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    一種極片組件、制造極片組件的方法及電化學(xué)裝置制造方法及圖紙

    技術(shù)編號(hào):43772120 閱讀:11 留言:0更新日期:2024-12-24 16:11
    本發(fā)明專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例涉及儲(chǔ)能技術(shù)領(lǐng)域,公開(kāi)了一種極片組件、制造極片組件的方法及電化學(xué)裝置,極片組件包括極片和極耳,極片包括活性物質(zhì)層和集流體,集流體具有相對(duì)設(shè)置的第一表面和第二表面,集流體設(shè)置有通孔,通孔自第一表面延伸至第二表面,活性物質(zhì)層疊置于集流體;極耳包括本體和鉚接部,本體設(shè)置有貫穿孔,鉚接部包括軸部和端部,軸部的一端連接于貫穿孔的邊緣處,端部連接于軸部的另一端,本體抵接集流體的第一表面,軸部穿設(shè)于通孔,端部抵接于集流體的第二表面;沿活性物質(zhì)層疊置于集流體的方向,貫穿孔在第一表面投影的面積為A,并且滿(mǎn)足:1mm<supgt;2</supgt;≤A≤3mm<supgt;2</supgt;。通過(guò)上述方式,本發(fā)明專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例能提升極片與極耳之間的連接的穩(wěn)定性。

    【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

    本專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例涉及儲(chǔ)能,特別是涉及一種極片組件、制造極片組件的方法及電化學(xué)裝置


    技術(shù)介紹

    1、目前的電化學(xué)裝置中,極片與極耳之間通過(guò)焊接進(jìn)行連接,極片通過(guò)極耳向外界釋放電能或者外界電源通過(guò)極耳對(duì)電化學(xué)裝置進(jìn)行充電。

    2、本專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例在實(shí)施過(guò)程中,專(zhuān)利技術(shù)人發(fā)現(xiàn):采用焊接的方式將極耳與極片連接在一起,容易存在虛焊、假焊的缺陷,影響電化學(xué)裝置的充放電性能。


    技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

    1、本專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例主要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種極片組件、制造極片組件的方法及電化學(xué)裝置,能提高極片與極耳之間的連接的穩(wěn)定性。

    2、為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例采用的一個(gè)技術(shù)方案是:提供一種極片組件,包括極片和極耳,極片包括活性物質(zhì)層和集流體,集流體具有相對(duì)設(shè)置的第一表面和第二表面,集流體設(shè)置有通孔,通孔自第一表面延伸至第二表面,活性物質(zhì)層疊置于集流體;極耳包括本體和鉚接部,本體設(shè)置有貫穿孔,鉚接部包括軸部和端部,軸部的一端連接于貫穿孔的邊緣處,端部連接于軸部的另一端,本體抵接集流體的第一表面,軸部穿設(shè)于通孔,端部抵接于集流體的第二表面;沿活性物質(zhì)層疊置于集流體的方向,貫穿孔在第一表面投影的面積為a,并且滿(mǎn)足:1mm2≤a≤3mm2。

    3、在本實(shí)施例中,通過(guò)使極耳的本體抵接于集流體的第一表面,軸部分別連接本體和端部,軸部穿設(shè)于集流體的通孔,端部抵接于集流體的第二表面,從而實(shí)現(xiàn)極耳與集流體之間的鉚接固定,無(wú)需采用焊接的方式將極耳固定于集流體,有利于提升極片與極耳之間的連接的穩(wěn)定性,進(jìn)而提升電化學(xué)裝置的充放電性能。另外,通過(guò)使貫穿孔在第一表面投影的面積為a,并且a滿(mǎn)足a≥1mm2,可以提升極耳與極片之間的焊接拉力,并且提升電化學(xué)裝置在外短測(cè)試中的通過(guò)率,當(dāng)a過(guò)大時(shí)會(huì)導(dǎo)致集流體去除的部分過(guò)多,導(dǎo)致集流體鉚接拉力較低。

    4、在一些實(shí)施例中,活性物質(zhì)層疊置于集流體的第一表面,活性物質(zhì)層設(shè)置有避讓口,沿活性物質(zhì)層疊置于集流體的方向,通孔的投影位于避讓口內(nèi),本體的部分收容于避讓口。

