【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及射頻，尤其涉及一種射頻推挽功率放大器、電路及射頻前端模組。
技術(shù)介紹
1、隨著短距離、低功率無線數(shù)據(jù)傳輸技術(shù)的成熟，無線網(wǎng)絡(luò)技術(shù)被越來越多地應(yīng)用到新的領(lǐng)域。與有線通訊方式相比，無線通訊以其不需鋪設(shè)明線，使用便捷等一系列優(yōu)點，在現(xiàn)代通信領(lǐng)域占重要地位。
2、目前，在設(shè)計推挽功率放大器時為了保證帶寬性能指標(biāo)，往往會導(dǎo)致挽功率放大電路的線性度變差，因此，如何在實現(xiàn)保證帶寬性能指標(biāo)時，提高挽功率放大電路的線性度成為目前亟待解決的問題。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本專利技術(shù)實施例提供一種射頻推挽功率放大器、電路及射頻前端模組，以解決射頻推挽功率放大器的線性度較差的問題。
2、一種射頻推挽功率放大器，包括基板、設(shè)置在所述基板上的射頻推挽功率放大芯片，以及設(shè)置在所述基板上的第一巴倫；所述射頻推挽功率放大芯片包括第一差分放大晶體管、第二差分放大晶體管和第一電容，所述第一差分放大晶體管的輸出端與所述第一巴倫的第一輸入端相連；所述第二差分放大晶體管的輸出端與所述第一巴倫的第二輸入端相連；所述第一電容的第一端連接至所述射頻推挽功率放大芯片的第三焊盤，所述第三焊盤通過引線鍵合至所述第一巴倫的初級線圈的中點，所述第一電容的第二端接地。
3、進一步地，所述第一差分放大晶體管的輸出端連接至所述射頻推挽功率放大芯片的第一焊盤，所述第一焊盤通過引線鍵合至所述第一巴倫的第一輸入端；所述第二差分放大晶體管的輸出端連接至所述射頻推挽功率放大芯片的第二焊盤，所述第二焊盤通過引線鍵合
4、進一步地，所述射頻推挽功率放大器還包括設(shè)置在所述基板上的饋電電源端；所述第一差分放大晶體管的輸出端連接至所述推挽功率放大芯片的第四焊盤，所述第四焊盤通過引線鍵合至所述饋電電源端；所述第二差分放大晶體管的輸出端連接至所述推挽功率放大芯片的第五焊盤，所述第五焊盤通過引線鍵合至所述饋電電源端。
5、進一步地，所述射頻推挽功率放大器還包括第二電容，所述第二電容的第一端與所述饋電電源端相連，所述第二電容的第二端與接地端相連。
6、進一步地，所述第一電容和/或所述第二電容為可調(diào)電容。
7、進一步地，所述第一巴倫的初級線圈包括第一初級線圈段和第二初級線圈段，所述第一焊盤通過引線鍵合至所述第一初級線圈段的第一端，所述第一初級線圈段的第二端與所述第二初級線圈段的第一端相連，所述第二焊盤通過引線鍵合至所述第二初級線圈段的第二端，所述第一電容的第一端連接至所述射頻推挽功率放大芯片的第三焊盤，所述第三焊盤通過引線鍵合至所述第一初級線圈段和所述第二初級線圈段之間，所述第一電容的第二端接地。
8、進一步地，所述第一電容與所述初級線圈之間的引線形成第一等效電感，二分之一的所述初級線圈形成第二等效電感；所述第一電容、所述第一等效電感和所述第二等效電感串聯(lián)形成第一諧振電路；
9、所述第二電容與所述第一差分放大晶體管輸出端之間的引線形成第三等效電感；或者，所述第二電容與所述第二差分放大晶體管輸出端之間的引線形成所述第三等效電感；
10、所述第二電容與所述第三等效電感串聯(lián)形成第二諧振電路；
11、所述第一諧振電路與所述第二諧振電路的諧振頻率點不同。
12、進一步地，所述第一諧振電路被配置為諧振在所述射頻推挽功率放大器的基波頻率點，所述第二諧振電路被配置為諧振在偶次諧波頻率點；或者，所述第一諧振電路被配置為諧振在偶次諧波頻率點，所述第二諧振電路被配置為諧振在所述射頻推挽功率放大器的基波頻率點。
13、進一步地，所述偶次諧波頻率點為二階諧波頻率點。
