【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體晶圓加工相關，尤其涉及一種daf膜冷擴裝置。
技術介紹
1、隨著半導體產業的發展，特別是晶粒尺寸的小型化以及半導體封裝向高集成度、小型化發展。daf膜因其出色的隔離性能、良好的導熱性能和耐腐蝕性能，成為很多高要求封裝工藝的首選材料。其在超小、超薄晶圓的3d堆疊封裝等方面的市場需求持續增長，市場發展前景廣闊。
2、在daf膜的應用中，通常采用激光切割或刀片切割等方式，將貼附有daf膜的晶圓或芯片按照預定的線路完全分離，以獲得獨立的個體。因為需要避免在切割過程中出現毛邊等質量問題，同時要確保切割后的daf膜能夠滿足后續工藝的要求，這種全切工藝需要高精度的設備和嚴格的工藝控制，具有一定的挑戰性，成本較高，良率相對較低。
3、有鑒于上述的缺陷，本設計人積極加以研究創新，以期創設一種daf膜冷擴裝置，使其更具有產業上的利用價值。
技術實現思路
1、為解決上述其中任一技術問題，本專利技術的目的是提供一種daf膜冷擴裝置。
2、為實現上述目的，本專利技術采用如下技術方案：
3、daf膜冷擴裝置，從下往上依次包括冷擴底板和密封保溫箱，冷擴底板通過若干個支撐柱與上方的密封保溫箱連接在一起，在密封保溫箱內安裝有鋼環導向板、冷擴盤和鋼環上壓板；
4、安裝在冷擴底板底部的伺服電機通過上方的絲桿頂升機構驅動絲桿升降板在豎直方向上移動，絲桿升降板通過若干個第一升降導向柱穿過密封保溫箱后與內側的冷擴盤相連接，在冷擴底板上安裝有至少一
5、作為本專利技術的進一步改進，在冷擴底板左右兩側中的至少一側以及在冷擴底板前后兩側中的至少一側均安裝有位置調節組件，位置調節組件由調節螺栓安裝座以及可與內側的冷擴底板相接觸的調節螺栓組成。
6、作為本專利技術的進一步改進，在密封保溫箱的后端安裝有冷氣入口和冷氣出口。
7、作為本專利技術的進一步改進，在冷氣入口的內部安裝有濾網。
8、作為本專利技術的進一步改進，在密封保溫箱的頂部安裝有密封蓋。
9、作為本專利技術的進一步改進，在密封保溫箱前端的頂部和底部均安裝有氣簾機構，氣簾機構由多個氣簾吹氣管組成。
10、作為本專利技術的進一步改進，在密封保溫箱前端中部開設有窗口，在窗口下方的密封保溫箱上安裝有閘門，安裝在密封保溫箱底部的閘門頂升氣缸驅動上方的閘門在豎直方向上移動。
11、作為本專利技術的進一步改進，冷擴盤位于鋼環導向板的內側。
12、作為本專利技術的進一步改進，在鋼環上壓板的頂部通過若干個連接桿與上方的內蓋相連接。
13、作為本專利技術的進一步改進，在密封保溫箱的底部安裝有若干個干燥氣除露機構，干燥氣除露機構由多個干燥吹氣管組組成。
14、借由上述方案，本專利技術至少具有以下優點：
15、本專利技術利用daf膜在低溫環境下脆化的特性，通過空氣制冷機在特制的密封保溫箱中達到低溫環境，然后用絲桿頂升裝置對晶圓和daf膜進行擴展，從而實現晶圓或芯片的分離，相對于全切工藝，低溫環境下脆化的daf膜在擴展過程中產生的應力相對較小，能夠降低對晶圓的物理損傷，有助于保持晶圓的完整性和性能，從而提高良率。
16、本專利技術利用電機驅動絲桿頂升機構，能夠精確地控制晶圓的分離過程，滿足對芯片高精度、小間距分離的需求。
17、本專利技術相對于激光或刀輪切割，對設備精度要求降低，節約成本，簡化工藝流程，提高了效率。
