【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體功率器件封裝領域，具體而言，涉及一種芯片組件。
技術介紹
1、在功率器件的設計與制造中，芯片表面的鍵合區（如柵極區）與外部電路的連接是通過焊線或導電帶等互連構件實現的。為了最大化芯片的通流能力，設計傾向于擴大源極面積，這不可避免地壓縮了鍵合區的大小。鍵合區的縮小，雖然有利于提升功率器件的電學性能，仍存在以下問題：
2、1、鍵合工藝操作的難度增加：小鍵合區使得焊線鍵合的操作空間受限，增加了鍵合工藝操作的難度，限制了鍵合線的線徑選擇，從而影響了功率器件的電氣參數，如寄生電感和電阻。
3、2、機械損傷風險：直接在芯片表面進行焊線鍵合，易對鍵合區造成機械損傷，影響芯片的封裝質量和功率器件的長期可靠性。
4、3、散熱性能受限：小鍵合區限制了散熱路徑的有效面積。在高功率應用中，良好的散熱對于功率器件的性能和壽命至關重要。
技術實現思路
1、本專利技術的主要目的在于提供一種芯片組件，以解決相關技術中的鍵合工藝操作困難的問題。
2、為了實現上述目的，本專利技術提供了一種芯片組件，包括：芯片，芯片上設置有第一鍵合區；擴大結構，與第一鍵合區疊置設置，擴大結構包括絕緣基體及設置在絕緣基體上的第二鍵合區，第二鍵合區與第一鍵合區導電連接，第二鍵合區的面積大于第一鍵合區的面積。
3、進一步地，第二鍵合區通過導電片與第一鍵合區導電連接。
4、進一步地，芯片組件還包括與第二鍵合區導電連接的散熱件。
5、進一步地
6、進一步地，散熱件上設置有第一散熱通道。
7、進一步地，第一散熱通道包括貫通散熱件的側壁設置的散熱通孔。
8、進一步地，散熱件包括散熱柱，散熱通孔為多個，多個散熱通孔呈放射狀地間隔設置在散熱柱上。
9、進一步地，第一散熱通道為多個，多個第一散熱通道沿擴大結構與第一鍵合區疊置的方向間隔設置。
10、進一步地，第一散熱通道包括沿散熱件的周向延伸設置的散熱環槽。
11、進一步地，散熱件包括與第二鍵合區導電連接的承載芯體及圍設在承載芯體外側的第二散熱通道。
12、進一步地，散熱件包括導電連接在第二鍵合區上的散熱本體及導電連接在散熱本體上端面上的導電平臺。
13、進一步地，芯片組件還包括與散熱件導電連接的導電件及圍設在導電件的邊緣的絕緣件。
14、進一步地，芯片組件還包括與散熱件導電連接的導電件，在擴大結構與第一鍵合區疊置的方向上，導電件位于散熱件遠離絕緣基體的一側，芯片組件還包括連接在絕緣基體和導電件上的圍擋，圍擋圍設在散熱件的外側，圍擋和散熱件之間設置有第三散熱通道，圍擋上設置有與第三散熱通道連通的進風口和出風口。
15、進一步地，第一鍵合區為間隔設置的多個，絕緣基體朝向第一鍵合區的表面上設置有斷口，相鄰的兩個第一鍵合區之間的部分對應于斷口。
16、進一步地，擴大結構通過連接片連接在芯片上。
17、進一步地，芯片組件還包括承載芯片的基板，基板具有導電層，芯片固定在導電層上。
18、進一步地，絕緣基體上設置有加厚部，加厚部固定在導電層上。
19、應用本專利技術的技術方案，芯片組件包括：芯片及擴大結構。芯片上設置有第一鍵合區。擴大結構與第一鍵合區疊置設置，這樣不直接改變原有芯片表面的第一鍵合區的大小，使得成熟可用的芯片可以繼續使用，而使用外加的擴大結構便可進行鍵合工藝的操作。擴大結構包括絕緣基體及設置在絕緣基體上的第二鍵合區，第二鍵合區與第一鍵合區導電連接，絕緣基體對第二鍵合區和芯片之間進行絕緣，防止短路。第二鍵合區的面積大于第一鍵合區的面積。上述的第二鍵合區的設置能夠增大第一鍵合區的面積，較大面積的第二鍵合區允許使用更大線徑的焊線或更寬的導電帶對外的進一步導電連接，降低了鍵合工藝操作的難度，也降低了功率器件的寄生參數，優化了電氣性能。并且較大面積的第二鍵合區使得焊線或導電帶狀構件的連接更加穩固，減少鍵合工藝對芯片表面的損傷，提高封裝良率。而且較大面積的第二鍵合區的設置使得焊線的實際鍵合位置可以調節，根據芯片和輔助電路布局進行優化設計，提高了整體器件設計的靈活性和效率。因此，本申請的技術方案有效地解決了相關技術中的鍵合工藝操作困難的問題。
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1.一種芯片組件，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的芯片組件，其特征在于，所述第二鍵合區（22）通過導電片（23）與所述第一鍵合區（11）導電連接。
3.根據權利要求1所述的芯片組件，其特征在于，所述芯片組件還包括與所述第二鍵合區（22）導電連接的散熱件（30）。
4.根據權利要求3所述的芯片組件，其特征在于，所述散熱件（30）包括垂直或者傾斜地導電連接在所述第二鍵合區（22）上的散熱柱（31）。
