【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本申請涉及光伏，特別是涉及一種太陽電池的制備方法、太陽電池。
技術(shù)介紹
1、背接觸電池是一種用于提高電池效率的太陽電池結(jié)構(gòu)，其核心設(shè)計在于將太陽電池的所有金屬電極放置在電池片的背面，從而保證電池的正面不受金屬柵線遮擋，進而可以提高電池吸收太陽光的面積，減少光學(xué)損失，提升光電轉(zhuǎn)換效率。
2、背接觸太陽電池中，發(fā)射極全部放于電池背面，且由兩種不同類型的摻雜區(qū)交替組成，導(dǎo)致了背接觸太陽電池的制備工藝較為復(fù)雜。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、基于此，有必要提供一種太陽電池的制備方法、太陽電池。本申請的太陽電池的制備方法能夠通過較少的工藝步驟實現(xiàn)較好的背接觸太陽電池的制備效果。
2、第一方面，本申請?zhí)峁┮环N太陽電池的制備方法，包括如下步驟：
3、提供襯底，所述襯底具有相對設(shè)置的正面和背面；
4、在所述襯底的背面上形成凹槽；
5、在所述襯底的背面上制備依次層疊設(shè)置的隧穿氧化層和本征硅材料層；
6、所述本征硅材料層具有分別位于所述凹槽的相對的兩側(cè)的第一區(qū)域和第二區(qū)域，對所述第一區(qū)域內(nèi)的所述本征硅材料層進行摻雜得到第一摻雜硅材料層，對所述第二區(qū)域內(nèi)的所述本征硅材料層進行摻雜得到第二摻雜硅材料層，所述第一摻雜硅材料層和所述第二摻雜硅材料層的摻雜類型相反。
7、在其中一些實施方式中，對所述第一區(qū)域內(nèi)的所述本征硅材料層進行摻雜得到第一摻雜硅材料層，對所述第二區(qū)域內(nèi)的所述本征硅材料層進行摻雜得到第二摻雜硅材料層包括如下步驟：
<...【技術(shù)保護點】
1.一種太陽電池的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽電池的制備方法，其特征在于，對所述第一區(qū)域內(nèi)的所述本征硅材料層進行摻雜得到第一摻雜硅材料層，對所述第二區(qū)域內(nèi)的所述本征硅材料層進行摻雜得到第二摻雜硅材料層包括如下步驟：
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的太陽電池的制備方法，其特征在于，所述激光處理滿足如下特征中的至少一個：
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽電池的制備方法，其特征在于，對所述第一區(qū)域內(nèi)的所述本征硅材料層進行摻雜得到第一摻雜硅材料層，對所述第二區(qū)域內(nèi)的所述本征硅材料層進行摻雜得到第二摻雜硅材料層之后還包括如下步驟：
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的太陽電池的制備方法，其特征在于，所述氫等離子體處理滿足如下特征中的至少一個：
6.根據(jù)權(quán)利要求1~5任一所述的太陽電池的制備方法，其特征在于，在所述襯底的背面上形成凹槽包括如下步驟：
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的太陽電池的制備方法，其特征在于，于所述開口內(nèi)形成所述凹槽后還包括如下步驟：
8.根據(jù)權(quán)利要求1~5任一所述的太陽電池的制備方
9.一種太陽電池，其特征在于，通過權(quán)利要求1~8任一項所述的太陽電池的制備方法制備得到。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的太陽電池，其特征在于，包括具有相對設(shè)置的正面和背面的襯底，所述襯底的正面具有絨面結(jié)構(gòu)且設(shè)置有第一鈍化減反層；
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種太陽電池的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽電池的制備方法，其特征在于，對所述第一區(qū)域內(nèi)的所述本征硅材料層進行摻雜得到第一摻雜硅材料層，對所述第二區(qū)域內(nèi)的所述本征硅材料層進行摻雜得到第二摻雜硅材料層包括如下步驟：
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的太陽電池的制備方法，其特征在于，所述激光處理滿足如下特征中的至少一個：
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽電池的制備方法，其特征在于，對所述第一區(qū)域內(nèi)的所述本征硅材料層進行摻雜得到第一摻雜硅材料層，對所述第二區(qū)域內(nèi)的所述本征硅材料層進行摻雜得到第二摻雜硅材料層之后還包括如下步驟：
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的太陽電池的制備方法，其特征在于，所述氫等離子體處理滿足如下特征中的至少一個：<...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：張鵬，歐文凱，張東威，張靖，
申請(專利權(quán))人：江門普樂開瑞太陽能科技有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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