【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及成像設備，具體涉及一種開放式磁共振成像系統。
技術介紹
1、磁共振成像(mri)技術自20世紀70年代以來已經發展成為成像領域中的一項重要技術。mri利用氫原子核在強磁場中的磁共振效應，通過發射和接收射頻脈沖來產生圖像，能夠提供高分辨率的內部結構信息。磁共振技術在多個領域展現出重要價值。在材料科學中，核磁共振(nmr)用于分子結構研究，確定分子的化學結構和動力學信息；在地球物理學中，核磁共振測井技術用于地下水資源的探測和評價；在工業檢測方面，磁共振技術用于非破壞性檢測(ndt)，如檢測材料內部的缺陷和應力分布情況；在生物學和生物化學中，磁共振技術用于研究生物大分子的結構和功能。因其無創、無輻射、高對比度和多參數成像的特點，mri在醫學和人體檢測中尤為重要，能夠提供詳細的人體內部結構信息，為臨床診斷和治療提供重要依據。現有的mri系統主要有兩種磁體配置：一種是如圖1所示的封閉式mri系統：采用大型滾筒形封閉超導磁體。該類系統磁場強度高，范圍可從1.5t至5t，甚至更高；通過磁體內部孔洞進行成像，均勻場直徑一般在40至50厘米之間，為精確成像提供條件。另一種是如圖2所示的開放式mri系統：由兩個相對極性的磁體構成，磁體末端相互靠近，間隔一定距離(50cm到85cm不等)，利用這個間隔區域成像。該類系統磁場強度低，但提供了較為開放的空間，不僅可避免受檢對象幽閉恐懼的問題，還適合對操作空間有較高需求的臨床應用。
2、然而，現有開放式mri系統由于其幾何結構設計和磁力線分布的復雜性，成像區域在磁場強度、均勻性和成
技術實現思路
1、本專利技術的目的在于提供一種開放式磁共振成像系統，以解決上述
技術介紹
中存在的至少一項技術問題。
2、為了實現上述目的，本專利技術采取了如下技術方案：
3、本專利技術提供一種開放式磁共振成像系統，包括：
4、兩個相對設置、側面靠近并間隔一定距離排列的磁共振成像單元，所述磁共振成像單元包括外殼和布置在外殼內的磁共振成像磁體；
5、供電系統，所述供電系統包括用于向磁共振成像磁體提供電能的電纜；所述電纜連接至所述外殼內的磁共振成像磁體；
6、冷卻系統，所述冷卻系統包括用于傳送冷卻劑的流體導管，冷卻劑用于冷卻磁共振成像磁體；所述流體導管連接至所述外殼內的磁共振成像磁體。
7、進一步的，通過調節兩個磁共振成像單元之間的距離，實現多種場強模式；其中，當磁體產生低于預設磁場強度的靜態磁場時，為低場強工作模式；當磁體產生不低于預設磁場強度的靜態磁場時，為高場強工作模式。
8、可選的，兩個所述磁共振成像單元分別安裝在一對可相對或相向移動的滑動底座上。
9、進一步的，兩個滑動底座可進行對稱于磁間隙分隔的水平移動，將兩個磁共振成像單元靠近或分離，從而調整兩個磁共振成像單元之間的距離。
10、進一步的，所述滑動底座可滑動設于基座上，所述基座上設有臺架，所述臺架位于兩個磁共振成像單元形成的磁間隙內；所述臺架上安裝有受檢對象支撐單元。
11、進一步的，還包括主控系統，所述主控系統連接驅動所述滑動底座平行運動的驅動機構。
12、可選的，兩個所述磁共振成像單元安裝在垂直相對的兩個支架上。
13、進一步的，底部的支架固定一個磁共振成像單元靜止不動，上部的支架可帶動另一個磁共振成像單元在豎直方向上垂直升降，將兩個磁共振成像單元靠近或分離，從而調整兩個磁共振成像單元之間的距離。
14、進一步的，還包括主控系統，所述主控系統連接驅動所述上部的支架垂直升降的驅動機構。
15、可選的，所述磁共振成像磁體的形狀近似為弧形或者矩形。
16、本專利技術有益效果：
17、1、提高均勻區場強：本專利技術通過優化單磁體設計和磁力線的矢量疊加，顯著增強了均勻區的磁場強度。兩個磁體的外側磁場在中心成像區域重疊后，減少了邊緣效應引起的彎曲和分散現象，提高了均勻區內的磁場強度(如從0.5t提升到1.2t)，確保了更高的成像精度和質量。
