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    卷曲片層結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電碳及其應(yīng)用制造技術(shù)

    技術(shù)編號:43784870 閱讀:10 留言:0更新日期:2024-12-24 16:19
    本發(fā)明專利技術(shù)公開了卷曲片層結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電碳及其應(yīng)用,卷曲片層結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電碳包括片層卷曲結(jié)構(gòu)導(dǎo)電碳單體和/或片層卷曲結(jié)構(gòu)導(dǎo)電碳堆疊體;卷曲片層結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電碳的微觀結(jié)構(gòu)為碳原子形成的鏈或環(huán),并在進(jìn)一步縮合、組裝成多鏈或多環(huán)形成片層結(jié)構(gòu)時,發(fā)生錯位、多次卷曲而形成中空的三維結(jié)構(gòu);片層卷曲結(jié)構(gòu)導(dǎo)電碳單體呈U或V型折疊、N或M或W型折疊、C或G型卷曲或組合型卷曲;片層卷曲結(jié)構(gòu)導(dǎo)電碳堆疊體是最少兩種片層卷曲結(jié)構(gòu)導(dǎo)電碳單體同時存在;中空三維結(jié)構(gòu)為當(dāng)片層折疊卷曲成三維形態(tài)后,單個卷曲片層內(nèi)未完全封閉、且多個卷曲片層堆疊時仍然不能互相進(jìn)入的空間。本發(fā)明專利技術(shù)具有更好的分散性和很好的彈性,也可以更穩(wěn)定地保持低電阻、高電導(dǎo)。

    【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

    本專利技術(shù)涉及碳材料,具體涉及卷曲片層結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電碳及其應(yīng)用。


    技術(shù)介紹

    1、通常碳材料(除金剛石外)都具有一定的導(dǎo)電性,常被用于提高電絕緣材料(如樹脂等)的導(dǎo)電性,或用于電池、二次電池(可充電鋰電池)的負(fù)極材料、正極包裹材料、導(dǎo)電劑等。近年來隨著新能源行業(yè)的蓬勃發(fā)展,電能儲存需求急增,對二次電池(可充電鋰電池)高比容(單位體積電容量)、高充放電循環(huán)壽命都提出了更高的要求,極大的刺激了導(dǎo)電性碳材料在二次電池中的應(yīng)用需求。雖然,眾所周知,將氣態(tài)烴或者液態(tài)烴氣化后,在有氧條件下部分氧化(部分燃燒),或都在無氧條件下外加高溫,都能裂解能生成固態(tài)的單質(zhì)碳和氫,以及一些烴類副產(chǎn)物。但要得到綜合性能優(yōu)異的導(dǎo)電性碳材料并不容易,首先,從應(yīng)用需求的角度二次電池對導(dǎo)電性碳材料具體性能有很高的要求:1.具有很高的結(jié)構(gòu)性以形成導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò);如:申請?zhí)枮?01480070298的專利所提供的“炭黑和使用該炭黑作為導(dǎo)電劑的二次電池”所述:該炭黑由一次顆粒1的數(shù)量ppa(個)與上述一次顆粒1的粒徑d(nm)之比ppa/d為8以上的炭黑聚集體2構(gòu)成。擁有類似支鏈狀結(jié)構(gòu)的還有sp炭黑、科琴黑,而cnts碳納米管擁有一維長線結(jié)構(gòu)、石墨烯擁有六角網(wǎng)格片狀結(jié)構(gòu),這些結(jié)構(gòu)都有利于導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)的形成。2.具有很高dbp吸油值和bet比表面積;如:申請?zhí)枮?01480070298的專利所提供的“炭黑和使用該炭黑作為導(dǎo)電劑的二次電池”所述:該炭黑(dbp)吸收值為180ml/100g,統(tǒng)一單位和表述后,即:該炭黑dbp吸油值為180ml/g;以及“特開2014-221889”的日本專利“炭黑”所述:該炭黑的特征是滿足以下條件(1)至(3):(1)bet比表面積為350~650m2/g;(2)dbp吸油量為270~340cm3/100g;(3)根據(jù)jisk6217-6中記載的凝聚體直徑的bet比表面積為350~650m2/g,dbp吸油量270~340cm3/100g;其中cm3即ml,統(tǒng)一單位和表述后,即:該炭黑dbp吸油值為270~340ml/g、bet比表面積為350~650m2/g。3.具有很好的分散性。

