【技術實現步驟摘要】
本公開的示例實施例總體上涉及碳化硅(sic)功率器件的領域，并且特別涉及針對sic功率器件的正面歐姆接觸形成。
技術介紹
1、申請人已經確定了與sic器件(諸如sic功率器件)相關聯的許多技術挑戰和困難。通過努力、獨創性和創新，申請人已經通過開發在本公開中體現的解決方案解決了與sic功率器件的制造相關的問題，這些解決方案在下文中被詳細地描述。
技術實現思路
1、本文描述的各種實施例涉及用于制造和使用sic功率器件的系統、裝置、產品和方法。
2、在一些實施例中，一種方法包括：提供半導體基材(base?material)，半導體基材包括第一側和第二側，其中半導體基材包括碳化硅(sic)材料；在半導體基材的第一側上形成第一金屬層，以形成肖特基(schottky)接觸；在第一金屬層上面形成第二金屬層，以形成反射阻擋層，反射阻擋層覆蓋肖特基接觸；去除第二金屬層的一個或多個部分，以暴露第一金屬層的第一部分；以及通過激光退火工藝在第一金屬層上形成一個或多個硅化物部分，以在肖特基接觸內形成一個或多個歐姆接觸。
3、在一些實施例中，第一金屬層在p+區域內形成一個或多個歐姆接觸和肖特基接觸。
4、在一些實施例中，該方法還包括：在第一金屬層上形成一個或多個硅化物部分之后，在半導體基材的第一側上形成介電層。介電層可以覆蓋半導體基材、第一金屬層以及第二金屬層。
5、在一些實施例中，該方法包括：將介電層掩模放置在介電層的一個或多個外圍介電部分上面；從介電層蝕刻內
6、在一些實施例中，該方法包括：在半導體基材的第一側、介電層、第一金屬層以及第二金屬層上面形成正面金屬層；將正面金屬層掩模放置在正面金屬層的內部部分上面；從正面金屬層蝕刻外圍正面金屬部分，以暴露介電層；以及去除正面金屬層掩模。
7、在一些實施例中，該方法包括：在介電層和正面金屬層上面形成鈍化層；將鈍化層掩模放置在鈍化層的外圍部分上面；從鈍化層蝕刻內部鈍化層部分，以暴露正面金屬層；以及去除鈍化層掩模。
8、在一些實施例中，去除第二金屬層的一個或多個部分包括將圖案化掩模放置在第二金屬層上面。圖案化掩模可以暴露第二金屬層的一個或多個部分。該方法可以包括：通過圖案化掩模蝕刻第二金屬層，以去除第二金屬層的一個或多個部分；以及去除圖案化掩模。
9、在一些實施例中，該方法包括：在第一金屬層上形成一個或多個硅化物部分之后，去除第一金屬層的一個或多個外圍部分以及第二金屬層的一個或多個外圍部分，以至少暴露半導體基材的部分。
10、在一些實施例中，去除第一金屬層的一個或多個外圍部分包括將內部掩模放置在第二金屬層上面，其中內部掩模暴露第二金屬層的一個或多個外圍部分；在內部掩模周圍蝕刻第二金屬層和第一金屬層，以去除第二金屬層的一個或多個外圍部分以及第一金屬層的一個或多個外圍部分；以及去除內部掩模。
11、在一些實施例中，半導體基材包括一個或多個陽極植入物，并且第一金屬層上的一個或多個硅化物部分對應于一個或多個陽極植入物。
12、在一些實施例中，該方法包括：在半導體基材的第一側內形成一個或多個陽極植入物。
13、在一些實施例中，半導體基材的第一側包括外延漂移層，并且半導體基材的第二側包括摻雜的sic襯底。
14、在一些實施例中，該方法包括：在半導體基材的第二側上形成背面歐姆接觸；以及在背面歐姆接觸上面形成背面金屬層。
15、在一些實施例中，第一金屬層包括鎳基材料。
16、在一些實施例中，第二金屬層包括鋁基材料。
17、在一些實施例中，一種碳化硅(sic)功率器件包括：半導體基材，半導體基材具有第一側和第二側；第一金屬層，第一金屬層被設置在半導體基材的第一側上，其中第一金屬層的第一部分形成一個或多個歐姆接觸，并且第一金屬層的第二部分形成肖特基接觸；以及第二金屬層，第二金屬層被設置在所述第一金屬層的第二部分上。
18、在一些實施例中，半導體基材的第一側包括外延漂移層。
19、在一些實施例中，半導體基材的第二側包括摻雜的sic襯底。
20、在一些實施例中，第一金屬層包括鎳材料。
21、在一些實施例中，第二金屬層包括鋁材料。
