【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及光伏，具體而言，涉及一種選擇性poly-si鈍化接觸的topcon電池及制備工藝。
技術介紹
1、晶硅topcon電池是一種基于選擇性載流子原理的隧穿氧化層鈍化接觸太陽能電池技術，其電池結構主要為n型硅作為襯底電池，在電池背表面制備一層超薄氧化硅，然后再沉積一層磷摻雜非晶硅薄膜，二者共同形成了鈍化接觸結構，其中磷摻雜非晶硅層提供了良好的場鈍化效果并對載流子選擇性通過，對提升電池開路電壓、短路電流和填充因子起到了至關重要的作用。然而，摻雜非晶硅層會吸收近紅外光，減少電池背表面對近紅外光的有效反射，引起背表面的光損失，薄膜越厚帶來的光損失越大。因此，從電池效率和制造成本綜合考慮，低膜厚的選擇性磷摻雜非晶硅層無疑是topcon電池背接觸鈍化結構的最佳選擇。
2、但受限于現有背面漿料特性，目前lpcvd(低壓化學氣相沉積)方式和pvd(物理氣相沉積)方式制備的topcon電池其摻雜非晶硅厚度需要做到100nm以上才能避免燒穿現象。在印刷燒結時，銀漿料中的輔助添加劑必須經過高溫燒結才能與摻雜非晶硅層接觸而導出電流，低膜厚的摻雜非晶硅層極易被漿料燒穿從而破壞電池結構、其鈍化特性變差。為此，如果對漿料進行調整，降低銀漿中輔助添加劑的含量，其燒穿性能下降的同時又會造成接觸電阻的大幅增加，對電池發電性能產生不利影響。
3、有鑒于此，特提出本申請。
技術實現思路
1、現有技術存在的問題為低膜厚的摻雜非晶硅層極易被漿料燒穿從而破壞電池結構、其鈍化特性變差，而較厚的非
2、本專利技術通過下述技術方案實現：
3、第一方面，本專利技術提供一種選擇性poly-si鈍化接觸的topcon電池，包括在電池背面沉積的多晶硅poly-si層，所述多晶硅poly-si層包括多晶硅薄層區域和多晶硅厚層區域；
4、所述多晶硅厚層區域位于柵線電極區域，厚度＞100nm；
5、所述多晶硅薄層區域位于非柵線電極區域，厚度＜95nm。
6、在某一具體實施方式中，相鄰兩個多晶硅厚層區域之間的間距為0.05～1mm。
7、在某一具體實施方式中，包括在電池背面依次沉積的0.3-2.0nm超薄氧化層、30-60nm的薄多晶硅層、0.3-1nm超薄氧化層和90-120nm厚多晶硅層；
8、厚多晶硅層與柵線電極對應處構成多晶硅厚層區域；
9、厚多晶硅層與非柵線電極對應處厚度減薄，和薄多晶硅層共同構成多晶硅薄層區域。
10、在某一具體實施方式中，包括正面電極、正面鈍化、減反射膜、n型基底、隧穿氧化層、背面選擇性多晶硅poly-si層、背面減反射膜和背面電極。
11、第二方面，本專利技術提供一種選擇性poly-si鈍化接觸的topcon電池的制備方法，其特征在于，所述多晶硅poly-si層的制備方法如下：
12、在電池背面沉積一層100～200nm的多晶硅層，使用激光在多晶硅層非柵線電極區域進行掃描減薄至厚度＜95nm。
13、在某一具體實施方式中，掃描方式為對多晶硅層非電極區域進行脈沖式激光轟擊，其中激光波長532nm，光斑大小80-120nm方形，掃描速度為10000mm/s，頻率為10khz。
14、在某一具體實施方式中，選擇性poly-si鈍化接觸的topcon電池的制備方法具體如下：
15、(1)對n型硅基底進行去損傷處理，表面織構化處理和清洗；
16、(2)在n型硅片正面形成輕重硼發射極；
17、(3)在n型硅背面完成去bsg清洗和堿拋光；
18、(4)在電池背面沉積超薄氧化層和多晶硅層；
19、(5)選擇性poly-si層制備，使用激光在電池背面非電極區域進行掃描減薄，獲得多晶硅poly-si層；
20、(6)去poly繞鍍清洗；
21、(7)正面鈍化、減反射膜及背面鈍化膜的制備；
22、(8)電極制備；
23、(9)燒結爐中完成加熱燒結處理和光注入。
24、第三方面，本專利技術提供一種選擇性poly-si鈍化接觸的topcon電池的制備方法，所述多晶硅poly-si層的制備方法如下：
25、在電池背面先沉積一層堆棧層，包括0.3-2.0nm超薄氧化層、30-60nm的薄多晶硅層；
26、再次在電池背面沉積第二層堆棧層，包含0.3-1nm超薄氧化層和90-120nm的厚多晶硅層；
27、使用激光在厚多晶硅層非柵線電極區域進行掃描減薄至與薄多晶硅層總厚度＜95nm。
28、在某一具體實施方式中，掃描方式為對厚多晶硅層非電極區域進行脈沖式激光轟擊，其中激光波長532nm，光斑大小80-120nm方形，掃描速度為10000mm/s，頻率為10khz。
29、在某一具體實施方式中，選擇性poly-si鈍化接觸的topcon電池的制備方法具體如下：
30、(1)對n型硅基底進行去損傷處理，表面織構化處理和清洗；
