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    基于MOS管輸入的過壓保護裝置制造方法及圖紙

    技術(shù)編號:43832908 閱讀:10 留言:0更新日期:2024-12-31 18:31
    本技術(shù)涉及過壓保護領(lǐng)域,具體涉及一種基于MOS管輸入的過壓保護裝置,當(dāng)輸入電源電壓過高時,能夠及時切斷輸出,實現(xiàn)及時有效的過壓保護。技術(shù)方案包括整流模塊、放電模塊、耐受電壓模塊以及觸發(fā)模塊,所述整流模塊包括整流橋(BD1)、二極管(D1)以及第二MOS管(Q2),所述整流橋(BD1)的第一輸入端(a)與輸入電源的零線端(N)連接,整流橋的第二輸入端(b)與輸入電源的火線端(L)連接,整流橋的第一輸出端(d)與耐受電壓模塊連接,整流橋的第二輸出端(c)與第二MOS管(Q2)的源級連接,第二MOS管(Q2)的漏極與耐受電壓模塊連接,第二MOS管(Q2)的柵極與觸發(fā)模塊連接,整流橋的第一輸出端(d)還與二極管(D1)的陽極連接,二極管(D1)的陰極與觸發(fā)模塊連接。本技術(shù)適用于過壓保護。

    【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】

    本技術(shù)涉及過壓保護領(lǐng)域,具體涉及一種基于mos管輸入的過壓保護裝置。


    技術(shù)介紹

    1、現(xiàn)有的過壓保護裝置,如cn206878452u公開的一種流橋保護電路、過壓保護裝置以及供電系統(tǒng),包括全橋整流電路、過壓保護器件以及直流端保護器。其中,過壓保護器件并聯(lián)于全橋整流電路的每個二極管的兩端;直流端保護器包括電容元件、電阻元件和金屬氧化物避雷針,電容元件與金屬氧化物避雷針串聯(lián)后并聯(lián)于全橋整流電路的直流輸出端,所述電阻元件并聯(lián)于所述電容元件的兩端。該方案通過在全橋整流電路的每個二極管的兩端并聯(lián)過壓保護器以及在全橋整流電路的直流輸出端設(shè)置包括電容元件、電阻元件和金屬氧化物避雷針的直流端保護器,能夠為整流橋提供有效的過壓保護,從而延長了整流橋的使用壽命。

    2、但該方案過壓保護效果較差,當(dāng)輸入電源電壓過高時,不能及時切斷輸出。


    技術(shù)實現(xiàn)思路

    1、本技術(shù)的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的缺點,提供一種基于mos管輸入的過壓保護裝置,當(dāng)輸入電源電壓過高時,能夠及時切斷輸出,實現(xiàn)及時有效的過壓保護。

    2、本技術(shù)采取如下技術(shù)方案實現(xiàn)上述目的,本技術(shù)提供一種基于mos管輸入的過壓保護裝置,包括整流模塊、放電模塊、耐受電壓模塊以及觸發(fā)模塊,所述整流模塊包括整流橋bd1、二極管d1以及第二mos管q2,所述整流橋bd1的第一輸入端a與輸入電源的零線端n連接,整流橋的第二輸入端b與輸入電源的火線端l連接,整流橋的第一輸出端d與耐受電壓模塊連接,整流橋的第二輸出端c與第二mos管q2的源級連接,第二mos管q2的漏極與耐受電壓模塊連接,第二mos管q2的柵極與觸發(fā)模塊連接,整流橋的第一輸出端d還與二極管d1的陽極連接,二極管d1的陰極與觸發(fā)模塊連接。

    3、進一步是,所述觸發(fā)模塊包括第一mos管q1、穩(wěn)壓二極管zd1、第一有極電容ec1、第一電阻r1、第二電阻r2、第三電阻r3、第六電阻r6、第八電阻r8、第十電阻r10、第十一電阻r11、第十二電阻r12、第十三電阻r13,二極管d1的陰極通過第十二電阻r12、第十三電阻r13、第二電阻r2以及第八電阻r8接地,二極管d1的陰極還通過第十一電阻r11、第十電阻r10、第六電阻r6以及第三電阻r3接地,第二mos管q2的柵極與第一mos管q1的漏極連接,第一mos管q1的源級接地,第一mos管q1的柵極通過第一有極電容ec1接地,第一mos管q1的柵極還通過第一電阻r1與穩(wěn)壓二極管zd1的陽極連接,穩(wěn)壓二極管zd1的陰極連接在第六電阻r6與第三電阻r3之間。

    4、進一步是,為了提高充電器的耐受電壓,所述耐受電壓模塊包括第二有極電容ec2與第三有極電容ec3,整流橋的第一輸出端d分別與第二有極電容ec2以及第三有極電容ec3的正極連接,第二有極電容ec2以及第三有極電容ec3的負(fù)極接地,第二mos管q2的漏極分別與第二有極電容ec2以及第三有極電容ec3的負(fù)極連接。

    5、進一步是,所述耐受電壓模塊還包括第十四電阻r14與電感l(wèi)1,第十四電阻r14連接在第二有極電容ec2以及第三有極電容ec3的正極之間,電感l(wèi)1并聯(lián)在第十四電阻r14的兩端。

    6、進一步是,所述耐受電壓模塊還包括電阻ra,電阻ra的一端與第三有極電容ec3的正極連接,電阻ra的另一端與第三有極電容ec3的負(fù)極連接。

    7、進一步是,為了提高裝置的放電能力,所述放電模塊包括第四電阻r4、第五電阻r5、第七電阻r7以及第九電阻r9,火線端l通過第四電阻r4以及第五電阻r5與零線端n連接,火線端l還通過第七電阻r7以及第九電阻r9與零線端n連接。