    5、在本實(shí)施例中,通過(guò)在活性物質(zhì)層設(shè)置避讓口,本體的部分收容于避讓口,有利于減小極片組件的厚度,提升電化學(xué)裝置的能量密度。

    6、在一些實(shí)施例中,通孔、貫穿孔和鉚接部的數(shù)量為均多個(gè),多個(gè)貫穿孔間隔設(shè)置,一鉚接部的軸部連接于一貫穿孔的邊緣處,一鉚接部的軸部穿設(shè)于一通孔,并且多個(gè)鉚接部的端部均抵接于集流體的第二表面。

    7、在本實(shí)施例中,通過(guò)設(shè)置多個(gè)鉚接部,可以提升極耳與極片之間的連接強(qiáng)度,降低極耳脫離極片的風(fēng)險(xiǎn)。

    8、在一些實(shí)施例中,沿活性物質(zhì)層疊置于集流體的方向,每個(gè)貫穿孔在集流體的第一表面上的投影的面積a滿(mǎn)足:1mm2≤a≤2mm2。

    9、在本實(shí)施例中,通過(guò)使每個(gè)貫穿孔在集流體的第一表面上的投影的面積a滿(mǎn)足:1mm2≤a≤2mm2,可以在提升極片組件在鉚接過(guò)程中的合格率,提高電化學(xué)裝置在外短測(cè)試中的成功率的基礎(chǔ)上,提升鉚接拉力,進(jìn)而提升極片與極耳之間的鉚接強(qiáng)度。

    10、在一些實(shí)施例中,沿活性物質(zhì)層疊置于集流體的方向,本體在集流體上投影的面積為s,多個(gè)貫穿孔在集流體的第一表面上的投影的總面積為b,并且滿(mǎn)足:0.2*s≤b≤0.5*s。

    11、在本實(shí)施例中,通過(guò)使s、b滿(mǎn)足0.2*s≤b≤0.5*s,可以兼顧提升鉚接拉力以及提升外短測(cè)試的通過(guò)率,從而提升極片與極耳之間的鉚接強(qiáng)度以及提高電化學(xué)裝置的安全性。

    12、在一些實(shí)施例中,沿活性物質(zhì)層疊置于集流體的方向,本體在集流體的第一表面上的投影的面積s和多個(gè)貫穿孔在集流體的第一表面上的投影的總面積b滿(mǎn)足:0.2*s≤b≤0.3*s。

    13、在本實(shí)施例中,通過(guò)使s、b滿(mǎn)足0.2*s≤b≤0.3*s,可以在提升極片與極耳之間的鉚接強(qiáng)度以及提高電化學(xué)裝置的安全性的情況下,進(jìn)一步提升極片組件在鉚接過(guò)程中的合格率。

    14、在一些實(shí)施例中,集流體包括第一金屬層、高分子層和第二金屬層,高分子層位于第一金屬層和二金屬層之間,第一金屬層背離第二金屬層的表面構(gòu)成集流體的第一表面,第二金屬層背離第一金屬層的表面構(gòu)成集流體的第二表面,通孔貫穿第一金屬層、高分子層和第二金層層。

    15、在一些實(shí)施例中,本體和鉚接部一體成型。

    16、在一些實(shí)施例中,沿所述活性物質(zhì)層與所述集流體疊置的方向觀(guān)察,所述貫穿孔的形狀為圓角方形。在本實(shí)施例中,通過(guò)使貫穿孔的形狀為正方形或者長(zhǎng)方形,可以兼顧焊接拉力、工步優(yōu)率以及外短測(cè)試的通過(guò)率,從而提升極片組件的力學(xué)性能以及電學(xué)性能。

    17、在一些實(shí)施例中,沿所述活性物質(zhì)層與所述集流體疊置的方向觀(guān)察,所述端部的形狀為正方形。在本實(shí)施例中,通過(guò)使端部的形狀為正方形,可以提升外短測(cè)試的通過(guò)率以及工步優(yōu)率。

    18、為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例還采用的一個(gè)技術(shù)方案是:提供一種電化學(xué)裝置,包括上述的極片組件。

