【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本公開涉及集成電路設(shè)計，尤其涉及一種基準電壓源電路及芯片。
技術(shù)介紹
1、基準電壓源是芯片中一個重要的模塊，應(yīng)用基準電壓源的目的是得到一個與電源和工藝無關(guān)，且具有確定溫度特性的直流電壓，基準電壓源的功耗和穩(wěn)定性直接決定了整個芯片的使用壽命。
2、圖1為傳統(tǒng)的電壓模式的帶隙基準電壓源。負溫度系數(shù)電壓vctat與絕對溫度互補，通過pn結(jié)(一種雜質(zhì)半導體的交界面)的正向偏置電壓，即三極管q1a的發(fā)射極-基極電壓(vbe,q1a)產(chǎn)生。而正溫度系數(shù)電壓vptat正比于絕對溫度，由工作在不同電流密度下的兩個三極管q1a和q2a的發(fā)射極-基極電壓的差值(δvbe)提供。
3、圖2為改進型的自舉帶隙基準電壓源。此類基準電壓源源于傳統(tǒng)的帶隙基準電壓源。自舉帶隙基準電壓源中采用工作在亞閾值區(qū)的mos(金屬氧化物半導體)管，只需要很小的電流，具有低功耗的優(yōu)點。而且工作在亞閾值區(qū)的mos管柵源差分對δvgs具有正溫度系數(shù)這一特點，因此可以設(shè)計出與絕對溫度成正比的電壓(ptat)產(chǎn)生電路。亞閾值區(qū)又稱為弱反型工作區(qū)，根據(jù)電流和電壓的關(guān)系可知，mos管的vgs可以等效為pnp型三極管(一種三極管)的vbe。
4、但以上兩種基準電壓源生成的正溫度系數(shù)的電流和負溫度系數(shù)的電流會互相影響、互相干擾，導致輸出的基準電壓不符合實際使用場景的問題，并且無法及時對基準電壓進行靈活有效的調(diào)節(jié)。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本公開要解決的技術(shù)問題是為了克服現(xiàn)有技術(shù)中基準電壓源生成的正溫度系數(shù)的電流和
2、本公開是通過下述技術(shù)方案來解決上述技術(shù)問題：
3、本公開提供一種基準電壓源電路，所述基準電壓源電路包括第一電流產(chǎn)生電路、第二電流產(chǎn)生電路和基準電壓輸出電路；
4、所述第一電流產(chǎn)生電路、所述第二電流產(chǎn)生電路分別與所述基準電壓輸出電路電連接；
5、所述第一電流產(chǎn)生電路用于產(chǎn)生第一電流，并輸出所述第一電流至所述基準電壓輸出電路；其中，所述第一電流為正溫度系數(shù)的電流；
6、所述第二電流產(chǎn)生電路用于產(chǎn)生第二電流，并輸出所述第二電流至所述基準電壓輸出電路；其中，所述第二電流為負溫度系數(shù)的電流；
7、所述基準電壓輸出電路用于基于所述第一電流和所述第二電流，生成基準電壓。
8、較佳地，所述第一電流產(chǎn)生電路包括第一電流產(chǎn)生模塊；
9、所述第一電流產(chǎn)生模塊包括第一nmos(n型金屬氧化物半導體)管、第二nmos管、第一pmos(p型金屬氧化物半導體)管、第二pmos管、第三pmos管和第一電阻；
10、所述第一nmos管的柵端分別與所述第一電阻的一端、所述第一pmos管的漏端電連接，所述第一nmos管的漏端分別與所述第一電阻的另一端、所述第二nmos管的柵端電連接；
11、所述第二nmos管的漏端分別與所述第一pmos管的柵端、所述第二pmos管的柵端、所述第二pmos管的漏端、所述第三pmos管的柵端電連接；
12、所述第一nmos管的漏端用于接收第一控制信號以驅(qū)動所述第一電流產(chǎn)生模塊生成所述第一電流；
13、所述第三pmos管的漏端用于輸出所述第一電流。
14、較佳地，所述第一電流產(chǎn)生電路還包括第一啟動電路；
15、所述第一啟動電路的輸出端與所述第一nmos管的漏端電連接，所述第一啟動電路的輸入端與所述第一pmos管的柵端電連接；
16、所述第一啟動電路用于輸出所述第一控制信號以控制所述第一電流產(chǎn)生模塊生成所述第一電流。
17、較佳地，所述第一電流產(chǎn)生電路還包括電流穩(wěn)定模塊；
18、所述電流穩(wěn)定模塊包括第四pmos管、第五pmos管、第六pmos管、第七pmos管和第三nmos管；
19、所述第四pmos管的柵端分別與所述第四pmos管的漏端、所述第五pmos管的柵端、所述第六pmos管的柵端、所述第七pmos管的柵端、所述第三nmos管的漏端電連接；
20、所述第五pmos管的源端與所述第一pmos管的漏端電連接，所述第五pmos管的漏端與所述第一電阻的一端電連接；
21、所述第六pmos管的源端與所述第二pmos管的漏端電連接，所述第六pmos管的漏端分別與所述第二nmos管的漏端、所述第二pmos管的柵端電連接；
22、所述第七pmos管的源端與所述第三pmos管的漏端電連接，所述第七pmos管的漏端與所述基準電壓輸出電路電連接；
23、所述第三nmos管的柵端與所述第一nmos管的漏端電連接；
24、所述第七pmos管的漏端用于輸出穩(wěn)定處理后的所述第一電流至所述基準電壓輸出電路。
25、較佳地，所述第一電流產(chǎn)生電路還包括第一工作狀態(tài)控制模塊；
26、所述第一工作狀態(tài)控制模塊包括第四nmos管和第八pmos管；
27、所述第四nmos管的漏端與所述第二nmos管的柵端電連接；