    2、其次,從碳材料產(chǎn)品和工藝技術(shù)的角度,目前可作為導(dǎo)電性碳材料的有:sp炭黑、科琴黑(炭黑)、乙炔黑(炭黑)、cnts碳納米管、石墨烯等,如上表所示。雖然看起來品種繁多,但根據(jù)目前實(shí)際工業(yè)生產(chǎn)中的工藝和技術(shù),國內(nèi)(焦作市和興化學(xué)工業(yè)有限公司)能量產(chǎn)的只有乙炔黑,雖然乙炔黑也叫導(dǎo)電炭黑,但是從上表數(shù)據(jù)中可以看出,其電導(dǎo)率和bet比表面積和好的產(chǎn)品差距相當(dāng)大,如果將乙炔黑應(yīng)用到二次電池中,必須加大添加比例,這樣就會導(dǎo)致電池中其它重要的活性成分比例降低,導(dǎo)致電池單位體積容量減小、充放電循環(huán)壽命縮短,只能用于低端二次電池;此外生產(chǎn)乙炔黑所需原料為成本高昂的乙炔,使該產(chǎn)品的性價比相當(dāng)?shù)?。而?dǎo)電性能較好的sp炭黑由法國imerys公司的比利時工廠生產(chǎn),導(dǎo)電性能很好的科琴黑由日本獅王特種化學(xué)株式會社生產(chǎn),這兩種產(chǎn)品不僅價格高,還要供給全球電池及非電池市場,其產(chǎn)能卻非常有限,難以長期滿足二次電池行業(yè)發(fā)展需求;至于,碳納米管、石墨烯雖然有更好的導(dǎo)電性能,但是存在制造難度大、難以大規(guī)模量產(chǎn)、制造成本實(shí)在太高的問題,而且實(shí)際應(yīng)用中還需要解決分散性差影響實(shí)際導(dǎo)電效果的問題,只能像“味精”一樣極少量的、搭配使用。除了上述產(chǎn)品和相應(yīng)的工藝技術(shù),其它常規(guī)的碳材料生產(chǎn)技術(shù)難以創(chuàng)造出新的、容易量產(chǎn)擴(kuò)產(chǎn)的導(dǎo)電性碳材料。

    3、此外,像cnts碳納米管、石墨烯這類材料,為了控制碳的結(jié)晶形態(tài)、效率,還需要加入鐵、鎳類催化劑,這樣生成的cnts碳納米管、石墨烯與催化劑混合在一起無法用簡單的篩分方法進(jìn)行分離,而這些金屬成分在二次電池應(yīng)用中是有害的,通常需要使用高溫蒸發(fā)金屬、酸洗等方法,高溫蒸發(fā)存在時間長、能耗高、效率低等問題,酸洗容易造成環(huán)境污染、影響產(chǎn)品質(zhì)量等問題。


    技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

    1、本專利技術(shù)旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中通常碳材料無法滿足電池使用要求的缺點(diǎn),提供卷曲片層結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電碳及其應(yīng)用,卷曲片層結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電碳的結(jié)構(gòu)具有多鏈或多環(huán)的網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu),具有更好的分散性,可形成更大范圍的導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò),卷曲片層結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電碳其中空的空間可進(jìn)一步降低電阻、提高電導(dǎo);同時還具有很好的彈性,可以更穩(wěn)定地保持低電阻、高電導(dǎo)。

    2、本專利技術(shù)的目的是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的:

    3、卷曲片層結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電碳,所述卷曲片層結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電碳包括片層卷曲結(jié)構(gòu)導(dǎo)電碳單體和/或片層卷曲結(jié)構(gòu)導(dǎo)電碳堆疊體;所述卷曲片層結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電碳的微觀結(jié)構(gòu)為碳原子形成的鏈或環(huán),并在進(jìn)一步縮合、組裝成多鏈或多環(huán)形成片層結(jié)構(gòu)時,發(fā)生錯位、多次卷曲而形成中空的三維結(jié)構(gòu);片層卷曲結(jié)構(gòu)導(dǎo)電碳單體是片層向一個方向折疊而呈u或v型折疊,或片層卷曲結(jié)構(gòu)導(dǎo)電碳單體是片層反向、不規(guī)則的多次折疊而呈n或m或w型折疊,或片層卷曲結(jié)構(gòu)導(dǎo)電碳單體是片層在更大的尺度上卷曲而呈c或g型卷曲;或所述片層卷曲結(jié)構(gòu)導(dǎo)電碳單體是u或v型折疊、n或m或w型折疊、c或g型卷曲中至少兩種多次反復(fù)、向不同方向折疊而成的組合型卷曲;所述片層卷曲結(jié)構(gòu)導(dǎo)電碳堆疊體是最少兩種片層卷曲結(jié)構(gòu)導(dǎo)電碳單體同時存在;所述中空三維結(jié)構(gòu)為當(dāng)片層折疊卷曲成三維形態(tài)后,單個卷曲片層內(nèi)未完全封閉、且多個卷曲片層堆疊時仍然不能互相進(jìn)入的空間。

