【技術實現步驟摘要】
本公開涉及具有覆蓋標記的光刻掩模及相關方法。
技術介紹
1、半導體集成電路(ic)行業經歷了指數級的增長。在ic材料和設計方面的技術進步已經產生了一代又一代的ic，其中每一代都比上一代具有更小和更復雜的電路。在ic的演進過程中，功能密度(即，每個芯片面積的互連器件的數量)通常增加，而幾何尺寸(即，可以使用制造工藝創建的最小組件(或線))減小。這種按比例縮小的過程通常會通過提高生產效率和降低相關成本來提供好處。這樣的按比例縮小也增加了加工和制造ic的復雜性。
技術實現思路
1、根據本公開的一個實施例，提供了一種形成半導體器件的方法，包括：生成與要在掩模中形成的實際掩模覆蓋標記相關聯的設計掩模覆蓋標記；基于所述設計掩模覆蓋標記在所述掩模中形成所述實際掩模覆蓋標記，所述實際掩模覆蓋標記包括多個覆蓋圖案；形成與所述實際掩模覆蓋標記相鄰的器件特征圖案；通過包括光源的掩模測量裝置形成所述掩模的對準，所述光源具有波長和數值孔徑，其中，所述多個覆蓋圖案中的相鄰兩個覆蓋圖案之間的間距不超過所述波長除以兩倍的所述數值孔徑；以及在所述掩模處于所述對準時，通過轉移所述器件特征圖案來在晶圓的層中形成圖案。
2、根據本公開的一個實施例，提供了一種形成半導體器件的方法，包括：基于設計掩模覆蓋標記在掩模中形成實際掩模覆蓋標記，所述實際掩模覆蓋標記包括多個覆蓋圖案，所述多個覆蓋圖案中的每個覆蓋圖案的尺寸都不超過約第一波長除以兩倍的第一數值孔徑，所述第一波長和所述第一數值孔徑與光刻掃描儀的第一光源相關聯；
3、根據本公開的一個實施例，提供了一種掩模，包括：器件特征圖案；以及掩模覆蓋標記，與所述器件特征圖案相鄰，所述掩模覆蓋標記包括多個覆蓋圖案，其中，從俯視圖看：所述多個覆蓋圖案中的每個覆蓋圖案的尺寸都沒有超過約100納米(nm)；以及所述多個覆蓋圖案中的相鄰兩個覆蓋圖案之間的第一間距小于約2x(λ/(4·na))，λ是掩模測量裝置的測量光的波長，并且na是所述測量光的數值孔徑。
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1.一種形成半導體器件的方法，包括：
2.根據權利要求1所述的方法，其中，形成對準包括：通過所述掩模測量裝置確定所述實際掩模覆蓋標記和所述設計掩模覆蓋標記之間的覆蓋偏移。
3.根據權利要求2所述的方法，其中，確定覆蓋偏移包括：
4.根據權利要求1所述的方法，其中，所述波長為266nm，所述數值孔徑為0.8，并且所述間距不超過166nm。
5.根據權利要求1所述的方法，其中，所述多個覆蓋圖案中的每個覆蓋圖案的尺寸都不超過100納米(nm)。
6.根據權利要求1所述的方法，其中：
7.根據權利要求6所述的方法，其中，所述第二波長為13.5nm，所述第二數值孔徑為0.33，并且所述尺寸不超過20nm。
8.一種形成半導體器件的方法，包括：
9.根據權利要求8所述的方法，其中，所述多個覆蓋圖案中的每個覆蓋圖案具有寬度和長度，所述寬度與所述長度具有相同的大小。
10.一種掩模，包括：
【技術特征摘要】
1.一種形成半導體器件的方法，包括：
2.根據權利要求1所述的方法，其中，形成對準包括：通過所述掩模測量裝置確定所述實際掩模覆蓋標記和所述設計掩模覆蓋標記之間的覆蓋偏移。
3.根據權利要求2所述的方法，其中，確定覆蓋偏移包括：
4.根據權利要求1所述的方法，其中，所述波長為266nm，所述數值孔徑為0.8，并且所述間距不超過166nm。
5.根據權利要求1所述的方法，其中，所述多個覆蓋圖案中的每...
【專利技術屬性】
技術研發人員：李承曄，余青芳，黃學位，何彥政，林威成，尹新逸，
申請(專利權)人：臺灣積體電路制造股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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