【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及晶體制造，更具體地，涉及一種用于單晶爐的防濺裝置。
技術介紹
1、相關技術中，單晶體制造所需的硅料內含氫量偏高，硅料在受熱熔化過程中會出現氫跳現象，容易造成硅液濺出，使得硅液吸附在水冷屏上，降低了單晶體生產的成晶率，影響生產工序。
2、參見相關技術文件cn202111642121.2，公開了水冷屏的下端設置圓環形護套，圓環形護套與水冷屏的下端連接，通過水冷屏和圓環形護套固定在石英坩堝上方，避免水冷屏高溫熔斷或爆裂，且能夠延伸水冷屏的長度，延伸水冷屏的熱折射，有效保證單晶爐內良好的溫度梯度。
3、此單晶爐主要通過圓環形護套延伸水冷屏的長度以避免水冷屏高溫熔斷或爆裂，但是這種方式仍然會發生硅料的氫跳現象，易造成硅液吸附在水冷屏上，降低了晶體生產的成晶率，影響生產工序。
技術實現思路
1、本專利技術旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一。為此，本專利技術的一個目的在于提出一種用于單晶爐的防濺裝置，所述用于單晶爐的防濺裝置能夠確保水冷屏的正常使用，且提高單晶體的成晶率與生產質量。
2、根據本專利技術實施例的用于單晶爐的防濺裝置，包括：所述單晶爐包括坩堝和設于所述坩堝上方的水冷屏，所述水冷屏為環形，所述防濺裝置包括：防護件，所述防護件可拆卸地設于所述水冷屏內，所述防護件形成為環形且至少覆蓋所述水冷屏的靠近所述坩堝的一端的內周壁。
3、根據本專利技術實施例的用于單晶爐的防濺裝置，通過防護件可拆卸地設于水冷屏內，防護件形成為環形且至
4、另外，根據本專利技術上述實施例的用于單晶爐的防濺裝置還可以具有如下附加的技術特征：
5、根據本專利技術一些實施例的用于單晶爐的防濺裝置，所述水冷屏的內周壁包括傾斜段，所述傾斜段形成為環形，在從下至上的方向上，所述傾斜段朝向遠離所述水冷屏中軸線的方向傾斜延伸，所述防護件包括：抵接部，所述抵接部形成為環形，在從下至上的方向上，所述抵接部朝向所述水冷屏的徑向向外的方向傾斜延伸以與所述水冷屏的內周壁相抵。
6、根據本專利技術的一些實施例，所述水冷屏的內周壁還包括直筒段，所述直筒段形成為環形，所述直筒段的上端與所述傾斜段的下端連接，所述直筒段在上下方向上內徑相同，所述防護件還包括：第一直筒部，所述第一直筒部形成為環形，所述第一直筒部的上端與所述抵接部的下端連接，所述第一直筒部在上下方向上外徑相同，所述第一直筒部位于所述直筒段內。
7、根據本專利技術的一些實施例，所述防護件還包括：第二直筒部，所述第二直筒部形成為環形，所述第二直筒部的下端與所述抵接部的上端連接，所述第二直筒部在上下方向上內徑相同。
8、根據本專利技術的一些實施例，所述單晶爐包括籽晶繩，所述防濺裝置還包括：提拉組件，所述提拉組件包括吊桿組件，所述吊桿組件的上端與所述籽晶繩連接，所述吊桿組件適于沿上下方向可移動地穿設于所述水冷屏內以將所述防護件放置于所述水冷屏內，所述吊桿組件與所述防護件可拆卸地連接。
9、根據本專利技術的一些實施例，所述防護件的內周壁上設有連接部，所述吊桿組件包括固定件和設于所述固定件上的配合段，所述固定件的上端與所述籽晶繩連接，所述配合段的一端與所述固定件連接，所述配合段的另一端朝向所述固定件的徑向向外的方向延伸，所述連接部為沿所述防護件的周向方向間隔設置的多個，所述配合段為沿所述固定件的周向方向間隔設置的多個，多個所述配合段與多個所述連接部可拆卸地連接。
10、根據本專利技術的一些實施例，所述固定件形成為沿上下方向延伸的桿狀結構。
11、根據本專利技術的一些實施例，所述固定件形成為加料筒，所述配合段的一端與所述加料筒的外周壁連接。
12、根據本專利技術的一些實施例，所述吊桿組件還包括卡箍，所述卡箍套設于所述加料筒上，所述配合段的一端與所述卡箍連接。
13、根據本專利技術的一些實施例，多個所述配合段與多個所述連接部一一對應的配合；或者，多個所述連接部分為多組，每組所述連接部包括多個所述連接部，多組所述連接部中的多個所述連接部沿所述防護件的周向方向交替排布，每組所述連接部的多個所述連接部與多個所述配合段一一對應的配合。
14、根據本專利技術的一些實施例，所述提拉組件還包括提拉桿，所述提拉桿包括：接頭，所述接頭的下端與所述吊桿組件的上端連接，所述接頭的上端設有沿所述接頭的周向方向延伸的限位部；夾頭，所述夾頭的上端與所述籽晶繩連接，所述夾頭上具有沿軸向方向延伸的安裝孔，所述夾頭的周壁上具有與所述安裝孔連通的缺口，所述缺口的寬度大于所述接頭的最大直徑，所述安裝孔的內壁上具有支撐凸起，所述支撐凸起沿所述安裝孔的周向方向延伸，所述接頭適于通過所述缺口伸入安裝孔內，且所述限位部的下端適于與所述支撐凸起的上端相抵。
