【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及一種高效低成本改性微納米氧化鋅基粉體材料制備方法，屬于微納米氧化鋅基粉體。
技術介紹
1、納米氧化鋅被廣泛用于墻磚釉、地磚全拋釉、仿古釉、衛浴釉、日用瓷釉及工藝餐具等領域。在陶瓷墻地磚釉料與低溫瓷釉料中，納米氧化鋅用量較多，其助熔作用和釉料載體作用顯著，在陶瓷中加入納米氧化鋅，可以增加其硬度、亮度和色澤，也可均衡著釉，簡化制作過程。
2、當前，納米氧化鋅的制備方法主要有兩類，一類是有火法制備或濕法制備，這類納米氧化鋅的缺點是表面能過大，容易引起陶瓷液漿觸變導致無法施釉或者存在施釉缺陷，同時還會因為有害雜質和酸堿性物質的存在給陶瓷和釉面帶來氣孔氣泡及表面無光等缺陷。另一類是通過煅燒重質氧化鋅制備，是以氧化鋅生鋅為原料再次煅燒而成，這一類型納米氧化鋅表面能低，解決了陶瓷液漿觸變等問題，缺點是顆粒粒徑較大，易沉淀，在陶瓷內部易產生結構不穩定、結界明顯及釉面粗糙等問題。這兩類納米氧化鋅制備方法均存在流程復雜、制備的納米氧化鋅性能較差，因此，當前納米氧化鋅的制備方法存在制備效果差、制備成本高的問題。
技術實現思路
1、本專利技術提供一種高效低成本改性微納米氧化鋅基粉體材料制備方法、裝置及計算機可讀存儲介質，其主要目的在于解決當前納米氧化鋅的制備方法存在制備效果差、制備成本高的問題。
2、為實現上述目的，本專利技術提供的一種高效低成本改性微納米氧化鋅基粉體材料制備方法，包括：
3、根據預設的微粉粒徑區間及微粉粒徑梯度設定微粉粒徑序列，根據預設的
4、在所述初始粉體制備矩陣中依次提取粒徑頻率參數，根據所述粒徑頻率參數進行氣流磨試驗，得到氣流磨粉體，對所述氣流磨粉體進行粒徑分布測定，得到粒徑分布曲線集；
5、獲取氧化鋅基粉體的最佳粒徑區間，根據所述最佳粒徑區間在所述粒徑分布曲線集中截取最佳分布曲段集；
6、根據預設的分布評分公式，計算所述最佳分布曲段集中每一個最佳分布曲段的粒徑分布評分，得到粒徑分布評分集，其中，所述分布評分公式如下所示：
7、
8、其中，表示所述最佳分布曲段集中第i個最佳分布曲段的粒徑分布評分，j表示最佳粒徑區間內最佳分布曲段的取樣點數，表示第i個最佳分布曲段中第j-1個取樣點的體積分數，表示第i個最佳分布曲段中第j個取樣點的體積分數，d表示取樣點間距；
9、將所述粒徑分布評分集填充至所述初始粉體制備矩陣，得到目標粉體制備矩陣；
10、根據所述目標粉體制備矩陣繪制三維散點分布圖，在所述三維散點分布圖中識別最大評分散點，根據所述最大評分散點在所述三維散點分布圖中提取目標臨近散點集；
11、在所述目標臨近散點集中依次提取目標臨近散點，連接所述目標臨近散點及所述最大評分散點，得到目標三維評分線段；
12、根據預設的插值細化數在所述目標三維評分線段中進行插值映射，得到二維插值點集，根據所述二維插值點集構建二維插值網格；
13、在所述二維插值網格中依次提取二維插值網點，根據所述二維插值網點進行氣流磨試驗并進行粒徑分布測定，得到細化分布曲線集；
14、根據所述最佳粒徑區間及所述細化分布曲線集繪制細化散點分布圖，在所述細化散點分布圖中提取最大細化散點，識別所述最大細化散點的目標微粉粒徑及目標頻率參數；
15、根據所述目標微粉粒徑及目標頻率參數，利用預設的氧化鋅制備流程制備改性微納米氧化鋅基粉體材料。
16、可選地，所述根據所述微粉粒徑序列及氣流磨頻率序列構建初始粉體制備矩陣，包括：
17、根據所述微粉粒徑序列及氣流磨頻率序列分別構建矩陣橫向因素序列及矩陣縱向因素序列；
18、根據所述矩陣橫向因素序列及矩陣縱向因素序列構建初始粉體制備矩陣。
19、可選地，所述對所述氣流磨粉體進行粒徑分布測定，得到粒徑分布曲線集，包括：
20、獲取氣流磨粒徑序列，在所述氣流磨粒徑序列中依次提取氣流磨粒徑，測定所述氣流磨粒徑的體積分數；
21、根據所述氣流磨粒徑及所述體積分數在預構建的粒徑分數二維坐標系中進行描點，得到粒徑分數散點集；
22、擬合所述粒徑分數散點集，得到粒徑分布曲線，匯總各個粒徑頻率參數的粒徑分布曲線，得到粒徑分布曲線集。
23、可選地，所述獲取氧化鋅基粉體的最佳粒徑區間，包括：
24、獲取粒徑取值區間，根據預設的終止調控步長在所述粒徑取值區間中依次選取終止域值，根據所述終止域值在所述粒徑取值區間中截取終止取值區間，根據預設的起始調控步長在所述終止取值區間中依次選取起始域值，得到起始域值序列；
25、根據所述起始域值序列及所述終止域值構建所述終止取值區間的粒徑區間集，得到多組粒徑區間集；
26、在所述多組粒徑區間集中依次提取粒徑區間，根據所述粒徑區間制備氧化鋅基粉體材料；
27、對所述氧化鋅基粉體材料進行陶瓷釉用性能評估，得到性能評估值集；