18、上述說明僅是本專利技術技術方案的概述，為了能夠更清楚了解本專利技術的技術手段，并可依照說明書的內容予以實施，以下以本專利技術的較佳實施例并配合附圖詳細說明如后。
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1.DAF膜冷擴裝置，其特征在于：從下往上依次包括冷擴底板(1)和密封保溫箱(8)，所述冷擴底板(1)通過若干個支撐柱與上方的密封保溫箱(8)連接在一起，在所述密封保溫箱(8)內安裝有鋼環導向板(16)、冷擴盤(17)和鋼環上壓板(18)；
2.如權利要求1所述的DAF膜冷擴裝置，其特征在于，在所述冷擴底板(1)左右兩側中的至少一側以及在所述冷擴底板(1)前后兩側中的至少一側均安裝有位置調節組件(5)，所述位置調節組件(5)由調節螺栓安裝座以及可與內側的冷擴底板(1)相接觸的調節螺栓組成。
3.如權利要求1所述的DAF膜冷擴裝置，其特征在于，在所述密封保溫箱(8)的后端安裝有冷氣入口(9)和冷氣出口(10)。
4.如權利要求3所述的DAF膜冷擴裝置，其特征在于，在所述冷氣入口(9)的內部安裝有濾網。
5.如權利要求1所述的DAF膜冷擴裝置，其特征在于，在所述密封保溫箱(8)的頂部安裝有密封蓋(11)。
6.如權利要求1所述的DAF膜冷擴裝置，其特征在于，在所述密封保溫箱(8)前端的頂部和底部均安裝有氣簾機構(12)，所述
7.如權利要求1所述的DAF膜冷擴裝置，其特征在于，在所述密封保溫箱(8)前端中部開設有窗口(13)，在所述窗口(13)下方的密封保溫箱(8)上安裝有閘門(15)，安裝在所述密封保溫箱(8)底部的閘門頂升氣缸(14)驅動上方的閘門(15)在豎直方向上移動。
8.如權利要求1所述的DAF膜冷擴裝置，其特征在于，所述冷擴盤(17)位于鋼環導向板(16)的內側。
9.如權利要求1所述的DAF膜冷擴裝置，其特征在于，在所述鋼環上壓板(18)的頂部通過若干個連接桿與上方的內蓋相連接。
10.如權利要求1所述的DAF膜冷擴裝置，其特征在于，在所述密封保溫箱(8)的底部安裝有若干個干燥氣除露機構，所述干燥氣除露機構由多個干燥吹氣管組組成。
...【技術特征摘要】
1.daf膜冷擴裝置，其特征在于：從下往上依次包括冷擴底板(1)和密封保溫箱(8)，所述冷擴底板(1)通過若干個支撐柱與上方的密封保溫箱(8)連接在一起，在所述密封保溫箱(8)內安裝有鋼環導向板(16)、冷擴盤(17)和鋼環上壓板(18)；
2.如權利要求1所述的daf膜冷擴裝置，其特征在于，在所述冷擴底板(1)左右兩側中的至少一側以及在所述冷擴底板(1)前后兩側中的至少一側均安裝有位置調節組件(5)，所述位置調節組件(5)由調節螺栓安裝座以及可與內側的冷擴底板(1)相接觸的調節螺栓組成。
3.如權利要求1所述的daf膜冷擴裝置，其特征在于，在所述密封保溫箱(8)的后端安裝有冷氣入口(9)和冷氣出口(10)。
4.如權利要求3所述的daf膜冷擴裝置，其特征在于，在所述冷氣入口(9)的內部安裝有濾網。
5.如權利要求1所述的daf膜冷擴裝置，其特征在于，在所述密封保溫箱(8)的頂部安裝有密封蓋(11)...
【專利技術屬性】
技術研發人員：趙裕興，全中鋒，
申請(專利權)人：蘇州德龍激光股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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