14、進一步地，所述第一電容與所述第一巴倫之間的引線的長度與所述射頻推挽功率放大器的工作頻率呈負相關(guān)。
15、進一步地，所述第一差分放大晶體管為bjt管，包括基極、集電極和發(fā)射極，所述第一差分放大晶體管的基極接收輸入的第一射頻輸入信號，所述第一差分放大晶體管的集電極連接至所述射頻推挽功率放大芯片的第一焊盤，所述第一焊盤通過引線鍵合至所述第一巴倫的第一輸入端，所述第一差分放大晶體管的發(fā)射極接地；
16、所述第二差分放大晶體管為bjt管，包括基極、集電極和發(fā)射極，所述第二差分放大晶體管的基極接收輸入的第二射頻輸入信號，所述第二差分放大晶體管的集電極連接至所述射頻推挽功率放大芯片的第二焊盤，所述第二焊盤通過引線鍵合至所述第一巴倫的第二輸入端，所述第二差分放大晶體管的發(fā)射極接地。
17、進一步地，所述第一巴倫的次級線圈的第一端輸出放大的第一射頻輸出信號，次級線圈的第二端輸出放大的第二射頻輸出信號；或者，所述第一巴倫的次級線圈的第一端輸出放大的射頻輸出信號，次級線圈的第二端接地。
18、一種射頻推挽功率放大電路，包括第一差分放大晶體管、第二差分放大晶體管、第一電容、第一電感、第二電感、第三電感和第一巴倫；所述第一差分放大晶體管的輸出端通過所述第一電感連接至所述第一巴倫的第一輸入端，所述第二差分放大晶體管的輸出端通過所述第二電感連接至所述第一巴倫的第二輸入端；所述第一電容的第一端通過所述第三電感連接至所述第一巴倫的初級線圈的中點，所述第一電容的第二端接地；
19、所述第一電容、所述第三電感，與所述第一電感或所述第二電感串聯(lián)形成第一諧振電路，所述第一諧振電路被配置為諧振在偶次諧波頻率點，或者，所述第一諧振電路被配置為諧振在所述射頻推挽功率放大器的基波頻率點。
20、進一步地，所述射頻推挽功率放大器還包括饋電電源端和第二電容；所述第一差分放大晶體管的輸出端通過第四電感連接至所述饋電電源端；所述第二差分放大晶體管的輸出端通過第五電感連接至所述饋電電源端；所述第二電容的第一端與所述饋電電源端相連，所述第二電容的第二端與接地端相連；
21、所述第二電容與所述第四電感或所述第五電感形成第二諧振電路，所述第二諧振電路被配置為諧振在所述射頻推挽功率放大器的基波頻率點，或者，所述第二諧振電路被配置為諧振在偶次諧波頻率點。
22、一種射頻前端模組，包括上述的射頻推挽功率放大器，或者，包括上述的射頻推挽功率放大電路。
23、上述射頻推挽功率放大器、電路及射頻前端模組，射頻推挽功率放大器包括基板、設(shè)置在基板上的射頻推挽功率放大芯片，以及設(shè)置在基板上的第一巴倫；射頻推挽功率放大芯片包括第一差分放大晶體管、第二差分放大晶體管和第一電容，第一差分放大晶體管的輸出端連接至射頻推挽功率放大芯片的第一焊盤，第一焊盤與第一巴倫的第一輸入端相連，第二差分放大晶體管的輸出端連接至射頻推挽功率放大芯片的第二焊盤，第二焊盤與第一巴倫的第二輸入端相連；第一電容的第一端連接至射頻推挽功率放大芯片的第三焊盤，第三焊盤通過引線鍵合至第一巴倫的初級線圈的中點，第一電容的第二端接地。本實施例通過將射頻推挽功率放大芯片中的第一電容的第一端連接至射頻推挽功率放大芯片的第三焊盤，再將第三焊盤通過引線鍵合至第一巴倫的初級線圈的中點，并將第一電容本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護點】
1.一種射頻推挽功率放大器，其特征在于，包括基板、設(shè)置在所述基板上的射頻推挽功率放大芯片，以及設(shè)置在所述基板上的第一巴倫；所述射頻推挽功率放大芯片包括第一差分放大晶體管、第二差分放大晶體管和第一電容，所述第一差分放大晶體管的輸出端與所述第一巴倫的第一輸入端相連；所述第二差分放大晶體管的輸出端與所述第一巴倫的第二輸入端相連；所述第一電容的第一端連接至所述射頻推挽功率放大芯片的第三焊盤，所述第三焊盤通過引線鍵合至所述第一巴倫的初級線圈的中點，所述第一電容的第二端接地。