    4、優(yōu)選的,所述片層卷曲結(jié)構(gòu)導(dǎo)電碳堆疊體是u或v型折疊、n或m或w型折疊、c或g型卷曲中至少兩種折疊同時存在的組合型卷曲。

    5、優(yōu)選的,所述卷曲片層結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電碳中的卷曲單體長l為20~2000nm,卷曲單體寬w為20~2000nm,卷曲單體高h(yuǎn)為20~2000nm,片層厚度δ為10~20nm。

    6、優(yōu)選的,所述卷曲片層結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電碳的dbp吸油值為300~800ml/100g,卷曲片層結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電碳的bet比表面積為200~800m2/g。

    7、優(yōu)選的,所述卷曲片層結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電碳的吸碘值為200~1200mg/g,卷曲片層結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電碳的電導(dǎo)率為1~2000s/m。

    8、卷曲片層結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電碳的應(yīng)用,卷曲片層結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電碳與其它碳材料或非碳材料混合得到富含卷曲片層結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電碳材料,所述富含卷曲片層結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電碳材料用于二次電池負(fù)極材料或二次電池正極包裹材料或?qū)щ妱┗蛏靥疾牧稀?/p>

    9、優(yōu)選的,所述富含卷曲片層結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電碳材料包括卷曲片層結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電碳、其他結(jié)構(gòu)的碳和非碳雜質(zhì),所述卷曲片層結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電碳含量≥95%,所述其他結(jié)構(gòu)的碳含量≤4%,所述非碳雜質(zhì)含量≤1%。

    10、優(yōu)選的,所述其他結(jié)構(gòu)的碳包括無定形碳、炭黑和其他形式的碳。

    11、優(yōu)選的,所述非碳雜質(zhì)包括灰分和揮發(fā)分。

    12、本技術(shù)方案的有益效果如下:

    13、一、本專利技術(shù)提供的卷曲片層結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電碳,卷曲片層結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電碳的微觀結(jié)構(gòu)為碳原子形成的鏈或環(huán),并在進(jìn)一步縮合、組裝成多鏈或多環(huán)形成片層結(jié)構(gòu)時,發(fā)生錯位、多次卷曲而形成中空的三維結(jié)構(gòu):一方面相對于sp炭黑、科琴黑、乙炔黑、cnts碳納米管等,具有更復(fù)雜的多鏈或多環(huán)結(jié)構(gòu),存在更本文檔來自技高網(wǎng)...

    【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】

    1.卷曲片層結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電碳,其特征在于:所述卷曲片層結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電碳包括片層卷曲結(jié)構(gòu)導(dǎo)電碳單體和/或片層卷曲結(jié)構(gòu)導(dǎo)電碳堆疊體;所述卷曲片層結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電碳的微觀結(jié)構(gòu)為碳原子形成的鏈或環(huán),并在進(jìn)一步縮合、組裝成多鏈或多環(huán)形成片層結(jié)構(gòu)時,發(fā)生錯位、多次卷曲而形成中空的三維結(jié)構(gòu);片層卷曲結(jié)構(gòu)導(dǎo)電碳單體是片層向一個方向折疊而呈U或V型折疊,或片層卷曲結(jié)構(gòu)導(dǎo)電碳單體是片層反向、不規(guī)則的多次折疊而呈N或M或W型折疊,或片層卷曲結(jié)構(gòu)導(dǎo)電碳單體是片層在更大的尺度上卷曲而呈C或G型卷曲;或所述片層卷曲結(jié)構(gòu)導(dǎo)電碳單體是U或V型折疊、N或M或W型折疊、C或G型卷曲中至少兩種多次反復(fù)、向不同方向折疊而成的組合型卷曲;所述片層卷曲結(jié)構(gòu)導(dǎo)電碳堆疊體是最少兩種片層卷曲結(jié)構(gòu)導(dǎo)電碳單體同時存在;所述中空三維結(jié)構(gòu)為當(dāng)片層折疊卷曲成三維形態(tài)后,單個卷曲片層內(nèi)未完全封閉、且多個卷曲片層堆疊時仍然不能互相進(jìn)入的空間。