22、提供上述
技術實現思路
僅用于總結一些示例實施例，以提供對本公開的一些方面的基本理解。因此，應當領會，上述實施例僅僅是示例并且不應被解釋為以任何方式縮小本公開的范圍或精神。還應當領會，本公開的范圍除了涵蓋這里總結的實施例之外，還涵蓋許多潛在實施例，這些實施例中的一些實施例將在下文被進一步描述。
【技術保護點】
1.一種方法，包括：
2.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一金屬層在p+區域內形成所述一個或多個歐姆接觸和所述肖特基接觸。
3.根據權利要求1所述的方法，還包括：在所述第一金屬層上形成所述一個或多個硅化物部分之后，在所述半導體基材的所述第一側上形成介電層，其中所述介電層覆蓋所述半導體基材、所述第一金屬層以及所述第二金屬層。
4.根據權利要求3所述的方法，還包括：
5.根據權利要求4所述的方法，還包括：
6.根據權利要求5所述的方法，還包括：
7.根據權利要求1所述的方法，其中去除所述第二金屬層的所述一個或多個部分包括：
8.根據權利要求1所述的方法，還包括：在所述第一金屬層上形成所述一個或多個硅化物部分之后，去除所述第一金屬層的一個或多個外圍部分以及所述第二金屬層的一個或多個外圍部分，以至少暴露所述半導體基材的部分。
9.根據權利要求8所述的方法，其中去除所述第一金屬層的所述一個或多個外圍部分包括：
10.根據權利要求1所述的方法，其中所述半導體基材包括一個或多個陽極植
11.根據權利要求10所述的方法，還包括：在所述半導體基材的所述第一側內形成所述一個或多個陽極植入物。
12.根據權利要求1所述的方法，其中所述半導體基材的所述第一側包括外延漂移層，并且所述半導體基材的所述第二側包括摻雜的SiC襯底。
13.根據權利要求12所述的方法，還包括：
14.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一金屬層包括鎳基材料。
15.根據權利要求1所述的方法，其中所述第二金屬層包括鋁基材料。
16.一種碳化硅SiC器件，包括：
17.根據權利要求16所述的SiC器件，其中所述半導體基材的所述第一側包括外延漂移層。
18.根據權利要求16所述的SiC器件，其中所述半導體基材的所述第二側包括摻雜的SiC襯底。
19.根據權利要求16所述的SiC器件，其中所述第一金屬層包括鎳材料。
20.根據權利要求16所述的SiC器件，其中所述第二金屬層包括鋁材料。
...【技術特征摘要】
1.一種方法，包括：
2.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一金屬層在p+區域內形成所述一個或多個歐姆接觸和所述肖特基接觸。
3.根據權利要求1所述的方法，還包括：在所述第一金屬層上形成所述一個或多個硅化物部分之后，在所述半導體基材的所述第一側上形成介電層，其中所述介電層覆蓋所述半導體基材、所述第一金屬層以及所述第二金屬層。
4.根據權利要求3所述的方法，還包括：
5.根據權利要求4所述的方法，還包括：
6.根據權利要求5所述的方法，還包括：
7.根據權利要求1所述的方法，其中去除所述第二金屬層的所述一個或多個部分包括：
8.根據權利要求1所述的方法，還包括：在所述第一金屬層上形成所述一個或多個硅化物部分之后，去除所述第一金屬層的一個或多個外圍部分以及所述第二金屬層的一個或多個外圍部分，以至少暴露所述半導體基材的部分。
9.根據權利要求8所述的方法，其中去除所述第一金屬層的所述一個或多個外圍部分包括：
10.根據權利要求1所述的方法，其中所述半導體基材包括一個或多...
【專利技術屬性】
技術研發人員：S·拉斯庫納，P·巴達拉，G·貝洛基，V·普利西，D·特納加利亞，
申請(專利權)人：意法半導體國際公司，
類型：發明
國別省市：
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