15、根據本專利技術的一些實施例，所述夾頭的外周壁上設有沿所述夾頭的周向方向延伸的翻邊，所述提拉桿還包括套筒，所述套筒適于套設于所述支撐凸起和所述限位部外，所述套筒的下端與所述翻邊的上端相抵。
16、根據本專利技術的一些實施例，所述防護件為鉬件、石墨件、碳碳件、碳化硅件、纖維增強陶瓷基復合材料件、氮化硅或石英件。
17、本專利技術的附加方面和優點將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本專利技術的實踐了解到。
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1.一種用于單晶爐的防濺裝置，其特征在于，所述單晶爐包括坩堝和設于所述坩堝上方的水冷屏，所述水冷屏為環形，所述防濺裝置包括：
2.根據權利要求1所述的用于單晶爐的防濺裝置，其特征在于，所述水冷屏的內周壁包括傾斜段，所述傾斜段形成為環形，在從下至上的方向上，所述傾斜段朝向遠離所述水冷屏中軸線的方向傾斜延伸，所述防護件包括：
3.根據權利要求2所述的用于單晶爐的防濺裝置，其特征在于，所述水冷屏的內周壁還包括直筒段，所述直筒段形成為環形，所述直筒段的上端與所述傾斜段的下端連接，所述直筒段在上下方向上內徑相同，所述防護件還包括：
4.根據權利要求2所述的用于單晶爐的防濺裝置，其特征在于，所述防護件還包括：
5.根據權利要求1所述的用于單晶爐的防濺裝置，其特征在于，所述單晶爐包括籽晶繩，所述防濺裝置還包括：
6.根據權利要求5所述的用于單晶爐的防濺裝置，其特征在于，所述防護件的內周壁上設有連接部，所述吊桿組件包括固定件和設于所述固定件上的配合段，所述固定件的上端與所述籽晶繩連接，所述配合段的一端與所述固定件連接，所述配合段的另一端
7.根據權利要求6所述的用于單晶爐的防濺裝置，其特征在于，所述固定件形成為沿上下方向延伸的桿狀結構。
8.根據權利要求6所述的用于單晶爐的防濺裝置，其特征在于，所述固定件形成為加料筒，所述配合段的一端與所述加料筒的外周壁連接。
9.根據權利要求8所述的用于單晶爐的防濺裝置，其特征在于，所述吊桿組件還包括卡箍，所述卡箍套設于所述加料筒上，所述配合段的一端與所述卡箍連接。
10.根據權利要求6所述的用于單晶爐的防濺裝置，其特征在于，
11.根據權利要求5所述的用于單晶爐的防濺裝置，其特征在于，所述提拉組件還包括提拉桿，所述提拉桿包括：
12.根據權利要求11所述的用于單晶爐的防濺裝置，其特征在于，所述夾頭的外周壁上設有沿所述夾頭的周向方向延伸的翻邊，所述提拉桿還包括套筒，所述套筒適于套設于所述支撐凸起和所述限位部外，所述套筒的下端與所述翻邊的上端相抵。
13.根據權利要求1所述的用于單晶爐的防濺裝置，其特征在于，所述防護件為鉬件、石墨件、碳碳件、碳化硅件、纖維增強陶瓷基復合材料件、氮化硅或石英件。
...【技術特征摘要】
1.一種用于單晶爐的防濺裝置，其特征在于，所述單晶爐包括坩堝和設于所述坩堝上方的水冷屏，所述水冷屏為環形，所述防濺裝置包括：
2.根據權利要求1所述的用于單晶爐的防濺裝置，其特征在于，所述水冷屏的內周壁包括傾斜段，所述傾斜段形成為環形，在從下至上的方向上，所述傾斜段朝向遠離所述水冷屏中軸線的方向傾斜延伸，所述防護件包括：
3.根據權利要求2所述的用于單晶爐的防濺裝置，其特征在于，所述水冷屏的內周壁還包括直筒段，所述直筒段形成為環形，所述直筒段的上端與所述傾斜段的下端連接，所述直筒段在上下方向上內徑相同，所述防護件還包括：
4.根據權利要求2所述的用于單晶爐的防濺裝置，其特征在于，所述防護件還包括：
5.根據權利要求1所述的用于單晶爐的防濺裝置，其特征在于，所述單晶爐包括籽晶繩，所述防濺裝置還包括：
6.根據權利要求5所述的用于單晶爐的防濺裝置，其特征在于，所述防護件的內周壁上設有連接部，所述吊桿組件包括固定件和設于所述固定件上的配合段，所述固定件的上端與所述籽晶繩連接，所述配合段的一端與所述固定件連接，所述配合段的另一端朝向所述固定件的徑向向外的方向延伸，所述連接部為沿所述防護件的周向方向間隔設置的多個，所述...
【專利技術屬性】
技術研發人員：汪晨，張華利，周聲浪，趙玉兵，周永馳，
申請(專利權)人：江蘇協鑫硅材料科技發展有限公司，
類型：發明
國別省市：
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