【技術實現步驟摘要】
本申請涉及晶圓拋光，尤其涉及一種用于電渦流傳感器的標定方法、厚度測量方法、裝置及化學機械拋光設備。
技術介紹
1、晶圓制造過程中會通過化學機械拋光（chemical?mechanical?polishing，cmp）對晶圓上設置的金屬薄膜表面進行平坦化處理，化學機械拋光可以通過化學機械拋光設備實現。
2、在化學機械拋光設備對晶圓進行cmp的過程中，化學機械拋光設備會帶動晶圓使其的金屬薄膜抵接在拋光墊上，并帶動晶圓相對于表面被供給有拋光液的拋光墊移動，以拋光晶圓的金屬薄膜，并且，在化學機械拋光設備對晶圓進行cmp的過程中，拋光墊遠離晶圓的一側還設置有電渦流傳感器，當在垂直于拋光墊的方向上與電渦流傳感器相對的晶圓的金屬薄膜厚度發生變化時，電渦流傳感器的輸出信號也會發生變化，因此，在獲取到電渦流傳感器的輸出信號后，可以根據該輸出信號確定標定信息，再根據預先確定的標定信息與金屬薄膜厚度的對應關系，確定當前進行cmp的晶圓的金屬薄膜厚度。
3、但是，電渦流傳感器的輸出信號是根據電渦流傳感器的信號源產生的信號而產生的，即電渦流傳感器的信號源使電渦流傳感器的線圈產生交變電磁場，該交變電磁場使電渦流傳感器產生輸出信號。然而化學機械拋光環境復雜，對電渦流傳感器的影響較大，例如，化學機械拋光設備使用一段時間后，電渦流傳感器自身老化、拋光環境溫度對線圈的影響和拋光液對線圈的影響等，會造成根據電渦流傳感器的輸出信號確定的標定信息與金屬薄膜厚度的對應關系發生變化，此時對于標定信息和金屬薄膜厚度，二者之間的實際對應關系相對于預先確定
技術實現思路
1、有鑒于此，本申請提供一種用于電渦流傳感器的標定方法、厚度測量方法、裝置及化學機械拋光設備，以至少部分解決上述問題。
2、根據本申請的第一方面，提供了一種用于電渦流傳感器的標定方法，包括：在對晶圓進行化學機械拋光前，獲取所述電渦流傳感器的信號源產生的第一激勵信號；在對晶圓進行化學機械拋光的過程中，獲取所述電渦流傳感器的所述信號源產生的第二激勵信號，并獲取所述電渦流傳感器采集到的晶圓信號；根據所述第一激勵信號和所述第二激勵信號，對所述晶圓信號進行修正，得到修正后晶圓信號；建立根據所述修正后晶圓信號確定的標定信息與預先確定的晶圓厚度之間的映射關系，以對所述電渦流傳感器進行標定。
3、根據本申請的第二方面，提供了一種厚度測量方法，包括：基于上述第一方面所述的方法，確定多個晶圓厚度與各自對應的標定信息之間的映射關系；在所述化學機械拋光設備對晶圓進行化學機械拋光前，獲取所述電渦流傳感器的信號源產生的第一激勵信號；在所述化學機械拋光設備對晶圓進行化學機械拋光的過程中，獲取所述電渦流傳感器的所述信號源產生的第二激勵信號，并獲取所述電渦流傳感器采集到的晶圓信號；根據所述第一激勵信號和所述第二激勵信號，對所述晶圓信號進行修正，得到修正后晶圓信號；根據所述修正后晶圓信號確定標定信息；根據所述標定信息與所述映射關系，確定晶圓厚度。
4、根據本申請的第三方面，提供了一種用于電渦流傳感器的標定裝置，包括：第一獲取單元，用于在對晶圓進行化學機械拋光前，獲取所述電渦流傳感器的信號源產生的第一激勵信號；第二獲取單元，用于在對晶圓進行化學機械拋光的過程中，獲取所述電渦流傳感器的所述信號源產生的第二激勵信號，并獲取所述電渦流傳感器采集到的晶圓信號；第一修正單元，用于根據所述第一激勵信號和所述第二激勵信號，對所述晶圓信號進行修正，得到修正后晶圓信號；關系確定單元，用于建立根據所述修正后晶圓信號確定的標定信息與預先確定的晶圓厚度之間的映射關系，以對所述電渦流傳感器進行標定。
