流激勵器的一個技術方案中，
15、所述第一電極的材料為cu或mo；
16、所述第二電極的材料為ag。
17、在上述合成射流激勵器的一個技術方案中，還包括：
18、第一導熱層，至少設置于所述第一側壁臨近所述腔體的表面上。
19、在上述合成射流激勵器的一個技術方案中，還包括：
20、第二玻璃基板，包括第二側壁以及由所述第二側壁圍繞的至少一個貫通孔；
21、第二導熱層，至少設置于所述第二側壁上，
22、其中，所述第二玻璃基板設置于所述第一玻璃基板的第一開口側。
23、在上述合成射流激勵器的一個技術方案中，所述第二導熱層包覆所述第二玻璃基板的表面。
24、在上述合成射流激勵器的一個技術方案中，所述第二導熱層還填充所述貫通孔。
25、在第二方面，本申請提供一種mems裝置，包括：
26、陣列排布的根據上述任一技術方案中的合成射流激勵器；
27、沿第一方向的第一金屬走線；以及
28、沿第二方向的第二金屬走線，
29、其中所述合成射流激勵器由第一電極和第二電極供電，在第一方向上相鄰合成射流激勵器的第一電極由第一金屬走線串聯連接，在第二方向上相鄰合成射流激勵器的第二電極由第二金屬走線串聯連接。
30、在第三方面，本申請提供一種合成射流激勵器的制備方法，包括：
31、在第一玻璃基板一側形成振膜，其中所述振膜包括第二開口；
32、在第一玻璃基板與所述振膜的開口相對的一側形成腔體，其中所述腔體由所述第一玻璃基板的第一側壁圍繞并且所述腔體具有與所述第二開口相對的第一開口；
33、在所述振膜遠離所述第一玻璃基板的表面上形成壓電振子。
34、在上述合成射流激勵器的制備方法的一個技術方案中，所述方法還包括：在所述振膜遠離所述第一玻璃基板的表面上形成第二電極，為所述壓電振子供電。
35、在上述合成射流激勵器的制備方法的一個技術方案中，所述方法還包括：
36、形成第二玻璃基板，其中所述第二玻璃基板被形成為包括第二側壁以及由所述第二側壁圍繞的至少一個貫通孔；
37、形成導熱層，至少設置于所述第二側壁上；
38、將所述第一玻璃基板和第二玻璃基板接合，其中所述第二玻璃基板位于所述第一玻璃基板的第一開口側。
39、在采用上述技術方案的情況下，本專利技術能夠提供微型化的合成射流激勵器，以滿足mems裝置的散熱需求。
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1.一種合成射流激勵器，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的合成射流激勵器，其特征在于，所述振膜包括：
3.根據權利要求2所述的合成射流激勵器，其特征在于，還包括:
4.根據權利要求2所述的合成射流激勵器，其特征在于，所述懸臂結構的材料為聚酰亞胺。
5.根據權利要求2所述的合成射流激勵器，其特征在于，所述第一玻璃基板還包括自所述第一側壁向所述腔體方向延伸的延伸部，所述延伸部構成所述懸臂結構。
6.根據權利要求3所述的合成射流激勵器，其特征在于，
7.根據權利要求1所述的合成射流激勵器，其特征在于，還包括：
8.根據權利要求1-7中任一項所述的合成射流激勵器，其特征在于，還包括：
9.根據權利要求8所述的合成射流激勵器，其特征在于，所述第二導熱層包覆所述第二玻璃基板的表面。
10.根據權利要求9所述的合成射流激勵器，其特征在于，所述第二導熱層還填充所述貫通孔。
11.一種MEMS裝置，其特征在于，包括：
12.一種合成射流激勵器的制備方法，其特
13.根據權利要求12所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：在所述振膜遠離所述第一玻璃基板的表面上形成第二電極，為所述壓電振子供電。
14.根據權利要求12或13所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
...【技術特征摘要】
1.一種合成射流激勵器，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的合成射流激勵器，其特征在于，所述振膜包括：
3.根據權利要求2所述的合成射流激勵器，其特征在于，還包括:
4.根據權利要求2所述的合成射流激勵器，其特征在于，所述懸臂結構的材料為聚酰亞胺。
5.根據權利要求2所述的合成射流激勵器，其特征在于，所述第一玻璃基板還包括自所述第一側壁向所述腔體方向延伸的延伸部，所述延伸部構成所述懸臂結構。
6.根據權利要求3所述的合成射流激勵器，其特征在于，
7.根據權利要求1所述的合成射流激勵器，其特征在于，還包括：
8.根據權利要求...
【專利技術屬性】
技術研發人員：劉文渠，侯東飛，張鋒，岳陽，孟德天，董立文，呂志軍，崔釗，
申請(專利權)人：京東方科技集團股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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