【技術實現步驟摘要】
本申請涉及超導mri，特別涉及一種超導mri失超保護電路。
技術介紹
1、當滿足特定的溫度、磁場、電流密度條件時，線圈會呈現出超導特性。在mri設備正常運行中，當特定運行條件被破壞，線圈將會失超，產生的焦耳熱會使局部升溫過高帶來mri設備被燒壞的風險，同時失超后瞬間產生的高電壓會導致線圈匝與匝、層與層間被擊穿，產生電弧燒壞線圈，此外，高電壓引發的電流突變會導致線圈過應力問題。因此，需要對超導mri失超保護電路進行研究，以避免失超時線圈過熱以及過電流對mri設備的損害。
2、現有技術中，中國專利cn118841917a公開了超導磁體的失超保護裝置、失超保護方法及磁共振系統，所述失超保護裝置包括：失超保護開關組件；加熱支路，并聯設置在失超保護開關的兩端，且與各磁體線圈組熱耦合；至少一個失超加熱電路，與至少一個磁體線圈組并聯連接，且與至少一個第一加熱器連接形成失超加熱回路，用于當至少一個磁體線圈組兩端的電壓大于第一電壓且小于第二電壓時，控制至少一個第一加熱器對失超保護開關加熱，使得加熱支路對各磁體線圈組加熱以進行失超傳播。
3、然而，上述現有技術中，失超保護電路雖然通過加熱器消耗了超導線圈失超能量，但造成了較大的能量損失，失超能量的回收利用率較低。
技術實現思路
1、本申請提供了一種超導mri失超保護電路，用以解決現有的失超保護電路對失超能量的回收利用率較低的問題。
2、一方面，本申請提供了一種超導mri失超保護電路，包括：超導線圈l、儲能電感lm、第
3、所述超導線圈l與所述勵磁電源e串聯。
4、所述儲能電感lm與所述第一二極管對d1串聯，所述儲能電感lm和所述第一二極管對d1還共同與所述超導線圈l并聯，形成保護回路。
5、在一種可能的實現方式中，所述保護回路設置有若干個，若干個保護回路串聯，形成分段保護回路。
6、在一種可能的實現方式中，所述分段保護回路的一端的超導線圈l和第一二極管對d1之間串聯有第一開關s1。
7、所述第一開關s1并聯有加熱支路。
8、所述加熱支路包括若干個串聯的加熱器h，每個加熱器h與一個超導線圈l熱耦合。
9、在一種可能的實現方式中，所述分段保護回路并聯有第二二極管對d2。
10、在一種可能的實現方式中，所述第二二極管對d2包括兩個反向并聯的二極管。
11、在一種可能的實現方式中，所述分段保護回路并聯有超導開關r。
12、在一種可能的實現方式中，所述第一二極管對d1包括兩個反向并聯的二極管。
13、在一種可能的實現方式中，所述勵磁電源e串聯有第二開關s2。
14、本申請中的一種超導mri失超保護電路，具有以下優點：
15、通過將儲能電感lm與第一二極管對d1串聯后共同與超導線圈l并聯，儲能電感lm存儲超導線圈l失超時釋放的能量，并用儲能電感lm存儲的能量為下一次勵磁供能，提高了超導mri失超能量的回收利用率。
16、提出的保護回路設置有若干個，若干個保護回路串聯，形成分段保護回路，通過分段保護的方式提高了超導mri失超能量的回收利用均勻性和高效性。
17、提出的第一開關s1并聯有加熱支路，加熱支路包括若干個串聯的加熱器h，每個加熱器h與一個超導線圈l熱耦合，當發生局部失超時，流過相應超導線圈l的電流減小，其余電流通過旁路第一二極管對d1和加熱器h，由于每段加熱器h相串聯，電流流過其余加熱器h能夠加速失超過程，避免mri設備的過熱和過壓危害；同時，發生局部失超時，流過相應超導線圈l的電流減小還導致對應的磁通減少，進而使得加熱器h線圈內磁通變化，產生感應電動勢與感應電流，電流流過其余加熱器h，進一步加速失超過程；通過第一開關s1的斷開實現超導mri失超能量對加熱器h進行加熱的同時，部分能量存儲在儲能電感lm中，通過第一開關s1的閉合實現加熱支路的短路，使得儲能電感lm中存儲的能量釋放，為下一次勵磁供能。
18、提出的分段保護回路并聯有第二二極管對d2，還并聯有超導開關r，勵磁時，超導開關r失超，其支路處于斷開狀態，當勵磁結束，超導開關r閉合，超導線圈l形成閉合回路，開始正常工作。當超導線圈l失超時，第二二極管對d2用于鉗位超導線圈l上產生的電壓，起到保護整個電路的作用。
19、提出的第一二極管對d1，用于隔絕勵磁過程中電感電壓，防止電流流過儲能電感lm，同時防止加熱器h誤動作。
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1.一種超導MRI失超保護電路，其特征在于，包括：超導線圈L、儲能電感Lm、第一二極管對D1和勵磁電源E；
2.根據權利要求1所述的一種超導MRI失超保護電路，其特征在于，所述保護回路設置有若干個，若干個保護回路串聯，形成分段保護回路。
3.根據權利要求2所述的一種超導MRI失超保護電路，其特征在于，所述分段保護回路的一端的超導線圈L和第一二極管對D1之間串聯有第一開關S1；
4.根據權利要求2所述的一種超導MRI失超保護電路，其特征在于，所述分段保護回路并聯有第二二極管對D2。
5.根據權利要求4所述的一種超導MRI失超保護電路，其特征在于，所述第二二極管對D2包括兩個反向并聯的二極管。
6.根據權利要求2所述的一種超導MRI失超保護電路，其特征在于，所述分段保護回路并聯有超導開關R。
7.根據權利要求1所述的一種超導MRI失超保護電路，其特征在于，所述第一二極管對D1包括兩個反向并聯的二極管。
8.根據權利要求1所述的一種超導MRI失超保護電路，其特征在于，所述勵磁電源E串聯有第二開關S2。<...
【技術特征摘要】
1.一種超導mri失超保護電路，其特征在于，包括：超導線圈l、儲能電感lm、第一二極管對d1和勵磁電源e；
2.根據權利要求1所述的一種超導mri失超保護電路，其特征在于，所述保護回路設置有若干個，若干個保護回路串聯，形成分段保護回路。
3.根據權利要求2所述的一種超導mri失超保護電路，其特征在于，所述分段保護回路的一端的超導線圈l和第一二極管對d1之間串聯有第一開關s1；
4.根據權利要求2所述的一種超導mri失超保護電路，其特征在于，所述分段保護回路...
【專利技術屬性】
技術研發人員：張毅軒，閆果，王大友，張嘉，
申請(專利權)人：西安聚能醫工科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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