28、所述第八pmos管的漏端與所述第二pmos管的柵端電連接；
29、所述第一工作狀態(tài)控制模塊用于控制所述第一電流產(chǎn)生電路的工作狀態(tài)。
30、較佳地，所述第二電流產(chǎn)生電路包括第二電流產(chǎn)生模塊；
31、所述第二電流產(chǎn)生模塊包括第九pmos管、第十pmos管、第十一pmos管、第五nmos管、第二電阻、第三電阻和放大器；
32、所述第九pmos管的柵端分別與所述第十pmos管的柵端、所述第十一pmos管的柵端、所述放大器的輸出端電連接；
33、所述放大器的正極輸入端分別與所述第九pmos管的漏端、所述第二電阻的一端電連接，所述放大器的負極輸入端分別與所述第三電阻的一端、所述第五nmos管的漏端電連接；
34、所述第五nmos管的柵端分別與所述第三電阻的另一端、所述第十pmos管的漏端電連接；
35、所述第九pmos管的柵端用于接收第二控制信號以驅(qū)動所述第二電流產(chǎn)生模塊生成所述第二電流；
36、所述第十一pmos管的漏端用于輸出所述第二電流。
37、較佳地，所述第二電流產(chǎn)生電路還包括第二啟動電路；
38、所述第二啟動電路的輸出端與所述第九pmos管的柵端電連接，所述第二啟動電路的輸入端與所述基準電壓輸出電路電連接；
39、所述第二啟動電路用于輸出所述第二控制信號以控制所述第二電流產(chǎn)生模塊生成所述第二電流。
40、較佳地，所述第二電流產(chǎn)生電路還包括第二工作狀態(tài)控制模塊；
41、所述第二工作狀態(tài)控制模塊包括第十二pmos管、第六nmos管、第十三pmos管和第十四pmos管；
42、所述第十二pmos管的源端與所述第九pmos管的漏端電連本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護點】
1.一種基準電壓源電路，其特征在于，所述基準電壓源電路包括第一電流產(chǎn)生電路、第二電流產(chǎn)生電路和基準電壓輸出電路；
2.如權(quán)利要求1所述的基準電壓源電路，其特征在于，所述第一電流產(chǎn)生電路包括第一電流產(chǎn)生模塊；
3.如權(quán)利要求2所述的基準電壓源電路，其特征在于，所述第一電流產(chǎn)生電路還包括第一啟動電路；
4.如權(quán)利要求3所述的基準電壓源電路，其特征在于，所述第一電流產(chǎn)生電路還包括電流穩(wěn)定模塊；
5.如權(quán)利要求4所述的基準電壓源電路，其特征在于，所述第一電流產(chǎn)生電路還包括第一工作狀態(tài)控制模塊；
6.如權(quán)利要求5所述的基準電壓源電路，其特征在于，所述第二電流產(chǎn)生電路包括第二電流產(chǎn)生模塊；
7.如權(quán)利要求6所述的基準電壓源電路，其特征在于，所述第二電流產(chǎn)生電路還包括第二啟動電路；
8.如權(quán)利要求7所述的基準電壓源電路，其特征在于，所述第二電流產(chǎn)生電路還包括第二工作狀態(tài)控制模塊；
9.如權(quán)利要求8所述的基準電壓源電路，其特征在于，所述第二電流產(chǎn)生電路還包括電容；
10.如權(quán)利要求6-9中
11.如權(quán)利要求6-9中任一項所述的基準電壓源電路，其特征在于，所述第一電阻、所述第二電阻和所述第三電阻均為電阻值可變的電阻；
12.如權(quán)利要求1-8中任一項所述的基準電壓源電路，其特征在于，所述基準電壓輸出電路包括第四電阻；
13.如權(quán)利要求12所述的基準電壓源電路，其特征在于，所述第四電阻為電阻值可變的電阻，所述第四電阻的不同電阻值對應(yīng)不同大小的所述基準電壓。
14.一種芯片，其特征在于，所述芯片包括如權(quán)利要求1-13中任一項所述的基準電壓源電路。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種基準電壓源電路，其特征在于，所述基準電壓源電路包括第一電流產(chǎn)生電路、第二電流產(chǎn)生電路和基準電壓輸出電路；
2.如權(quán)利要求1所述的基準電壓源電路，其特征在于，所述第一電流產(chǎn)生電路包括第一電流產(chǎn)生模塊；
3.如權(quán)利要求2所述的基準電壓源電路，其特征在于，所述第一電流產(chǎn)生電路還包括第一啟動電路；
4.如權(quán)利要求3所述的基準電壓源電路，其特征在于，所述第一電流產(chǎn)生電路還包括電流穩(wěn)定模塊；
5.如權(quán)利要求4所述的基準電壓源電路，其特征在于，所述第一電流產(chǎn)生電路還包括第一工作狀態(tài)控制模塊；
6.如權(quán)利要求5所述的基準電壓源電路，其特征在于，所述第二電流產(chǎn)生電路包括第二電流產(chǎn)生模塊；
7.如權(quán)利要求6所述的基準電壓源電路，其特征在于，所述第二電流產(chǎn)生電路還包括第二啟動電路；
8.如權(quán)利要求7所述的基準電壓源電路，其特征在...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：王燦，夏雷，楊陽，趙犇，田新儒，呂靜，
申請(專利權(quán))人：上海貝嶺股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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