【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及晶體制造，更具體地，涉及一種用于單晶爐的防濺裝置和單晶爐。
技術介紹
1、相關技術中，單晶體制造所需的硅料內含氫量偏高，硅料在受熱熔化過程中會出現氫跳現象，容易造成硅液濺出，使得硅液吸附在水冷屏上，降低了單晶體生產的成晶率，影響生產工序。
2、參見相關技術文件cn202111642121.2，公開了水冷屏的下端設置圓環形護套，圓環形護套與水冷屏的下端連接，通過水冷屏和圓環形護套固定在石英坩堝上方，避免水冷屏高溫熔斷或爆裂，且能夠延伸水冷屏的長度，延伸水冷屏的熱折射，有效保證單晶爐內良好的溫度梯度。
3、此單晶爐主要通過圓環形護套延伸水冷屏的長度以避免水冷屏高溫熔斷或爆裂，但是這種方式仍然會發生硅料的氫跳現象，易造成硅液吸附在水冷屏上，降低了晶體生產的成晶率，影響生產工序。
技術實現思路
1、本專利技術旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一。為此，本專利技術的一個目的在于提出一種用于單晶爐的防濺裝置，所述用于單晶爐的防濺裝置能夠確保對水冷屏的防護效果好，確保水冷屏的正常使用，提高單晶體的成晶率與生產質量。
2、本專利技術的另一個目的在于提出一種具有上述防濺裝置的單晶爐。
3、根據本專利技術實施例的用于單晶爐的防濺裝置，包括：所述單晶爐包括坩堝和設于所述坩堝上方的水冷屏，所述水冷屏為環形，所述防濺裝置包括：防護件，所述防護件可拆卸地設于所述水冷屏內，所述防護件形成為環形且至少覆蓋所述水冷屏的靠近所述坩堝的一端的內周壁，所述
4、根據本專利技術實施例的用于單晶爐的防濺裝置，通過防護件可拆卸地設于水冷屏內，防護件形成為環形且至少覆蓋水冷屏的靠近坩堝的一端的內周壁，使得防護件能夠對水冷屏進行防護，避免硅料附著在水冷屏上而影響水冷屏的使用等問題，且在單晶體加工過程中，避免吸附在水冷屏上的硅液掉落至坩堝內而對硅液造成污染，確保單晶體的成晶率，使得單晶體的生產質量好；通過防護件在厚度方向上包括第一防護層和第二防護層，第一防護層和第二防護層層疊設置，能夠有效提高防護件的結構強度，避免防護件變形而影響對水冷屏的防護，確保防護件對水冷屏的防護效果好。
5、另外，根據本專利技術上述實施例的用于單晶爐的防濺裝置還可以具有如下附加的技術特征：
6、根據本專利技術一些實施例的用于單晶爐的防濺裝置，所述水冷屏的內周壁包括傾斜段，所述傾斜段形成為環形，在從下至上的方向上，所述傾斜段朝向遠離所述水冷屏中軸線的方向傾斜延伸，所述防護件在上下方向上包括：抵接部，所述抵接部形成為環形，在從下至上的方向上，所述抵接部朝向所述水冷屏的徑向向外的方向傾斜延伸以與所述水冷屏的內周壁相抵。
7、根據本專利技術的一些實施例，所述水冷屏的內周壁還包括直筒段，所述直筒段形成為環形，所述直筒段的上端與所述傾斜段的下端連接，所述直筒段在上下方向上內徑相同，所述防護件在上下方向上還包括：第一直筒部，所述第一直筒部形成為環形，所述第一直筒部的上端與所述抵接部的下端連接，所述第一直筒部在上下方向上外徑相同，所述第一直筒部位于所述直筒段內。
8、根據本專利技術的一些實施例，所述防護件在上下方向上還包括：第二直筒部，所述第二直筒部形成為環形，所述第二直筒部的下端與所述抵接部的上端連接，所述第二直筒部在上下方向上內徑相同。
9、根據本專利技術的一些實施例，所述防護件在厚度方向上還包括：第三防護層，所述第三防護層位于所述第二防護層的遠離所述第一防護層的一側。
10、根據本專利技術的一些實施例，所述第二防護層為金屬件或碳碳件；和/或，所述第一防護層和所述第三防護層為硅件、石墨件、碳碳件、碳化硅件、纖維增強陶瓷基復合材料件、氮化硅或石英件。
11、根據本專利技術的一些實施例，所述單晶爐包括籽晶繩，所述防濺裝置還包括：吊桿組件，所述吊桿組件的上端與所述籽晶繩連接，所述吊桿組件適于沿上下方向可移動地穿設于所述水冷屏內以將所述防護件放置于所述水冷屏內，所述吊桿組件與所述防護件可拆卸地連接。
12、根據本專利技術的一些實施例，所述防護件的內周壁上設有連接部，所述吊桿組件包括固定件和設于所述固定件上的配合段，所述固定件的上端與所述籽晶繩連接，所述配合段的一端與所述固定件連接，所述配合段的另一端朝向所述固定件的徑向向外的方向延伸，所述連接部為沿所述防護件的周向方向間隔設置的多個，所述配合段為沿所述固定件的周向方向間隔設置的多個，多個所述配合段與多個所述連接部可拆卸地連接。
13、根據本專利技術的一些實施例，所述固定件形成為沿上下方向延伸的桿狀結構。
14、根據本專利技術的一些實施例，所述固定件形成為加料筒，所述配合段的一端與所述加料筒的外周壁連接。
