【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及晶體制造，更具體地，涉及一種單晶爐的控制方法。
技術介紹
1、相關技術中，單晶體制造所需的硅料內含氫量偏高，硅料在受熱熔化過程中會出現氫跳現象，容易造成硅液濺出，使得硅液吸附在水冷屏上，降低了單晶體生產的成晶率，影響生產工序。
技術實現思路
1、本專利技術旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一。為此，本專利技術的一個目的在于提出一種單晶爐的控制方法，所述單晶爐的控制方法簡單，能夠確保水冷屏的正常使用，提高單晶體的成晶率與生產質量，且能夠減少操作步驟，提高加工效率。
2、根據本專利技術實施例的單晶爐的控制方法，包括：所述單晶爐包括坩堝和設于所述坩堝上方的水冷屏，所述單晶爐還包括防濺裝置，所述防濺裝置包括防護件和加料筒組件，所述控制方法包括：將所述加料筒組件的上端與所述單晶爐的籽晶繩連接，并將所述防護件與所述加料筒組件的下端初步配合；控制所述籽晶繩帶動所述加料筒組件向下移動，以將所述防護件放置于所述水冷屏內；控制所述加料筒組件向所述坩堝內添加硅料；待化料結束后，控制所述籽晶繩帶動所述加料筒組件向上移動，取出所述防護件。
3、根據本專利技術實施例的單晶爐的控制方法，通過控制籽晶繩帶動加料筒組件與防護件向下移動，以將防護件放置于水冷屏內；控制加料筒組件向坩堝內添加硅料；待化料結束后，控制籽晶繩帶動加料筒組件與防護件向上移動，取出防護件。由此，在硅料發生氫跳現象時，使得防護件能夠對水冷屏進行防護，避免硅料附著在水冷屏上而影響水冷屏的使用等問題，確保單晶
4、另外，根據本專利技術上述實施例的單晶爐的控制方法還可以具有如下附加的技術特征：
5、根據本專利技術一些實施例的單晶爐的控制方法，所述單晶爐包括相互連通的主室和副室，所述副室位于所述主室的上方且所述副室的朝向所述主室的一側敞開以形成為敞開口，所述坩堝和所述水冷屏設于所述主室內，所述籽晶繩與所述副室的上端連接，所述主室和所述副室之間設有用于打開或關閉所述主室的控制閥，所述將所述加料筒組件的上端與所述單晶爐的籽晶繩連接，并將所述防護件與所述加料筒組件的下端初步配合包括：控制所述控制閥關閉所述主室；旋開所述副室；控制所述籽晶繩向下移動，將所述加料筒組件的上端與所述籽晶繩連接，并將所述防護件與所述加料筒組件的下端初步配合；控制所述籽晶繩帶動所述加料筒組件向上移動以將所述防護件與所述加料筒組件位于所述副室內；旋回所述副室；控制所述控制閥打開所述主室。
6、根據本專利技術的一些實施例，在控制所述控制閥關閉所述主室之后，旋開所述副室之前，所述控制方法還包括：向所述副室內充氣以控制所述副室內的氣壓與外部氣壓相同。
7、根據本專利技術的一些實施例，在旋回所述副室之后，控制所述控制閥打開所述主室之前，所述控制方法還包括：向所述副室內抽真空。
8、根據本專利技術的一些實施例，在旋回所述副室時，手動控制所述籽晶繩穩定。
9、根據本專利技術的一些實施例，所述副室上設有觀測口。
10、根據本專利技術的一些實施例，所述防護件的內周壁上設有連接部，所述加料筒組件包括加料筒本體和配合段，所述加料筒本體的上端與所述籽晶繩連接，所述配合段的一端與所述加料筒本體連接，所述配合段的另一端朝向所述加料筒本體的徑向向外的方向延伸，所述連接部為沿所述防護件的周向方向間隔設置的多個，所述配合段為沿所述加料筒本體的周向方向間隔設置的多個，在所述配合段和所述連接部配合時，多個所述配合段位于多個所述連接部的下方，所述控制所述加料筒組件向所述坩堝內添加包括：控制所述籽晶繩帶動所述加料筒組件向下移動，向所述坩堝內添加硅料；待所述加料筒組件加料完成后，控制所述籽晶繩轉動以使所述連接部和所述配合段錯開；控制所述籽晶繩帶動所述加料筒組件向上移動；向所述加料筒組件內添加硅料；控制所述配合段和所述連接部在周向方向錯開；控制所述籽晶繩帶動所述加料筒組件向下移動，向所述坩堝內添加硅料。
11、根據本專利技術的一些實施例，所述待化料結束后，所述待化料結束后，控制所述籽晶繩帶動所述加料筒組件向上移動，取出所述防護件包括：控制所述籽晶繩轉動以使所述配合段位于所述連接部的正下方；控制所述籽晶繩帶動所述加料筒組件向上移動，取出所述防護件。
12、根據本專利技術的一些實施例，在所述控制所述籽晶繩帶動所述加料筒組件向下移動，以將所述防護件放置于所述水冷屏內之前，所述控制方法還包括：將所述水冷屏從初始位置上升至上限位置。
