【技術實現步驟摘要】
本公開涉及單晶硅制備，尤其涉及一種單晶硅制備方法、坩堝以及裝置。
技術介紹
1、隨著全球經濟的發展和對高效清潔能源的需求增長，光伏發電作為可持續發展的重要組成部分，受到了全球范圍內的高度重視和發展。單晶硅片作為光伏電池的基礎材料，其市場需求持續擴大。
2、目前市場上的硅片主要采用n型材料，通過摻雜磷來控制其導電性能。然而，磷摻雜過程中存在分凝系數小的問題，并容易受到其他雜質的影響，這導致了硅片電阻率的均勻性不佳。
3、為了解決電阻率均勻性問題，行業嘗試通過增加磁場等方式進行改進，但高昂的成本限制了該方法的應用。
技術實現思路
1、本公開所要解決的一個技術問題是：現有技術中通過增加磁場的方式減少單晶硅棒中的雜質而導致成本高昂的問題。
2、為解決上述技術問題，本公開第一方面提供一種單晶硅制備方法，其步驟如下：
3、將原料裝入至坩堝，并于拉晶爐轉換至熔體，在第一預設條件下對熔體進行處理，以使熔體中的雜質向遠離拉晶位置的方向移動，維持第一預設條件直至滿足轉換條件，從第一預設條件轉換至第二預設條件，第一預設條件的數值上均大于第二預設條件。
4、在一些實施例中，第一預設條件包括：坩堝的轉速為8-10rpm；
5、第二預設條件包括：坩堝的轉速為4-5rpm。
6、在一些實施例中，第一預設條件包括：拉晶爐的爐壓為80-120torr；
7、第二預設條件包括：拉晶爐的爐壓為6-8torr。
8
9、第一預設條件包括：加熱功率為p1＝p2(0.9-1.1)；
10、其中，p1為加熱功率，p2為引晶功率。
11、在一些實施例中，所述轉換條件包括：所述拉晶爐內溫度達到1453-1455℃，并維持所述第一預設條件30-40分鐘。
12、在一些實施例中，將原料裝入至坩堝，并于拉晶爐轉換至熔體包括：
13、將原料放入至坩堝后，待原料熔化至導流筒下筒孔尺寸時，進行二次加入原料至坩堝中。
14、本公開第二方面提供了一種坩堝，該坩堝基于本公開第一方面提供的單晶硅制備方法，其包括：
15、坩堝本體；
16、雜質收集結構，雜質收集結構設置于坩堝本體的內部，且位于坩堝本體底壁的周側。
17、在一些實施例中，坩堝包括：
18、凸起結構，凸起結構設置于坩堝本體內部，且位于坩堝本體底壁的中心位置，凸起結構的周側構成雜質收集結構。
19、在一些實施例中，凸起結構的凸起高度為坩堝本體高度的6％-10％，凸起結構的外圈半徑為坩堝本體半徑的15％-20％。
20、本公開第三方面提供了一種單晶硅制備裝置，其中包括本公開第二方面提供的坩堝。
21、本公開第二方面提供的一種單晶硅制備裝置可直接使用上述第一方面提供的坩堝，具體的實現結構可參見上述第一方面中描述的相關內容，此處不再贅述。
22、通過上述技術方案，本公開提供的單晶硅制備方法，首先將原料裝入坩堝中，并在拉晶爐中對坩堝中的原料進行熔料，使熔料轉換成熔體，隨后將拉晶爐內部環境設置為第一預設條件對熔體進行處理，維持第一預設條件直至滿足轉換條件，將拉晶爐內的第一預設條件轉換至第二預設條件。第一預設條件的數值上均大于第二預設條件。如此設置原料轉換為熔體后，處于第一預設條件的熔體中的雜質能夠向遠離拉晶位置的方向運動，使拉晶位置的雜質減少，且分散平均，有效提升了所生成單晶硅棒的電阻率，無需設置磁場，在減少雜質的同時昂貴的成本。
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1.一種單晶硅制備方法，其特征在于，其步驟如下：
2.根據權利要求1所述的單晶硅制備方法，其特征在于，
3.根據權利要求1或2所述的單晶硅制備方法，其特征在于，
4.根據權利要求3所述的單晶硅制備方法，其特征在于，
5.根據權利要求4所述的單晶硅制備方法，其特征在于，
6.根據權利要求1所述的單晶硅制備方法，其特征在于，所述將原料裝入至坩堝，并于拉晶爐轉換至熔體：
7.一種坩堝，其特征在于，所述坩堝基于所述權利要求1-6任一項所述的單晶硅制備方法，其包括：
8.根據權利要求7所述的坩堝，其特征在于，包括：
9.根據權利要求8所述的坩堝，其特征在于，
10.一種單晶硅制備裝置，其特征在于，包含權利要求9所述的坩堝。
【技術特征摘要】
1.一種單晶硅制備方法，其特征在于，其步驟如下：
2.根據權利要求1所述的單晶硅制備方法，其特征在于，
3.根據權利要求1或2所述的單晶硅制備方法，其特征在于，
4.根據權利要求3所述的單晶硅制備方法，其特征在于，
5.根據權利要求4所述的單晶硅制備方法，其特征在于，
6.根據權利要求1所述的單晶硅制備...
【專利技術屬性】
技術研發人員：楊登文，楊武斌，劉振剛，付世尊，吳曉輝，張弛，
申請(專利權)人：新疆新晶科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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