2.如權(quán)利要求1所述的射頻推挽功率放大器，其特征在于，所述第一電容、所述引線和所述第一巴倫的二分之一的初級線圈形成第一諧波電路。
3.如權(quán)利要求1所述的射頻推挽功率放大器，其特征在于，所述第一差分放大晶體管的輸出端連接至所述射頻推挽功率放大芯片的第一焊盤，所述第一焊盤通過引線鍵合至所述第一巴倫的第一輸入端；所述第二差分放大晶體管的輸出端連接至所述射頻推挽功率放大芯片的第二焊盤，所述第二焊盤通過引線鍵合至所述第一巴倫的第二輸入端。
4.如權(quán)利要求1所述的射頻推挽功率放大器，其特征在于，
5.如權(quán)利要求4所述的射頻推挽功率放大器，其特征在于，所述射頻推挽功率放大器還包括第二電容，所述第二電容的第一端與所述饋電電源端相連，所述第二電容的第二端與接地端相連。
6.如權(quán)利要求4所述的射頻推挽功率放大器，其特征在于，所述第一電容和/或所述第二電容為可調(diào)電容。
7.如權(quán)利要求1所述的射頻推挽功率放大器，其特征在于，所述第一巴倫的初級線圈包括第一初級線圈段和第二初級線圈段，所述第一焊盤通過引線鍵合至所述第一初級線圈段的第一端，所述第一初級線圈段的第二端與所述第二初級線圈段的第一端相連，所述第二焊盤通過引線鍵合至所述第二初級線圈段的第二端，所述第一電容的第一端連接至所述射頻推挽功率放大芯片的第三焊盤，所述第三焊盤通過引線鍵合至所述第一初級線圈段和所述第二初級線圈段之間，所述第一電容的第二端接地。
8.如權(quán)利要求5所述的射頻推挽功率放大器，其特征在于，所述第一電容與所述初級線圈之間的引線形成第一等效電感，二分之一的所述初級線圈形成第二等效電感；所述第一電容、所述第一等效電感和所述第二等效電感串聯(lián)形成第一諧振電路；
9.如權(quán)利要求8所述的射頻推挽功率放大器，其特征在于，所述第一諧振電路被配置為諧振在所述射頻推挽功率放大器的基波頻率點，所述第二諧振電路被配置為諧振在偶次諧波頻率點；或者，所述第一諧振電路被配置為諧振在偶次諧波頻率點，所述第二諧振電路被配置為諧振在所述射頻推挽功率放大器的基波頻率點。
10.如權(quán)利要求9所述的射頻推挽功率放大器，其特征在于，所述偶次諧波頻率點為二階諧波頻率點。
11.如權(quán)利要求1所述的射頻推挽功率放大器，其特征在于，所述第一電容與所述第一巴倫之間的引線的長度與所述射頻推挽功率放大器的工作頻率呈負相關(guān)。
12.如權(quán)利要求1所述的射頻推挽功率放大器，其特征在于，所述第一差分放大晶體管為BJT管，包括基極、集電極和發(fā)射極，所述第一差分放大晶體管的基極接收輸入的第一射頻輸入信號，所述第一差分放大晶體管的集電極連接至所述射頻推挽功率放大芯片的第一焊盤，所述第一焊盤通過引線鍵合至所述第一巴倫的第一輸入端，所述第一差分放大晶體管的發(fā)射極接地；
13.如權(quán)利要求1所述的射頻推挽功率放大器，其特征在于，所述第一巴倫的次級線圈的第一端輸出放大的第一射頻輸出信號，次級線圈的第二端輸出放大的第二射頻輸出信號；或者，所述第一巴倫的次級線圈的第一端輸出放大的射頻輸出信號，次級線圈的第二端接地。
14.一種射頻推挽功率放大電路，其特征在于，包括第一差分放大晶體管、第二差分放大晶體管、第一電容、第一電感、第二電感、第三電感和第一巴倫；所述第一差分放大晶體管的輸出端通過所述第一電感連接至所述第一巴倫的第一輸入端，所述第二差分放大晶體管的輸出端通過所述第二電感連接至所述第一巴倫的第二輸入端；所述第一電容的第一端通過所述第三電感連接至所述第一巴倫的初級線圈的中點，所述第一電容的第二端接地；
15.如權(quán)利要求14所述的射頻推挽功率放大電路，其特征在于，所述射頻推挽功率放大電路還包括饋電電源端和第二電容；所述第一差分放大晶體管的輸出端通過第四電感連接至所述饋...