5.根據權利要求3所述的芯片組件，其特征在于，所述散熱件（30）上設置有第一散熱通道（32）。
6.根據權利要求5所述的芯片組件，其特征在于，所述第一散熱通道（32）包括貫通所述散熱件（30）的側壁設置的散熱通孔（321）。
7.根據權利要求6所述的芯片組件，其特征在于，所述散熱件（30）包括散熱柱（31），所述散熱通孔（321）為多個，多個所述散熱通孔（321）呈放射狀地間隔設置在所述散熱柱（31）上。
8.根據權利要求5所述的芯片組件，其特征在于，所述第一散熱通道（32）為多個，多個所述第
9.根據權利要求5所述的芯片組件，其特征在于，所述第一散熱通道（32）包括沿所述散熱件（30）的周向延伸設置的散熱環槽。
10.根據權利要求3所述的芯片組件，其特征在于，所述散熱件（30）包括與所述第二鍵合區（22）導電連接的承載芯體（33）及圍設在所述承載芯體（33）外側的第二散熱通道（34）。
11.根據權利要求3所述的芯片組件，其特征在于，所述散熱件（30）包括導電連接在所述第二鍵合區（22）上的散熱本體（35）及導電連接在所述散熱本體（35）上端面上的導電平臺（36）。
12.根據權利要求3所述的芯片組件，其特征在于，所述芯片組件還包括與所述散熱件（30）導電連接的導電件（41）及圍設在所述導電件（41）的邊緣的絕緣件（42）。
13.根據權利要求3所述的芯片組件，其特征在于，所述芯片組件還包括與所述散熱件（30）導電連接的導電件（41），在所述擴大結構（20）與所述第一鍵合區（11）疊置的方向上，所述導電件（41）位于所述散熱件（30）遠離所述絕緣基體（21）的一側，所述芯片組件還包括連接在所述絕緣基體（21）和所述導電件（41）上的圍擋（43），所述圍擋（43）圍設在所述散熱件（30）的外側，所述圍擋（43）和所述散熱件（30）之間設置有第三散熱通道，所述圍擋（43）上設置有與所述第三散熱通道連通的進風口（431）和出風口（432）。
14.根據權利要求1至13中任一項所述的芯片組件，其特征在于，所述第一鍵合區（11）為間隔設置的多個，所述絕緣基體（21）朝向所述第一鍵合區（11）的表面上設置有斷口（211），相鄰的兩個所述第一鍵合區（11）之間的部分對應于所述斷口（211）。
15.根據權利要求1至13中任一項所述的芯片組件，其特征在于，所述擴大結構（20）通過連接片（24）連接在所述芯片（10）上。
16.根據權利要求1至13中任一項所述的芯片組件，其特征在于，所述芯片組件還包括承載所述芯片（10）的基板（12），所述基板（12）具有導電層，所述芯片（10）固定在所述導電層上。
17.根據權利要求16所述的芯片組件，其特征在于，所述絕緣基體（21）上設置有加厚部（212），所述加厚部（212）固定在所述導電層上。
...【技術特征摘要】
1.一種芯片組件，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的芯片組件，其特征在于，所述第二鍵合區（22）通過導電片（23）與所述第一鍵合區（11）導電連接。
3.根據權利要求1所述的芯片組件，其特征在于，所述芯片組件還包括與所述第二鍵合區（22）導電連接的散熱件（30）。
4.根據權利要求3所述的芯片組件，其特征在于，所述散熱件（30）包括垂直或者傾斜地導電連接在所述第二鍵合區（22）上的散熱柱（31）。
5.根據權利要求3所述的芯片組件，其特征在于，所述散熱件（30）上設置有第一散熱通道（32）。
6.根據權利要求5所述的芯片組件，其特征在于，所述第一散熱通道（32）包括貫通所述散熱件（30）的側壁設置的散熱通孔（321）。
7.根據權利要求6所述的芯片組件，其特征在于，所述散熱件（30）包括散熱柱（31），所述散熱通孔（321）為多個，多個所述散熱通孔（321）呈放射狀地間隔設置在所述散熱柱（31）上。
8.根據權利要求5所述的芯片組件，其特征在于，所述第一散熱通道（32）為多個，多個所述第一散熱通道（32）沿所述擴大結構（20）與所述第一鍵合區（11）疊置的方向間隔設置。
9.根據權利要求5所述的芯片組件，其特征在于，所述第一散熱通道（32）包括沿所述散熱件（30）的周向延伸設置的散熱環槽。
10.根據權利要求3所述的芯片組件，其特征在于，所述散熱件（30）包括與所述第二鍵合區（22）導電連接的承載芯體（33）及圍設在所述承載芯體（33）外側的第二散熱通道（34）。
11.根據權利要求3所述的芯片組件，其特征在于，所述散熱件（30）包括導電連接在所述第二鍵合區（22）上的散...
【專利技術屬性】
技術研發人員：馬小杰，周揚，李學寶，金銳，趙志斌，崔翔，李哲洋，
申請(專利權)人：北京懷柔實驗室，
類型：發明
國別省市：
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