    8、進一步是,為了對輸入電源電壓進行濾波,該裝置還包括第一電容c1,所述第一電容c1連接在火線端l與零線端n之間。

    9、進一步是,為了提高裝置的安全性,該裝置還包括熔斷器f1與熱敏電阻ntc1,火線端l通過熔斷器f1與整流橋的第二輸入端b連接,零線端n通過熱敏電阻ntc1與整流橋bd1的第一輸入端a連接。

    10、本技術(shù)的有益效果:實現(xiàn)產(chǎn)品交流輸入電壓達(dá)到設(shè)定保護值時及時關(guān)斷dc-dc負(fù)端電路,從而保護產(chǎn)品不受交流輸入高壓導(dǎo)致?lián)p壞。

    本文檔來自技高網(wǎng)...

    【技術(shù)保護點】

    1.基于MOS管輸入的過壓保護裝置,其特征在于,包括整流模塊、放電模塊、耐受電壓模塊以及觸發(fā)模塊,所述整流模塊包括整流橋(BD1)、二極管(D1)以及第二MOS管(Q2),所述整流橋(BD1)的第一輸入端(a)與輸入電源的零線端(N)連接,整流橋的第二輸入端(b)與輸入電源的火線端(L)連接,整流橋的第一輸出端(d)與耐受電壓模塊連接,整流橋的第二輸出端(c)與第二MOS管(Q2)的源級連接,第二MOS管(Q2)的漏極與耐受電壓模塊連接,第二MOS管(Q2)的柵極與觸發(fā)模塊連接,整流橋的第一輸出端(d)還與二極管(D1)的陽極連接,二極管(D1)的陰極與觸發(fā)模塊連接;

    2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于MOS管輸入的過壓保護裝置,其特征在于,所述耐受電壓模塊包括第二有極電容(EC2)與第三有極電容(EC3),整流橋的第一輸出端(d)分別與第二有極電容(EC2)以及第三有極電容(EC3)的正極連接,第二有極電容(EC2)以及第三有極電容(EC3)的負(fù)極接地,第二MOS管(Q2)的漏極分別與第二有極電容(EC2)以及第三有極電容(EC3)的負(fù)極連接。

    3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于MOS管輸入的過壓保護裝置,其特征在于,所述耐受電壓模塊還包括第十四電阻(R14)與電感(L1),第十四電阻(R14)連接在第二有極電容(EC2)以及第三有極電容(EC3)的正極之間,電感(L1)并聯(lián)在第十四電阻(R14)的兩端。

    4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于MOS管輸入的過壓保護裝置,其特征在于,所述耐受電壓模塊還包括電阻(RA),電阻(RA)的一端與第三有極電容(EC3)的正極連接,電阻(RA)的另一端與第三有極電容(EC3)的負(fù)極連接。

    5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于MOS管輸入的過壓保護裝置,其特征在于,所述放電模塊包括第四電阻(R4)、第五電阻(R5)、第七電阻(R7)以及第九電阻(R9),火線端(L)通過第四電阻(R4)以及第五電阻(R5)與零線端(N)連接,火線端(L)還通過第七電阻(R7)以及第九電阻(R9)與零線端(N)連接。

    6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于MOS管輸入的過壓保護裝置,其特征在于,該裝置還包括第一電容(C1),所述第一電容(C1)連接在火線端(L)與零線端(N)之間。

    7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于MOS管輸入的過壓保護裝置,其特征在于,該裝置還包括熔斷器(F1)與熱敏電阻(NTC1),火線端(L)通過熔斷器(F1)與整流橋的第二輸入端(b)連接,零線端(N)通過熱敏電阻(NTC1)與整流橋(BD1)的第一輸入端(a)連接。

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    【技術(shù)特征摘要】

    1.基于mos管輸入的過壓保護裝置,其特征在于,包括整流模塊、放電模塊、耐受電壓模塊以及觸發(fā)模塊,所述整流模塊包括整流橋(bd1)、二極管(d1)以及第二mos管(q2),所述整流橋(bd1)的第一輸入端(a)與輸入電源的零線端(n)連接,整流橋的第二輸入端(b)與輸入電源的火線端(l)連接,整流橋的第一輸出端(d)與耐受電壓模塊連接,整流橋的第二輸出端(c)與第二mos管(q2)的源級連接,第二mos管(q2)的漏極與耐受電壓模塊連接,第二mos管(q2)的柵極與觸發(fā)模塊連接,整流橋的第一輸出端(d)還與二極管(d1)的陽極連接,二極管(d1)的陰極與觸發(fā)模塊連接;

    2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于mos管輸入的過壓保護裝置,其特征在于,所述耐受電壓模塊包括第二有極電容(ec2)與第三有極電容(ec3),整流橋的第一輸出端(d)分別與第二有極電容(ec2)以及第三有極電容(ec3)的正極連接,第二有極電容(ec2)以及第三有極電容(ec3)的負(fù)極接地,第二mos管(q2)的漏極分別與第二有極電容(ec2)以及第三有極電容(ec3)的負(fù)極連接。

    3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于mos管輸入的過壓保護裝置,其特征在于,所述耐受電壓模塊還包括第十四電阻(r14)與電感(l1),第十四電...

    【專利技術(shù)屬性】
    技術(shù)研發(fā)人員:劉海兵
    申請(專利權(quán))人:深圳市威斯普科技有限公司
    類型:新型
    國別省市:

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