18、2、擴大均勻區范圍：在相同單磁體強度的情況下，本專利技術通過兩個磁體的外側磁場合成一個均勻的中心磁場，顯著擴大了均勻磁場區域。相較于現有開放式mri系統中勻場直徑較小(約30cm到40cm)的限制，本專利技術提供了更大的成像區域勻場直徑(約50cm到70cm)，提高了成像的整體效果。
19、3、增強成像范圍：本專利技術的設計使得成像區域的磁場覆蓋范圍更大，能夠滿足大成像范圍的需求。這一改進相對于現有系統中成像范圍受限的問題，提供了更全面的診斷能力，適用于更廣泛的臨床應用場景。
20、本專利技術附加的方面和優點將在下面的描述中部分給出，這些將從下面的描述中變得明顯，或通過本專利技術的實踐了解到。
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1.一種開放式磁共振成像系統，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的開放式磁共振成像系統，其特征在于，通過調節兩個磁共振成像單元(1)之間的距離，實現多種場強模式；其中，當磁體產生低于預設磁場強度的靜態磁場時，為低場強工作模式；當磁體產生不低于預設磁場強度的靜態磁場時，為高場強工作模式。
3.根據權利要求2所述的開放式磁共振成像系統，其特征在于，兩個所述磁共振成像單元(1)分別安裝在一對可相對或相向移動的滑動底座(2)上。
4.根據權利要求3所述的開放式磁共振成像系統，其特征在于，兩個滑動底座(2)可進行對稱于磁間隙分隔的水平移動，將兩個磁共振成像單元(1)靠近或分離，從而調整兩個磁共振成像單元(1)之間的距離。
5.根據權利要求4所述的開放式磁共振成像系統，其特征在于，所述滑動底座可滑動設于基座(4)上，所述基座(4)上設有臺架(5)，所述臺架(5)位于兩個磁共振成像單元(1)形成的磁間隙內；所述臺架上安裝有受檢對象支撐單元。
6.根據權利要求5所述的開放式磁共振成像系統，其特征在于，還包括主控系統，所述主控系統
7.根據權利要求2所述的開放式磁共振成像系統，其特征在于，兩個所述磁共振成像單元(1)安裝在垂直相對的兩個支架(3)上。
8.根據權利要求7所述的開放式磁共振成像系統，其特征在于，底部的支架固定一個磁共振成像單元靜止不動，上部的支架可帶動另一個磁共振成像單元在豎直方向上垂直升降，將兩個磁共振成像單元靠近或分離，從而調整兩個磁共振成像單元之間的距離。
9.根據權利要求8所述的開放式磁共振成像系統，其特征在于，還包括主控系統，所述主控系統連接驅動所述上部的支架垂直升降的驅動機構。
10.根據權利要求3-9任一項所述的開放式磁共振成像系統，其特征在于，所述磁共振成像磁體的形狀近似為弧形或者矩形。
...【技術特征摘要】
1.一種開放式磁共振成像系統，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的開放式磁共振成像系統，其特征在于，通過調節兩個磁共振成像單元(1)之間的距離，實現多種場強模式；其中，當磁體產生低于預設磁場強度的靜態磁場時，為低場強工作模式；當磁體產生不低于預設磁場強度的靜態磁場時，為高場強工作模式。
3.根據權利要求2所述的開放式磁共振成像系統，其特征在于，兩個所述磁共振成像單元(1)分別安裝在一對可相對或相向移動的滑動底座(2)上。
4.根據權利要求3所述的開放式磁共振成像系統，其特征在于，兩個滑動底座(2)可進行對稱于磁間隙分隔的水平移動，將兩個磁共振成像單元(1)靠近或分離，從而調整兩個磁共振成像單元(1)之間的距離。
5.根據權利要求4所述的開放式磁共振成像系統，其特征在于，所述滑動底座可滑動設于基座(4)上，所述基座(4)上設有臺架(5)，所述臺架(5)位于兩個磁共振成像單元(1)...
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