31、(2)在n型硅片正面形成輕重硼發射極；
32、(3)在n型硅背面完成去bsg清洗和堿拋光；
33、(4)在電池背面先沉積一層堆棧層，包含0.3-2.0nm超薄氧化層和30-60nm的多晶硅薄層；然后再次在電池背面沉積第二層堆棧層，包含0.3-1nm超薄氧化層和90-120nm的厚多晶硅層；
34、(5)選擇性poly-si層制備，使用激光在電池背面厚多晶硅層的非電極區域進行掃描減薄；
35、(6)去poly繞鍍清洗；
36、(7)正面鈍化及減反射膜及背面鈍化膜的制備；
37、(8)電極制備；
38、(9)燒結爐中完成加熱燒結處理和光注入。
39、本專利技術與現有技術相比，具有如下的優點和有益效果：
40、本專利技術實施例提供的一種選擇性poly-si鈍化接觸的topcon電池及制備工藝，通過在topcon電池背面整個區域沉積＞100nm非晶硅膜層，然后借助激光工藝在非柵線電極區域減薄，制得非晶硅膜層柵線電極區域厚度＞100nm，非柵線電極區域厚度＜95nm的選擇性不同膜厚poly-si鈍化接觸層，不僅能夠避免在印刷燒結后的電極區域背面漿料燒穿的問題，同時非電極區域非晶硅膜層變薄，降低摻雜非晶硅層對近紅外光吸收，解本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種選擇性Poly-Si鈍化接觸的TOPCon電池，其特征在于，包括在電池背面沉積的多晶硅Poly-Si層，所述多晶硅Poly-Si層包括多晶硅薄層區域和多晶硅厚層區域；
2.根據權利要求1所述的一種選擇性Poly-Si鈍化接觸的TOPCon電池，其特征在于，
3.根據權利要求1所述的一種選擇性Poly-Si鈍化接觸的TOPCon電池，其特征在于，包括在電池背面依次沉積的0.3-2.0nm超薄氧化層、30-60nm的薄多晶硅層、0.3-1nm超薄氧化層和90-120nm厚多晶硅層；
4.根據權利要求1所述的一種選擇性Poly-Si鈍化接觸的TOPCon電池，其特征在于，包括正面電極、正面鈍化、減反射膜、N型基底、隧穿氧化層、背面選擇性多晶硅Poly-Si層、背面減反射膜和背面電極。
5.一種選擇性Poly-Si鈍化接觸的TOPCon電池的制備方法，其特征在于，權利要求1或2所述多晶硅Poly-Si層的制備方法如下：
6.根據權利要求5所述的一種選擇性Poly-Si鈍化接觸的TOPCon電池的制備方法，其特征在于，掃描
7.根據權利要求5所述的一種選擇性Poly-Si鈍化接觸的TOPCon電池的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
8.一種選擇性Poly-Si鈍化接觸的TOPCon電池的制備方法，其特征在于，權利要求3所述多晶硅Poly-Si層的制備方法如下：
9.根據權利要求8所述的一種選擇性Poly-Si鈍化接觸的TOPCon電池的制備方法，掃描方式為對厚多晶硅層非電極區域進行脈沖式激光轟擊，其中激光波長532nm，光斑大小80-120nm方形，掃描速度為10000mm/s，頻率為10kHz。
10.根據權利要求8所述的一種選擇性Poly-Si鈍化接觸的TOPCon電池的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
...【技術特征摘要】
1.一種選擇性poly-si鈍化接觸的topcon電池，其特征在于，包括在電池背面沉積的多晶硅poly-si層，所述多晶硅poly-si層包括多晶硅薄層區域和多晶硅厚層區域；
2.根據權利要求1所述的一種選擇性poly-si鈍化接觸的topcon電池，其特征在于，
3.根據權利要求1所述的一種選擇性poly-si鈍化接觸的topcon電池，其特征在于，包括在電池背面依次沉積的0.3-2.0nm超薄氧化層、30-60nm的薄多晶硅層、0.3-1nm超薄氧化層和90-120nm厚多晶硅層；
4.根據權利要求1所述的一種選擇性poly-si鈍化接觸的topcon電池，其特征在于，包括正面電極、正面鈍化、減反射膜、n型基底、隧穿氧化層、背面選擇性多晶硅poly-si層、背面減反射膜和背面電極。
5.一種選擇性poly-si鈍化接觸的topcon電池的制備方法，其特征在于，權利要求1或2所述多晶硅poly-si層的制備方法如下：
6.根...
【專利技術屬性】
技術研發人員：王濤，朱雅，劉大偉，劉軍保，
申請(專利權)人：綿陽炘皓新能源科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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