【技術實現步驟摘要】
本申請實施例涉及半導體制造，尤其涉及一種拋光過程中測量晶圓金屬薄膜厚度的方法、裝置、拋光設備和存儲介質。
技術介紹
1、在對晶圓進行化學機械拋時，通常需要通過電渦流傳感器測量晶圓表面金屬薄膜的厚度，在金屬薄膜的厚度達到預設值時，給予正確信號終止化學機械拋光過程，從而保證拋光的精度。
2、化學機械拋光過程的過程包括化學作用和機械作用兩方面的拋光作用，具體地，拋光液與晶圓之間的存在化學作用，拋光液、拋光墊和拋光頭與晶圓之間存在機械作用。而化學作用和機械作用均會導致晶圓的溫度急劇上升，導致晶圓上金屬薄膜的電阻率發生變化，進而影響電渦流傳感器測量金屬薄膜的厚度的準確性。
技術實現思路
1、有鑒于此，本申請實施例提供一種拋光過程中測量晶圓金屬薄膜厚度的方法、裝置、拋光設備和存儲介質，以至少部分解決上述問題。
2、根據本申請實施例的第一方面，提供了一種拋光過程中測量晶圓金屬薄膜厚度的方法，包括：獲取當前溫度和當前測量信號；其中，所述當前溫度用于指示當前時刻晶圓的金屬薄膜的溫度；所述當前測量信號由電渦流傳感器采集，且所述當前測量信號與所述金屬薄膜的厚度相關；根據所述當前測量信號確定所述金屬薄膜的測量厚度；根據所述當前溫度和溫度修正信息對所述測量厚度進行修正，獲得所述金屬薄膜的厚度；所述溫度修正信息用于指示所述當前溫度、所述測量厚度以及所述金屬薄膜的厚度之間的關系。
3、根據本申請實施例的第二方面，提供了一種拋光過程中測量晶圓金屬薄膜厚度的裝置，包括：獲取單元，
4、根據本申請實施例的第三方面，提供了一種化學機械拋光設備，包括：包括拋光盤、承載頭、供液裝置、電渦流傳感器、控制器和溫度傳感器；所述承載頭加載待拋光的晶圓并將其抵接于拋光盤上方的拋光墊，所述供液裝置朝向拋光墊與晶圓之間供給拋光液；所述電渦流傳感器用于采集當前測量信號；所述溫度傳感器用于檢測當前溫度，所述控制器用于執行以下步驟：獲取當前溫度和當前測量信號；其中，所述當前溫度用于指示當前時刻晶圓的金屬薄膜的溫度；所述當前測量信號由電渦流傳感器采集，且所述當前測量信號與所述金屬薄膜的厚度相關；根據所述當前測量信號確定所述金屬薄膜的測量厚度；根據所述當前溫度和溫度修正信息對所述測量厚度進行修正，獲得所述金屬薄膜的厚度；所述溫度修正信息用于指示所述當前溫度、所述測量厚度以及所述金屬薄膜的厚度之間的關系。
5、根據本申請實施例的第四方面，提供了一種計算機存儲介質，其上存儲有計算機程序，該程序被處理器執行時實現上述任一實施例所述的方法。
6、本申請實施例中，可以根據所述當前溫度和初始溫度，確定所述金屬薄膜的溫度變化差，并根據所述溫度變化差和所述溫度修正信息對所述測量厚度進行修正，獲得所述金屬薄膜的厚度。其中，根據所述當前溫度和初始溫度確定所述金屬薄膜的溫度變化差，可得到晶圓的金屬薄膜拋光過程中的溫度變化量，溫度修正信息可以指示所述溫度變化差、所述測量厚度以及所述金屬薄膜的厚度之間的關系?？梢姡鶕鰷囟茸兓詈退鰷囟刃拚畔λ鰷y量厚度進行修正，能夠基于晶圓的金屬薄膜拋光過程中的溫度變化量，對拋光過程中的溫度變化導致的測量厚度的誤差進行修正。相較于單一的溫度，例如當前溫度，溫度變化量能夠體現拋光過程中的溫度變化，即采用溫度變化差更貼近拋光過程的溫度條件。因此，根據所述溫度變化差對所述測量厚度進行修正，相較于根據單一的溫度值對所述測量厚度進行修正，能夠更準確地補償溫度變化導致的測量厚度的誤差，提高對測量厚度進行修正的效果。
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1.一種拋光過程中測量晶圓金屬薄膜厚度的方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據所述當前溫度和溫度修正信息對所述測量厚度進行修正，獲得所述金屬薄膜的厚度，包括：
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：將獲得的所述金屬薄膜的厚度與目標厚度進行對比，當所述金屬薄膜的厚度小于或等于所述目標厚度時，終止對所述金屬薄膜進行的拋光操作。
4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：當獲得的所述金屬薄膜的厚度大于所述目標厚度時，根據所述目標厚度控制對所述金屬薄膜進行的拋光操作。