15、根據本專利技術的一些實施例，多個所述配合段與多個所述連接部一一對應的配合；或者，多個所述連接部分為多組，每組所述連接部包括多個所述連接部，多組所述連接部中的多個所述連接部沿所述防護件的周向方向交替排布，每組所述連接部的多個所述連接部與多個所述配合段一一對應的配合。
16、根據本專利技術的一些實施例，所述防護件的下端面延伸至所述水冷屏的下端面的下方。
17、根據本專利技術實施例的單晶爐包括根據本專利技術實施例所述的用于單晶爐的防濺裝置。
18、根據本專利技術實施例的單晶爐，通過防護件可拆卸地設于水冷屏內，防護件形成為環形且至少覆蓋水冷屏的靠近坩堝的一端的內周壁，使得防護件能夠對水冷屏進行防護，避免硅料附著在水冷屏上而影響水冷屏的使用等問題，且在單晶體加工過程中，避免吸附在水冷屏上的硅液掉落至坩堝內而對硅液造成污染，確保單晶體的成晶率，使得單晶體的生產質量好；通過防護件在厚度方向上包括第一防護層和第二防護層，第一防護層和第二防護層層疊設置，能夠有效提高防護件的結構強度，避免防護件變形而影響對水冷屏的防護，確保防護件對水冷屏的防護效果好。
19、本專利技術的附加方面和優點將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本專利技術的實踐了解到。
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1.一種用于單晶爐的防濺裝置，其特征在于，所述單晶爐包括坩堝和設于所述坩堝上方的水冷屏，所述水冷屏為環形，所述防濺裝置包括：
2.根據權利要求1所述的用于單晶爐的防濺裝置，其特征在于，所述水冷屏的內周壁包括傾斜段，所述傾斜段形成為環形，在從下至上的方向上，所述傾斜段朝向遠離所述水冷屏中軸線的方向傾斜延伸，所述防護件在上下方向上包括：
3.根據權利要求2所述的用于單晶爐的防濺裝置，其特征在于，所述水冷屏的內周壁還包括直筒段，所述直筒段形成為環形，所述直筒段的上端與所述傾斜段的下端連接，所述直筒段在上下方向上內徑相同，所述防護件在上下方向上還包括：
4.根據權利要求2所述的用于單晶爐的防濺裝置，其特征在于，所述防護件在上下方向上還包括：
5.根據權利要求1所述的用于單晶爐的防濺裝置，其特征在于，所述防護件在厚度方向上還包括：
6.根據權利要求5所述的用于單晶爐的防濺裝置，其特征在于，所述第二防護層為金屬件或碳碳件；
7.根據權利要求1所述的用于單晶爐的防濺裝置，其特征在于，所述單晶爐包括籽晶繩，所述防濺裝置還包括
8.根據權利要求7所述的用于單晶爐的防濺裝置，其特征在于，所述防護件的內周壁上設有連接部，所述吊桿組件包括固定件和設于所述固定件上的配合段，所述固定件的上端與所述籽晶繩連接，所述配合段的一端與所述固定件連接，所述配合段的另一端朝向所述固定件的徑向向外的方向延伸，所述連接部為沿所述防護件的周向方向間隔設置的多個，所述配合段為沿所述固定件的周向方向間隔設置的多個，多個所述配合段與多個所述連接部可拆卸地連接。
9.根據權利要求8所述的用于單晶爐的防濺裝置，其特征在于，所述固定件形成為沿上下方向延伸的桿狀結構。
10.根據權利要求8所述的用于單晶爐的防濺裝置，其特征在于，所述固定件形成為加料筒，所述配合段的一端與所述加料筒的外周壁連接。
11.根據權利要求8所述的用于單晶爐的防濺裝置，其特征在于，
12.根據權利要求1所述的用于單晶爐的防濺裝置，其特征在于，所述防護件的下端面延伸至所述水冷屏的下端面的下方。
13.一種單晶爐，其特征在于，包括根據權利要求1-12中任一項所述的用于單晶爐的防濺裝置。
...【技術特征摘要】
1.一種用于單晶爐的防濺裝置，其特征在于，所述單晶爐包括坩堝和設于所述坩堝上方的水冷屏，所述水冷屏為環形，所述防濺裝置包括：
2.根據權利要求1所述的用于單晶爐的防濺裝置，其特征在于，所述水冷屏的內周壁包括傾斜段，所述傾斜段形成為環形，在從下至上的方向上，所述傾斜段朝向遠離所述水冷屏中軸線的方向傾斜延伸，所述防護件在上下方向上包括：
3.根據權利要求2所述的用于單晶爐的防濺裝置，其特征在于，所述水冷屏的內周壁還包括直筒段，所述直筒段形成為環形，所述直筒段的上端與所述傾斜段的下端連接，所述直筒段在上下方向上內徑相同，所述防護件在上下方向上還包括：
4.根據權利要求2所述的用于單晶爐的防濺裝置，其特征在于，所述防護件在上下方向上還包括：
5.根據權利要求1所述的用于單晶爐的防濺裝置，其特征在于，所述防護件在厚度方向上還包括：
6.根據權利要求5所述的用于單晶爐的防濺裝置，其特征在于，所述第二防護層為金屬件或碳碳件；
7.根據權利要求1所述的用于單晶爐的防濺裝置，其特征在于，所述單晶爐包括籽晶繩，所述防濺裝...
【專利技術屬性】
技術研發人員：張華利，汪晨，周聲浪，趙玉兵，王新，周永馳，
申請(專利權)人：江蘇協鑫硅材料科技發展有限公司，
類型：發明
國別省市：
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