【技術(shù)特征摘要】
1.一種射頻推挽功率放大器，其特征在于，包括基板、設(shè)置在所述基板上的射頻推挽功率放大芯片，以及設(shè)置在所述基板上的第一巴倫；所述射頻推挽功率放大芯片包括第一差分放大晶體管、第二差分放大晶體管和第一電容，所述第一差分放大晶體管的輸出端與所述第一巴倫的第一輸入端相連；所述第二差分放大晶體管的輸出端與所述第一巴倫的第二輸入端相連；所述第一電容的第一端連接至所述射頻推挽功率放大芯片的第三焊盤，所述第三焊盤通過引線鍵合至所述第一巴倫的初級線圈的中點，所述第一電容的第二端接地。
2.如權(quán)利要求1所述的射頻推挽功率放大器，其特征在于，所述第一電容、所述引線和所述第一巴倫的二分之一的初級線圈形成第一諧波電路。
3.如權(quán)利要求1所述的射頻推挽功率放大器，其特征在于，所述第一差分放大晶體管的輸出端連接至所述射頻推挽功率放大芯片的第一焊盤，所述第一焊盤通過引線鍵合至所述第一巴倫的第一輸入端；所述第二差分放大晶體管的輸出端連接至所述射頻推挽功率放大芯片的第二焊盤，所述第二焊盤通過引線鍵合至所述第一巴倫的第二輸入端。
4.如權(quán)利要求1所述的射頻推挽功率放大器，其特征在于，所述射頻推挽功率放大器還包括設(shè)置在所述基板上的饋電電源端；所述第一差分放大晶體管的輸出端連接至所述推挽功率放大芯片的第四焊盤，所述第四焊盤通過引線鍵合至所述饋電電源端；所述第二差分放大晶體管的輸出端連接至所述推挽功率放大芯片的第五焊盤，所述第五焊盤通過引線鍵合至所述饋電電源端。
5.如權(quán)利要求4所述的射頻推挽功率放大器，其特征在于，所述射頻推挽功率放大器還包括第二電容，所述第二電容的第一端與所述饋電電源端相連，所述第二電容的第二端與接地端相連。
6.如權(quán)利要求4所述的射頻推挽功率放大器，其特征在于，所述第一電容和/或所述第二電容為可調(diào)電容。
7.如權(quán)利要求1所述的射頻推挽功率放大器，其特征在于，所述第一巴倫的初級線圈包括第一初級線圈段和第二初級線圈段，所述第一焊盤通過引線鍵合至所述第一初級線圈段的第一端，所述第一初級線圈段的第二端與所述第二初級線圈段的第一端相連，所述第二焊盤通過引線鍵合至所述第二初級線圈段的第二端，所述第一電容的第一端連接至所述射頻推挽功率放大芯片的第三焊盤，所述第三焊盤通過引線鍵合至所述第一初級線圈段和所述第二初級線圈段之間，所述第一電容的第二端接地。
8.如權(quán)利要求5所述的射頻推挽功率放大器，其特征在于，所述第一電容與所述初級線圈之間的引線形成第一等效電感，二分之一的所述初級...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：黃水根，呂彬彬，石憲青，閔鳴，張文達，李想，曹原，倪建興，
申請(專利權(quán))人：銳磐微電子科技上海有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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