5、根據本申請的第四方面，提供了一種厚度測量裝置，包括：關系獲取單元，用于基于上述第一方面所述的方法，確定多個晶圓厚度與各自對應的標定信息之間的映射關系；第三獲取單元，用于在所述化學機械拋光設備對晶圓進行化學機械拋光前，獲取所述電渦流傳感器的信號源產生的第一激勵信號；第四獲取單元，用于在所述化學機械拋光設備對晶圓進行化學機械拋光的過程中，獲取所述電渦流傳感器的所述信號源產生的第二激勵信號，并獲取所述電渦流傳感器采集到的晶圓信號；第二修正單元，用于根據所述第一激勵信號和所述第二激勵信號，對所述晶圓信號進行修正，得到修正后晶圓信號；信息確定單元，用于根據所述修正后晶圓信號確定標定信息；厚度確定單元，用于根據所述標定信息與所述映射關系，確定晶圓厚度。
6、根據本申請的第五方面，提供了一種化學機械拋光設備，包括：拋光盤、承載頭、供液裝置、電渦流傳感器和控制器；所述拋光盤的一側設置有拋光墊；所述承載頭，用于限位待拋光的晶圓，以使所述晶圓的一圓面上設置的金屬薄膜抵接在拋光墊上，并帶動所述晶圓相對于所述拋光墊運動，以對所述晶圓進行化學機械拋光；所述供液裝置，用于在對所述晶圓進行化學機械拋光的過程中向所述拋光墊供給拋光液；所述電渦流傳感器，設置在所述拋光盤上，用于對所述晶圓的厚度進行測量；所述控制器，用于執行以下處理：在對晶圓進行化學機械拋光前，獲取所述電渦流傳感器的信號源產生的第一激勵信號；在對晶圓進行化學機械拋光的過程中，獲取所述電渦流傳感器的所述信號源產生的第二激勵信號，并獲取所述電渦流傳感器采集到的晶圓信號；根據所述第一激勵信號和所述第二激勵信號，對所述晶圓信號進行修正，得到修正后晶圓信號；建立根據所述修正后晶圓信號確定的標定信息與預先確定的晶圓厚度之間的映射關系，以對所述電渦流傳感器進行標定。
7、根據本申請的第六方面，提供了一種化學機械拋光設備，包括：拋光盤、承載頭、供液裝置、電渦流傳感器和控制器；所述拋光盤的一側設置有拋光墊；所述承載頭，用于限位待拋光的晶圓，以使所述晶圓的一圓面上設置的金屬薄膜抵接在拋光墊上，并帶動所述晶圓相對于所述拋光墊運動，以對所述晶圓進行化學機械拋光；所述供液裝置，用于在對所述晶圓進行化學機械拋光的過程中向所述拋光墊供給拋光液；所述電渦流傳感器，設置在所述拋光盤上，用于對所述晶圓的厚度進行測量；所述控制器，用于執行以下處理：基于上述第一方面所述的方法，確定多個晶圓厚度與各自對應的標定信息之間的映射關系；在所述化學機械拋光設備對晶圓進行化學機械拋光前，獲取所述電渦流傳感器的信號源產生的第一激勵信號；在所述化學機械拋光設備對晶圓進行化學機械拋光的過程中，獲取所述電渦流傳感器的所述信號源產生的第二激勵信號，并獲取所述電渦流傳感器采集到的晶圓信號；根據所述第一激勵信號和所述第二激勵信號，對所述晶圓信號進行修正，得到修正后晶圓信號；根據所述修正后晶圓信號確定標定信息；根據所述標定信息與所述映射關系，確定晶圓厚度。
8、根據本申請的第七方面，提供了一種計算機存儲介質，其上存儲有計算機程序，該程序被處理器執行時實現上述第一方面所述的方法或者上述第二方面所述的方法。
9、根本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種用于電渦流傳感器的標定方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述根據所述修正后第一基值信號和所述第二基值信號，對所述晶圓信號進行修正，得到所述修正后晶圓信號，包括：
4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述根據所述第一激勵信號和所述第二激勵信號，確定所述目標修正量的公式如下：
6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述確定所述晶圓信號相對于所述第二基值信號的信號變化量的公式如下：
7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述根據所述修正后第一基值信號和所述信號變化量，確定修正后晶圓信號的公式如下：