28、在所述性能評估值集中提取最佳性能評估值，識別所述最佳性能評估值對應的最佳粒徑區間。
29、可選地，所述根據所述目標粉體制備矩陣繪制三維散點分布圖，包括：
30、獲取三維散點坐標系，其中，所述三維散點坐標系的x軸表示微粉粒徑，y軸表示分級輪頻率，z軸表示粒徑分布評分；
31、在所述目標粉體制備矩陣中依次提取粒徑分布評分，識別所述粒徑分布評分對應的標識微粉粒徑及標識分級輪頻率；
32、根據所述標識微粉粒徑、標識分級輪頻率及粒徑分布評分在所述三維散點坐標系中進行描點，得到三維散點分布圖。
33、可選地，所述根據所述最大評分散點在所述三維散點分布圖中提取目標臨近散點集，包括：
34、識別所述最大評分散點的評分二維坐標，在所述三維散點坐標系中識別所述評分二維坐標對應的橫向左臨近坐標、橫向右臨近坐標、縱向上臨近坐標及縱向下臨近坐標；
35、根據所述橫向左臨近坐標、橫向右臨近坐標、縱向上臨近坐標及縱向下臨近坐標在所述三維散點分布圖中提取橫向左臨近散點、橫向右臨近散點、縱向上臨近散點及縱向下臨近散點，得到目標臨近散點集。
36、可選地，所述根據預設的插值細化數在所述目標三維評分線段中進行插值映射，得到二維插值點集，包括：
37、根據所述目標臨近散點及所述最大評分散點利用預構建的面積公式計算所述目標三維評分線段的投影面積，其中，所述面積公式如下所示：
38、
39、其中，s表示投影面積，表示橫向左臨近散點的粒徑分布評分，表示橫向右臨近散點的粒徑分布評分，l1表示微粉粒徑梯度，表示縱向上臨近散點的粒徑分布評分，表示縱向下臨近散點的粒徑分布評分，l2表示分級輪頻率梯度；
40、根據所述插值細化數及所述投影面積，利用下式計算插值本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種高效低成本改性微納米氧化鋅基粉體材料制備方法，其特征在于，所述方法包括：
2.如權利要求1所述的高效低成本改性微納米氧化鋅基粉體材料制備方法，其特征在于，所述根據所述微粉粒徑序列及氣流磨頻率序列構建初始粉體制備矩陣，包括：
3.如權利要求1所述的高效低成本改性微納米氧化鋅基粉體材料制備方法，其特征在于，所述對所述氣流磨粉體進行粒徑分布測定，得到粒徑分布曲線集，包括：
4.如權利要求1所述的高效低成本改性微納米氧化鋅基粉體材料制備方法，其特征在于，所述獲取氧化鋅基粉體的最佳粒徑區間，包括：
5.如權利要求1所述的高效低成本改性微納米氧化鋅基粉體材料制備方法，其特征在于，所述根據所述目標粉體制備矩陣繪制三維散點分布圖，包括：
6.如權利要求5所述的高效低成本改性微納米氧化鋅基粉體材料制備方法，其特征在于，所述根據所述最大評分散點在所述三維散點分布圖中提取目標臨近散點集，包括：
7.如權利要求1所述的高效低成本改性微納米氧化鋅基粉體材料制備方法，其特征在于，所述根據預設的插值細化數在所述目標三維評分線段中進
8.如權利要求2所述的高效低成本改性微納米氧化鋅基粉體材料制備方法，其特征在于，所述根據所述二維插值點集構建二維插值網格，包括：
9.如權利要求8所述的高效低成本改性微納米氧化鋅基粉體材料制備方法，其特征在于，所述根據所述最佳粒徑區間及所述細化分布曲線集繪制細化散點分布圖，包括：
10.如權利要求1所述的高效低成本改性微納米氧化鋅基粉體材料制備方法，其特征在于，所述根據所述目標微粉粒徑及目標頻率參數，利用預設的氧化鋅制備流程制備改性微納米氧化鋅基粉體材料，包括：
...【技術特征摘要】
1.一種高效低成本改性微納米氧化鋅基粉體材料制備方法，其特征在于，所述方法包括：
2.如權利要求1所述的高效低成本改性微納米氧化鋅基粉體材料制備方法，其特征在于，所述根據所述微粉粒徑序列及氣流磨頻率序列構建初始粉體制備矩陣，包括：
3.如權利要求1所述的高效低成本改性微納米氧化鋅基粉體材料制備方法，其特征在于，所述對所述氣流磨粉體進行粒徑分布測定，得到粒徑分布曲線集，包括：
4.如權利要求1所述的高效低成本改性微納米氧化鋅基粉體材料制備方法，其特征在于，所述獲取氧化鋅基粉體的最佳粒徑區間，包括：
5.如權利要求1所述的高效低成本改性微納米氧化鋅基粉體材料制備方法，其特征在于，所述根據所述目標粉體制備矩陣繪制三維散點分布圖，包括：
6.如權利要求5所述的高效低成本改性微納米氧化鋅基粉體材料制備方法，其...
【專利技術屬性】
技術研發人員：姚紀旺，
申請(專利權)人：佛山市鑫科院科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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