【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專(zhuān)利技術(shù)屬于真空回流焊，尤其涉及新型真空reflow焊接封裝方法。
技術(shù)介紹
1、在傳統(tǒng)的半導(dǎo)體封裝過(guò)程中，tsp?psop20?db工序中使用的錫膏通常采用含鉛錫膏，例如pbsn5ag2.5，作為焊接劑進(jìn)行生產(chǎn)。這種錫膏含有大量的助焊劑，用于提高焊接的潤(rùn)濕性并去除金屬表面的氧化物。然而，使用普通reflow回流焊機(jī)臺(tái)進(jìn)行固化后，產(chǎn)品上往往會(huì)留下助焊劑的印記，這些殘留物難以完全清洗掉。在wb(wire?bonding，即焊線/線鍵合)生產(chǎn)過(guò)程中，這些殘留物會(huì)嚴(yán)重影響打線質(zhì)量，造成產(chǎn)品不良，降低成品率。
2、為了解決這一問(wèn)題，需要對(duì)現(xiàn)有的生產(chǎn)工藝進(jìn)行改善。傳統(tǒng)的reflow焊接技術(shù)在焊接過(guò)程中使用助焊劑，這雖然有助于焊料對(duì)金屬的潤(rùn)濕，但同時(shí)也帶來(lái)了一系列問(wèn)題，如空洞的形成和助焊劑殘留物對(duì)后續(xù)工藝的影響。空洞是由于助焊劑中的液體成分在高溫下脫氣和蒸發(fā)造成的，這可能導(dǎo)致焊接后的芯片表面出現(xiàn)局部熱點(diǎn)，增加應(yīng)力和疲勞裂紋的風(fēng)險(xiǎn)。此外，助焊劑殘留物與水蒸氣反應(yīng)可能在零件表面形成酸性溶液，影響設(shè)備的長(zhǎng)期可靠性。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、針對(duì)上述情況，為克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，本專(zhuān)利技術(shù)通過(guò)甲酸回流焊技術(shù)配合無(wú)助焊劑錫膏進(jìn)行焊接能極大的減少傳統(tǒng)焊接過(guò)程中的助焊劑影響。
2、為了實(shí)現(xiàn)上述目的，采用了如下技術(shù)方案：本專(zhuān)利技術(shù)提供了新型真空reflow焊接封裝方法，包括：
3、準(zhǔn)備晶圓；
4、將所述晶圓切割成單顆晶片；
5、將所述晶片通過(guò)不含助焊劑的錫
6、將所述晶片通過(guò)甲酸回流工序焊接在所述銅框架表面；
7、將所述晶片上的金屬接點(diǎn)通過(guò)焊線工藝與所述銅框架上的金屬連接點(diǎn)相連；
8、對(duì)所述晶片進(jìn)行aoi外觀檢測(cè)；
9、將所述銅框架、晶片與焊線通過(guò)塑封材料包封起來(lái)；
10、通過(guò)加熱使所述塑封材料固化；
11、于所述產(chǎn)品表面進(jìn)行鐳射蓋印。
12、進(jìn)一步地，通過(guò)所述鐳射蓋印注明產(chǎn)品的型號(hào)、規(guī)格等信息。
13、進(jìn)一步地，于所述產(chǎn)品表面進(jìn)行鐳射蓋印前，對(duì)封裝后的產(chǎn)品電鍍或烘烤。
14、進(jìn)一步地，于所述產(chǎn)品表面進(jìn)行鐳射蓋印后，對(duì)所述產(chǎn)品進(jìn)行切單顆。
15、進(jìn)一步地，于所述產(chǎn)品表面進(jìn)行鐳射蓋印后，對(duì)所述產(chǎn)品進(jìn)行引腳成型工藝。
16、本專(zhuān)利技術(shù)的有益效果是：
17、(1)本專(zhuān)利技術(shù)的甲酸回流焊技術(shù)配合無(wú)助焊劑錫膏進(jìn)行焊接能極大的減少傳統(tǒng)焊接過(guò)程中的助焊劑殘留的影響；
18、(2)本專(zhuān)利技術(shù)通過(guò)甲酸真空回流焊可以去除表面氧化物，保護(hù)焊接處不受氧化影響，提高焊接質(zhì)量；
19、(3)本專(zhuān)利技術(shù)的方法對(duì)環(huán)境友好，甲酸在高溫下分解產(chǎn)生的co2和水均為無(wú)害物質(zhì),不會(huì)對(duì)環(huán)境造成污染。
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1.新型真空Reflow焊接封裝方法，其特征在于：包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型真空Reflow焊接封裝方法，其特征在于：通過(guò)所述鐳射蓋印注明產(chǎn)品的型號(hào)、規(guī)格等信息。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型真空Reflow焊接封裝方法，其特征在于：于所述產(chǎn)品表面進(jìn)行鐳射蓋印前，對(duì)封裝后的產(chǎn)品電鍍或烘烤。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型真空Reflow焊接封裝方法，其特征在于：于所述產(chǎn)品表面進(jìn)行鐳射蓋印后，對(duì)所述產(chǎn)品進(jìn)行切單顆。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型真空Reflow焊接封裝方法，其特征在于：于所述產(chǎn)品表面進(jìn)行鐳射蓋印后，對(duì)所述產(chǎn)品進(jìn)行引腳成型工藝。
【技術(shù)特征摘要】
1.新型真空reflow焊接封裝方法，其特征在于：包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型真空reflow焊接封裝方法，其特征在于：通過(guò)所述鐳射蓋印注明產(chǎn)品的型號(hào)、規(guī)格等信息。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型真空reflow焊接封裝方法，其特征在于：于所述產(chǎn)品表面進(jìn)行鐳射蓋印前，對(duì)封...
【專(zhuān)利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：李安艷，
申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人：日月新半導(dǎo)體蘇州有限公司，
類(lèi)型：發(fā)明
國(guó)別省市：
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