8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述根據所述修正后晶圓信號和所述修正后第一基值信號，確定所述標定信息的公式如下：
9.一種厚度測量方法，其特征在于，包括：
10.一種用于電渦流傳感器的標定裝置，其特征在
11.一種厚度測量裝置，其特征在于，包括：
12.一種化學機械拋光設備，其特征在于，包括：拋光盤、承載頭、供液裝置、電渦流傳感器和控制器；
13.根據權利要求12所述的設備，其特征在于，所述控制器還用于執行以下處理：
14.根據權利要求13所述的設備，其特征在于，所述控制器執行的所述根據所述修正后第一基值信號和所述第二基值信號，對所述晶圓信號進行修正，得到所述修正后晶圓信號，包括：
15.根據權利要求14所述的設備，其特征在于，所述控制器還用于執行以下處理：
16.根據權利要求15所述的設備，其特征在于，所述控制器執行的所述根據所述第一激勵信號和所述第二激勵信號，確定所述目標修正量的公式如下：
17.根據權利要求16所述的設備，其特征在于，所述控制器執行的所述確定所述晶圓信號相對于所述第二基值信號的信號變化量的公式如下：
18.根據權利要求17所述的設備，其特征在于，所述控制器執行的所述根據所述修正后第一基值信號和所述信號變化量，確定修正后晶圓信號的公式如下：
19.根據權利要求18所述的設備，其特征在于，所述控制器執行的所述根據所述修正后晶圓信號和所述修正后第一基值信號，確定所述標定信息的公式如下：
20.一種化學機械拋光設備，其特征在于，包括：拋光盤、承載頭、供液裝置、電渦流傳感器和控制器；
21.一種計算機存儲介質，其特征在于，其上存儲有計算機程序，該程序被處理器執行時實現如權利要求1-8中任一項所述的方法或者如權利要求9所述的方法。
22.一種計算機程序產品，其特征在于，包括計算機指令，所述計算機指令指示計算設備執行如權利要求1-8中任一項所述的方法或者如權利要求9所述的方法。
...【技術特征摘要】
1.一種用于電渦流傳感器的標定方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述根據所述修正后第一基值信號和所述第二基值信號，對所述晶圓信號進行修正，得到所述修正后晶圓信號，包括：
4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述根據所述第一激勵信號和所述第二激勵信號，確定所述目標修正量的公式如下：
6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述確定所述晶圓信號相對于所述第二基值信號的信號變化量的公式如下：
7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述根據所述修正后第一基值信號和所述信號變化量，確定修正后晶圓信號的公式如下：
8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述根據所述修正后晶圓信號和所述修正后第一基值信號，確定所述標定信息的公式如下：
9.一種厚度測量方法，其特征在于，包括：
10.一種用于電渦流傳感器的標定裝置，其特征在于，包括：
11.一種厚度測量裝置，其特征在于，包括：
12.一種化學機械拋光設備，其特征在于，包括：拋光盤、承載頭、供液裝置、電渦流傳感器和控制器；
13.根據權利要求12所述的設備，其特征在于，所述控制器還用于執行以下處理：
14.根...
【專利技術屬性】
技術研發人員：田芳馨，路新春，王同慶，趙德文，劉杰，
申請(專利權)人：華海清科股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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