    2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的卷曲片層結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電碳,其特征在于:所述卷曲片層結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電碳中的卷曲單體長L為20~2000nm,卷曲單體寬W為20~2000nm,卷曲單體高H為20~2000nm,片層厚度δ為10~20nm。

    3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的卷曲片層結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電碳,其特征在于:所述卷曲片層結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電碳的DBP吸油值為300~800ml/100g,卷曲片層結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電碳的BET比表面積為200~800m2/g。

    4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的卷曲片層結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電碳,其特征在于:所述卷曲片層結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電碳的吸碘值為200~1200mg/g,卷曲片層結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電碳的電導(dǎo)率為1~2000S/m。

    5.卷曲片層結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電碳的應(yīng)用,其特征在于:所述卷曲片層結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電碳與其它碳材料或非碳材料混合得到富含卷曲片層結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電碳材料,所述富含卷曲片層結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電碳材料用于二次電池負(fù)極材料或二次電池正極包裹材料或?qū)щ妱┗蛏靥疾牧稀?/p>

    6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的卷曲片層結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電碳的應(yīng)用,其特征在于:所述富含卷曲片層結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電碳材料包括卷曲片層結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電碳、其他結(jié)構(gòu)的碳和非碳雜質(zhì),所述卷曲片層結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電碳含量≥95%,所述其他結(jié)構(gòu)的碳含量≤4%,所述非碳雜質(zhì)含量≤1%。

    7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的卷曲片層結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電碳的應(yīng)用,其特征在于:所述其他結(jié)構(gòu)的碳包括無定形碳、炭黑和其他形式的碳。

    8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的卷曲片層結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電碳的應(yīng)用,其特征在于:所述非碳雜質(zhì)包括灰分和揮發(fā)分。

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    【技術(shù)特征摘要】

    1.卷曲片層結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電碳,其特征在于:所述卷曲片層結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電碳包括片層卷曲結(jié)構(gòu)導(dǎo)電碳單體和/或片層卷曲結(jié)構(gòu)導(dǎo)電碳堆疊體;所述卷曲片層結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電碳的微觀結(jié)構(gòu)為碳原子形成的鏈或環(huán),并在進(jìn)一步縮合、組裝成多鏈或多環(huán)形成片層結(jié)構(gòu)時,發(fā)生錯位、多次卷曲而形成中空的三維結(jié)構(gòu);片層卷曲結(jié)構(gòu)導(dǎo)電碳單體是片層向一個方向折疊而呈u或v型折疊,或片層卷曲結(jié)構(gòu)導(dǎo)電碳單體是片層反向、不規(guī)則的多次折疊而呈n或m或w型折疊,或片層卷曲結(jié)構(gòu)導(dǎo)電碳單體是片層在更大的尺度上卷曲而呈c或g型卷曲;或所述片層卷曲結(jié)構(gòu)導(dǎo)電碳單體是u或v型折疊、n或m或w型折疊、c或g型卷曲中至少兩種多次反復(fù)、向不同方向折疊而成的組合型卷曲;所述片層卷曲結(jié)構(gòu)導(dǎo)電碳堆疊體是最少兩種片層卷曲結(jié)構(gòu)導(dǎo)電碳單體同時存在;所述中空三維結(jié)構(gòu)為當(dāng)片層折疊卷曲成三維形態(tài)后,單個卷曲片層內(nèi)未完全封閉、且多個卷曲片層堆疊時仍然不能互相進(jìn)入的空間。

    2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的卷曲片層結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電碳,其特征在于:所述卷曲片層結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電碳中的卷曲單體長l為20~2000nm,卷曲單體寬w為20~2000nm,卷曲單體高h(yuǎn)為20~2000nm,片層厚度δ為10~20nm。

    3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的卷曲片層結(jié)構(gòu)的...

    【專利技術(shù)屬性】
    技術(shù)研發(fā)人員:周川周聰,羅世雄,劉毅,曾濤,陳俊宇,
    申請(專利權(quán))人:四川光翼新能源技術(shù)研究有限責(zé)任公司,
    類型:發(fā)明
    國別省市:

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