13、根據本專利技術的一些實施例，在所述待化料結束后，控制所述籽晶繩帶動所述加料筒組件向上移動，取出所述防護件之后，所述控制方法包括：控制所述水冷屏從所述上限位置下降至所述初始位置。
14、根據本專利技術的一些實施例，在所述單晶爐的裝爐階段，將所述防護件直接放置于所述水冷屏內。
15、本專利技術的附加方面和優點將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本專利技術的實踐了解到。
本文檔來自技高網...【技術保護點】
1.一種單晶爐的控制方法，其特征在于，所述單晶爐包括坩堝和設于所述坩堝上方的水冷屏，所述單晶爐還包括防濺裝置，所述防濺裝置包括防護件和加料筒組件，所述控制方法包括：
2.根據權利要求1所述的單晶爐的控制方法，其特征在于，所述單晶爐包括相互連通的主室和副室，所述副室位于所述主室的上方且所述副室的朝向所述主室的一側敞開以形成為敞開口，所述坩堝和所述水冷屏設于所述主室內，所述籽晶繩與所述副室的上端連接，所述主室和所述副室之間設有用于打開或關閉所述主室的控制閥，所述將所述加料筒組件的上端與所述單晶爐的籽晶繩連接，并將所述防護件與所述加料筒組件的下端初步配合包括：
3.根據權利要求2所述的單晶爐的控制方法，其特征在于，在控制所述控制閥關閉所述主室之后，旋開所述副室之前，所述控制方法還包括：
4.根據權利要求2所述的單晶爐的控制方法，其特征在于，在旋回所述副室之后，控制所述控制閥打開所述主室之前，所述控制方法還包括：
5.根據權利要求2所述的單晶爐的控制方法，其特征在于，在旋回所述副室時，手動控制所述籽晶繩穩定。
6.根據權利要求2
7.根據權利要求1所述的單晶爐的控制方法，其特征在于，所述防護件的內周壁上設有連接部，所述加料筒組件包括加料筒本體和配合段，所述加料筒本體的上端與所述籽晶繩連接，所述配合段的一端與所述加料筒本體連接，所述配合段的另一端朝向所述加料筒本體的徑向向外的方向延伸，所述連接部為沿所述防護件的周向方向間隔設置的多個，所述配合段為沿所述加料筒本體的周向方向間隔設置的多個，在所述配合段和所述連接部配合時，多個所述配合段位于多個所述連接部的下方，所述控制所述加料筒組件向所述坩堝內添加硅料包括：
8.根據權利要求7所述的單晶爐的控制方法，其特征在于，所述待化料結束后，控制所述籽晶繩帶動所述加料筒組件向上移動，取出所述防護件包括：
9.根據權利要求1所述的單晶爐的控制方法，其特征在于，在所述控制所述籽晶繩帶動所述加料筒組件向下移動，以將所述防護件放置于所述水冷屏內之前，所述控制方法還包括：
10.根據權利要求9所述的單晶爐的控制方法，其特征在于，在所述待化料結束后，控制所述籽晶繩帶動所述加料筒組件向上移動，取出所述防護件之后，所述控制方法包括：
11.根據權利要求1所述的單晶爐的控制方法，其特征在于，在所述單晶爐的裝爐階段，將所述防護件直接放置于所述水冷屏內。
...【技術特征摘要】
1.一種單晶爐的控制方法，其特征在于，所述單晶爐包括坩堝和設于所述坩堝上方的水冷屏，所述單晶爐還包括防濺裝置，所述防濺裝置包括防護件和加料筒組件，所述控制方法包括：
2.根據權利要求1所述的單晶爐的控制方法，其特征在于，所述單晶爐包括相互連通的主室和副室，所述副室位于所述主室的上方且所述副室的朝向所述主室的一側敞開以形成為敞開口，所述坩堝和所述水冷屏設于所述主室內，所述籽晶繩與所述副室的上端連接，所述主室和所述副室之間設有用于打開或關閉所述主室的控制閥，所述將所述加料筒組件的上端與所述單晶爐的籽晶繩連接，并將所述防護件與所述加料筒組件的下端初步配合包括：
3.根據權利要求2所述的單晶爐的控制方法，其特征在于，在控制所述控制閥關閉所述主室之后，旋開所述副室之前，所述控制方法還包括：
4.根據權利要求2所述的單晶爐的控制方法，其特征在于，在旋回所述副室之后，控制所述控制閥打開所述主室之前，所述控制方法還包括：
5.根據權利要求2所述的單晶爐的控制方法，其特征在于，在旋回所述副室時，手動控制所述籽晶繩穩定。
6.根據權利要求2所述的單晶爐的控制方法，其特征在于，所述副室上設有觀測口。
7.根據權利要求1所...
【專利技術屬性】
技術研發人員：張華利，周聲浪，趙玉兵，王新，宋亞飛，
申請(專利權)人：江蘇協鑫硅材料科技發展有限公司，
類型：發明
國別省市：
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。