    19、為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例還采用的一個(gè)技術(shù)方案是:提供一種制造極片組件的方法,方法包括:

    20、提供極片,極片包括活性物質(zhì)層和集流體,活性物質(zhì)層疊置于集流體;

    21、對(duì)集流體進(jìn)行沖孔,以在集流體上形成通孔;

    22、將極耳疊置于集流體,并且沿極耳疊置于集流體的方向觀(guān)察,極耳覆蓋通孔;

    23、沿極耳疊置于集流體的方向,對(duì)極耳覆蓋通孔的部分進(jìn)行沖擊,以使極耳覆蓋通孔的部分向通孔彎折形成沖切部,其中,沖切部貫穿通孔,并且沖切部凸出于集流體背離極耳的表面;

    24、對(duì)沖切部凸出于集流體背離極耳的表面的部分進(jìn)行壓鉚,以使沖切部凸出于集流體背離極耳的表面的部分形成端部,沖切部除端部的部分為軸部,軸部和端部共同構(gòu)成鉚接部。

    25、在一些實(shí)施例中,所述對(duì)所述沖切部凸出于所述集流體背離所述極耳的表面的部分進(jìn)行壓鉚,以使所述沖切部凸出于所述集流體背離所述極耳的表面的部分形成端部,所述沖切部除所述端部的部分為軸部,所述軸部和端部共同構(gòu)成鉚接部的步驟,進(jìn)一步包括:

    26、對(duì)所述沖切部凸出于所述集流體背離所述極耳的表面的部分進(jìn)行壓鉚,以使所述沖切部凸出于所述集流體背離所述極耳的表面的部分形成端部,所述沖切部除所述端部的部分為軸部,所述軸部和端部共同構(gòu)成鉚接部,其中,壓鉚時(shí)對(duì)所述極耳和集流體施加的壓力為展平壓力f,并滿(mǎn)足:100mpa≤f≤400mpa。在本實(shí)施例中,通過(guò)滿(mǎn)足100mpa≤f≤400mpa,可以增加鉚接拉力、工步優(yōu)率以及外短測(cè)試通過(guò)率,使極片具有良好的力學(xué)性能以及電學(xué)性能。

    27、本專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例的有益效果是:區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的情況,本專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例中,通過(guò)使極耳的本體抵接于集流體的第一表面,軸部分別連接本體和端部,軸部穿設(shè)于集流體的通孔,端部抵接于集流體的第二表面,從而實(shí)現(xiàn)極耳與集流體之間的鉚接固定,無(wú)需采用焊接的方式將極耳固定于集流體,有利于提升極片與極耳之間的連接的穩(wěn)定性,進(jìn)而提升電化學(xué)裝置的充放電性能。另外,通過(guò)使貫穿孔在第一表面投影的面積本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...

    【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】

    1.一種極片組件,其特征在于,包括:

    2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的極片組件,其特征在于,

    3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的極片組件,其特征在于,

    4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的極片組件,其特征在于,

    5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的極片組件,其特征在于,

    6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的極片組件,其特征在于,

    7.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任意一項(xiàng)所述的極片組件,其特征在于,

    8.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任意一項(xiàng)所述的極片組件,其特征在于,

    9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的極片組件,其特征在于,

    10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的極片組件,其特征在于,

    11.一種電化學(xué)裝置,其特征在于,包括權(quán)利要求1-10中任一項(xiàng)所述極片組件。

    12.一種制造如權(quán)利要求1-10中任一項(xiàng)所述的極片組件的方法,其特征在于,包括:

    13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法,其特征在于,

    【技術(shù)特征摘要】

    1.一種極片組件,其特征在于,包括:

    2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的極片組件,其特征在于,

    3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的極片組件,其特征在于,

    4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的極片組件,其特征在于,

    5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的極片組件,其特征在于,

    6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的極片組件,其特征在于,

    7.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任意一項(xiàng)所述的極片組件,其特征在于,

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    【專(zhuān)利技術(shù)屬性】
    技術(shù)研發(fā)人員:閆家肖
    申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人:寧德新能源科技有限公司
    類(lèi)型:發(fā)明
    國(guó)別省市:

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