【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及晶圓測試，特別涉及一種測試方法、裝置及存儲介質。
技術介紹
1、在晶圓測試過程中，往往需要進行烘烤測試，主要目的是提高晶圓的質量、可靠性和性能，以確保晶圓及其上的芯片在后續的制造和使用中能夠達到預期的性能標準。通過烘烤可以去除晶圓表面的濕氣，提高電性能的穩定性，同時修復或再生受損的氧化層，以確保元件的電氣性能和穩定性。通過在烘烤過程中暴露可能存在的問題，制造商可以在晶圓離開制造廠之前解決潛在的缺陷，從而減少后續制程中的故障率。存儲產品在經過嚴苛的烘烤溫度和一定的烘烤時間后，往往會遇到部分存儲數據狀態變化的情況。在晶圓測試結果中，性能良好的芯片通過測試需要留下，性能不佳的芯片未通過測試需要摒除，但是測試結果中還存在性能良好的芯片卻因為測試方法等問題沒有通過測試，過于嚴格的測試方法是導致上述問題的關鍵因素。
技術實現思路
1、有鑒于此，本申請提供了一種測試方法、裝置及存儲介質，以期解決晶圓測試效率低、誤判斷的技術問題，本專利技術提供
2、具體的，本專利技術的技術方案如下：
3、一種測試方法，用于對差分芯片的有效性進行測試，包括：基于參考電流對晶圓進行功能測試，晶圓包括多個差分芯片，其中，參考電流包括多個參考電流檔位；基于測試結果確定差分芯片的臨界電流值；基于臨界電流值和預設可靠周期確定安全電流窗口區域；基于臨界電流值和安全電流窗口區域確定差分芯片的有效性。
4、可選地，差分芯片包括多個存儲單元對，存儲單元對包括第一存儲單元和第二存儲單元
5、可選地，基于測試結果確定存儲單元對的臨界電流值，包括：基于第一存儲單元的數據狀態變化，確定第一臨界電流值；或，基于第二存儲單元的數據狀態變化，確定第二臨界電流值；
6、其中，第一臨界電流值的絕對值大于第二臨界電流值的絕對值。
7、可選地，基于第一存儲單元的數據狀態變化，確定第一臨界電流值，包括：當第一電流檔位的參考電流的測試結果確定存在第一存儲單元存儲數據狀態變化，第二電流檔位的參考電流的測試結果確定不存在第一存儲單元存儲數據狀態變化時，確定第二電流檔位的參考電流為第一臨界電流，其中，第一電流檔位和第二電流檔位相鄰。
8、可選地，基于第二存儲單元的數據狀態變化，確定第二臨界電流值，包括：當第三電流檔位的參考電流的測試結果確定存在第二存儲單元存儲數據狀態變化，第四電流檔位的參考電流的測試結果確定不存在第二存儲單元存儲數據狀態變化，確定第四電流檔位的參考電流為第二臨界電流，其中，第三電流檔位和第四電流檔位相鄰。
9、可選地，預設可靠周期基于差分芯片的擦寫次數或差分芯片烘烤后性能變化確定。
10、可選地，基于臨界電流值和安全電流窗口區域確定差分芯片的有效性，包括：基于臨界電流值和安全電流窗口區域確定測試電流；基于測試電流測試差分芯片；當差分芯片中的存儲數據狀態改變時，確定差分芯片無效；當差分芯片中的存儲數據狀態不改變時，確定差分芯片有效。
11、第二方面，提供一種芯片加工方法，包括：烘焙制造完成的差分芯片；如第一方面的測試方法測試烘焙后的差分芯片。
12、第三方面，提供一種計算機裝置/設備/系統，包括存儲器、處理器及存儲在存儲器上的計算機程序，處理器執行計算機程序以實現第一方面的測試方法的步驟。
13、第四方面，提供一種計算機可讀存儲介質，其上存儲有計算機程序/指令，該計算機程序/指令被處理器執行時實現第一方面的測試方法的步驟。
14、與現有技術相比，本專利技術至少具有以下一項有益效果：
15、1.本申請利用待測差分芯片的差分特性進行測試，通過參考電流對晶圓上的多個差分芯片進行測試，根據測試結果確定差分芯片的臨界電流值以確定安全電流窗口區域，進而測試差分芯片的有效性，區別于傳統的單端測試逐一對芯片進行參考電流測試的判斷方法，使用一個外部參考電流進行測試對比的判斷方法，提高了測試效率以及測試靈活性。
16、2.本申請通過不同電流檔位的參考電流，結合實際測試工藝以及芯片應用情況確定安全電流窗口區域再進行有效性分析，在一定程度上避免由于測試方法的問題導致芯片被過度殺傷，使得滿足可靠性性能的差分芯片被確定為無效的情況發生，提高了晶圓測試良率。
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1.一種測試方法，其特征在于，用于對差分芯片的有效性進行測試，包括：
2.根據權利要求1所述的測試方法，其特征在于，所述差分芯片包括多個存儲單元對，所述存儲單元對包括第一存儲單元和第二存儲單元，所述第一存儲單元用于存儲數據狀態“1”，所述第二存儲單元用于存儲數據狀態“0”；
3.根據權利要求2所述的測試方法，其特征在于，所述基于測試結果確定存儲單元對的臨界電流值，包括：
4.根據權利要求3所述的測試方法，其特征在于，所述基于所述第一存儲單元的數據狀態變化，確定第一臨界電流值，包括：
5.根據權利要求3所述的測試方法，其特征在于，所述基于所述第二存儲單元的數據狀態變化，確定第二臨界電流值，包括：
6.根據權利要求1-5任一項所述的測試方法，其特征在于，所述預設可靠周期基于所述差分芯片的擦寫次數或所述差分芯片烘烤后性能變化確定。
7.根據權利要求1-5任一項所述的測試方法，其特征在于，所述基于所述臨界電流值和所述安全電流窗口區域確定所述差分芯片的有效性，包括：
8.一種芯片加工方法，其特征在于，包括：
9.一種計算機裝置/設備/系統，包括存儲器、處理器及存儲在存儲器上的計算機程序，其特征在于，所述處理器執行所述計算機程序以實現權利要求1至7任一項所述的測試方法的步驟。
10.一種計算機可讀存儲介質，其上存儲有計算機程序/指令，其特征在于，該計算機程序/指令被處理器執行時實現權利要求1至7任一項所述的測試方法的步驟。
...【技術特征摘要】
1.一種測試方法，其特征在于，用于對差分芯片的有效性進行測試，包括：
2.根據權利要求1所述的測試方法，其特征在于，所述差分芯片包括多個存儲單元對，所述存儲單元對包括第一存儲單元和第二存儲單元，所述第一存儲單元用于存儲數據狀態“1”，所述第二存儲單元用于存儲數據狀態“0”；
3.根據權利要求2所述的測試方法，其特征在于，所述基于測試結果確定存儲單元對的臨界電流值，包括：
4.根據權利要求3所述的測試方法，其特征在于，所述基于所述第一存儲單元的數據狀態變化，確定第一臨界電流值，包括：
5.根據權利要求3所述的測試方法，其特征在于，所述基于所述第二存儲單元的數據狀態變化，確定第二臨界電流值，包括：
6.根據...
【專利技術屬性】
技術研發人員：秦婷，
申請(專利權)人：普冉半導體上海股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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