5.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述溫度修正信息包括：
6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
7.根據權利要求1-6中任一項所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，若存在所述水拋階段，則在所述水拋階段之后的非水拋階段中，所述根據所述當前溫度和溫度修正信息對所述測量厚度進行修正，獲得所述金屬薄膜
9.根據權利要求1-6中任一項所述的方法，其特征在于，所述獲取當前溫度和當前測量信號，包括：
10.一種拋光過程中測量晶圓金屬薄膜厚度的裝置，其特征在于，包括：
11.一種化學機械拋光設備，其特征在于，包括：包括拋光盤、承載頭、供液裝置、電渦流傳感器、控制器和溫度傳感器；
12.根據權利要求11所述的化學機械拋光設備，其特征在于，所述根據所述當前溫度和溫度修正信息對所述測量厚度進行修正，獲得所述金屬薄膜的厚度，包括：
13.根據權利要求11所述的化學機械拋光設備，其特征在于，所述控制器執行的所述步驟還包括：
14.根據權利要求13所述的化學機械拋光設備，其特征在于，所述控制器執行的所述步驟還包括：
15.?根據權利要求12所述的化學機械拋光設備，其特征在于，所述溫度修正信息包括：
16.根據權利要求15所述的化學機械拋光設備，其特征在于，所述控制器執行的所述步驟還包括：
17.根據權利要求11-16中任一項所述的化學機械拋光設備，其特征在于，所述控制器執行的所述步驟還包括：
18.根據權利要求17所述的化學機械拋光設備，其特征在于，若存在所述水拋階段，則在所述水拋階段之后的非水拋階段中，所述根據所述當前溫度和溫度修正信息對所述測量厚度進行修正，獲得所述金屬薄膜的厚度，包括：
19.根據權利要求11所述的化學機械拋光設備，其特征在于，所述獲取當前溫度和當前測量信號，包括：
20.一種計算機存儲介質，其上存儲有計算機程序，該程序被處理器執行時實現如權利要求1-9中任一所述的方法。
...【技術特征摘要】
1.一種拋光過程中測量晶圓金屬薄膜厚度的方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據所述當前溫度和溫度修正信息對所述測量厚度進行修正，獲得所述金屬薄膜的厚度，包括：
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：將獲得的所述金屬薄膜的厚度與目標厚度進行對比，當所述金屬薄膜的厚度小于或等于所述目標厚度時，終止對所述金屬薄膜進行的拋光操作。
4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：當獲得的所述金屬薄膜的厚度大于所述目標厚度時，根據所述目標厚度控制對所述金屬薄膜進行的拋光操作。
5.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述溫度修正信息包括：
6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
7.根據權利要求1-6中任一項所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，若存在所述水拋階段，則在所述水拋階段之后的非水拋階段中，所述根據所述當前溫度和溫度修正信息對所述測量厚度進行修正，獲得所述金屬薄膜的厚度，包括：
9.根據權利要求1-6中任一項所述的方法，其特征在于，所述獲取當前溫度和當前測量信號，包括：
10.一種拋光過程中測量晶圓金屬薄膜厚度的裝置，其特征在于，包括：
11.一種化學機械...
【專利技術屬性】
技術研發人員：路新春，王同慶，田芳馨，王超，劉杰，
申請(專利權)人：華海清科股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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