【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體，尤其是涉及一種led芯片施加磁粉層和充磁退磁裝置及加磁芯片的制作方法。
技術介紹
1、近年來，在顯示
，mini/micro-led顯示屏技術憑借其在發光效率、功耗、對比度、響應速度和壽命等關鍵性能指標上的顯著優勢，正成為推動顯示技術革新的重要力量。
2、巨量轉移技術是micro-led顯示技術中的關鍵步驟，它涉及將微小的led芯片從生長基板轉移到目標基板或驅動電路板上。這項技術對于實現micro-led顯示屏的高分辨率、高亮度和低功耗等優勢至關重要。micro-led的巨量轉移技術包括多種不同的技術流派，激光轉移技術、接式轉移技術、自組裝技術等。其中，自組裝技術則利用流體、電磁場等介質，通過外形識別或自選性膠體等實現微元件在相應基板位置上的定向和定位。
3、氣相沉積法簡稱adm(aerosol?deposition?method),是新興發展起來的表面涂層制備方法，提出直接通過氣體將超微粉末懸浮的方式形成氣溶膠，在室溫和低真空環境下，利用高速氣流吹浮、霧化并加速超細噴涂粒子，然后沉積到潔凈的基體表面形成涂層。
4、充磁是指使磁性物質磁化或使磁性不足的磁體增加磁性。一般是把要充磁的可帶磁性物體放在有直流電通過的線圈所形成的磁場里，其原理是：在線圈中通過瞬間的脈沖大電流，使線圈產生短暫的超強磁場使充磁對象攜帶磁性。
5、在現有的技術中，申請專利cn202311425183.7提到了為led芯片鍍膜的方法，其采用了磁控濺射工藝來鍍覆納米貴金屬顆粒，并通過絲網
6、申請專利cn202310499328.1提到了在micro-led芯片電極上沉積fe3o4磁性納米顆粒，使芯片可以被磁化，其結合了磁性材料和微電子工藝，提供了一種新的micro-led芯片鍵合解決方案。但需要精準控制磁場的強度和分布，還需要確保磁性納米顆粒與芯片和基板材料的兼容性，沉積過程需要精確控制，以確保顆粒的fe4o4均勻性和覆蓋度。
技術實現思路
1、本專利技術的目的是提供一種led芯片施加磁粉層和充磁退磁裝置，可以根據需要給芯片沉積不同厚度的微型磁粉薄膜，并能給芯片充磁，且其工作環境相對簡單，可以在室溫下進行。
2、為實現上述目的，本專利技術提供了一種led芯片施加磁粉層和充磁退磁裝置，包括氣體存儲罐、通氣管道、流量計量閥、送粉器、分粒機、沉積室、主控制器和真空泵，所述真空泵和所述主控制器均與所述沉積室連接，所述沉積室與所述氣體存儲罐分別連接在所述氣體管道的兩端，所述通氣管道上從左至右依次連接有所述流量計量閥、所述送粉器和所述分粒機；
3、所述沉積室內從下至上依次設置有墊塊、三維運動平臺、充退磁裝置、載物基板、芯片藍膜、led芯片和噴粉箱，所述噴粉箱的上端與所述通氣管道連接，所述噴粉箱的下端設置有若干噴嘴。
4、優選的，所述流量計量閥的內部設置有用于控制氣體流量、監測氣體流速的流量傳感器。
5、優選的，所述送粉器為旋轉毛刷氣溶膠發生器，其通過步進電機推動儲粉罐內的活塞，使得磁粉顆粒向上運動，然后電刷將接觸面的磁粉帶起并由高速氣流吹出。
6、優選的，所述送粉器能夠在0.04g/h-800g/h質量流量范圍內產生低濃度的固體顆粒氣溶膠。
7、優選的，所述送粉器可以根據設定的給料速率和存儲罐的橫截面積以及粉末的壓實密度輕松可重復的確定粉塵的質量流量。
8、優選的，所述分粒機用于將所述送粉器送來的氣溶膠分粒，其內部設置有用于濾除較大顆粒或顆粒團的濾網。
9、優選的，所述噴嘴設置為矩形結構，尺寸為0.5mm×0.1mm。
10、優選的，所述三維運動平臺通過移動平臺實現對噴嘴的相對運動，且其受所述主控制器直接控制。
11、優選的，所述主控制器能實時控制所述三維運動平臺與所述噴嘴的動態協作，確保氣相沉積磁粉顆粒的均勻性。
12、優選的，所述充退磁裝置包括內部銜鐵和外部線圈，所述外部線圈設置在所述內部銜鐵的兩側。
13、優選的，本裝置采用氣相沉積法(adm)對芯片沉積磁粉層，且環境只需要低溫低真空，對芯片的影響較小。
14、一種led芯片施加磁粉層和充磁退磁裝置的加磁芯片的制作方法，步驟如下：
15、s1、制作多個led芯片，制作磁粉顆粒；
16、s2、將led芯片底層刷膠，之后將led芯片粘貼在芯片藍膜上，再將芯片藍膜放置在載物基板上；
17、s3、調整三維運動平臺、充退磁裝置及噴嘴的位置，主控制器獲取三維坐標；
18、s4、將磁粉放入送粉器；
19、s5、連接好系統的各部分，設置沉積室氣壓并開啟真空泵調節，檢測沉積室內的氣密性和各個參數；
20、s6、開啟流量計量閥，將運載氣體通入送粉器；
21、s7、送粉器將磁粉與運載氣體均勻混合并由高速氣流吹出；
22、s8、隨后經過分粒機過濾掉較大的顆粒或顆粒團使氣溶膠更加均勻；
23、s9、隨后到達噴粉箱然后經過噴嘴噴出，噴嘴與三維運動平臺相互協作將磁粉氣溶膠均勻的沉積到芯片電極的表面；
24、s10、待磁粉層沉積到一定預定厚度后，開啟充退磁裝置，充退磁裝置對施加了磁粉層的led芯片進行充磁，待充磁完畢后取出芯片藍膜得到具有磁粉層的加磁led芯片。
25、優選的，所述加磁led芯片的磁粉層厚度為2μm-5μm。
26、優選的，對所述led芯片進行充磁時通入50hz交流電，其外部電路中的電容組瞬時充放電,得到極大的單向脈沖充磁電流,產生大的瞬時磁場，充電過程持續至少10ms，需要退磁時通入變頻交流電，然后逐漸減少變頻磁場的振幅到0，退磁時間持續至少30ms。
27、本專利技術的有益效果：
28、本裝置集氣體存儲、精確計量、氣溶膠混合、過濾分粒、均勻噴射、真空沉積、自動化控制以及充退磁功能于一體，實現了對led芯片磁粉層沉積過程的高效和均勻及精確充磁。裝置的設計巧妙地融合了旋轉毛刷氣溶膠發生器和分粒機，確保了磁粉與氣體的均勻混合和氣溶膠的精細過濾，而三維移動平臺和主控制器的協同作業則實現了沉積過程的高度自動化和精確控制。此外，裝置的靈活性體現在對不同氣體、不同磁粉材料(如fe3o4、mn-znfe2o4、ni-znfe2o4等鐵氧體)和不同厚度(2μm-5μm)的適應性，滿足了多樣化的工藝需求。
29、下面通過附圖和實施例，對本專利技術的技術方案做進一步的詳細描述。
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1.一種LED芯片施加磁粉層和充磁退磁裝置，其特征在于：包括氣體存儲罐、通氣管道、流量計量閥、送粉器、分粒機、沉積室、主控制器和真空泵，所述真空泵和所述主控制器均與所述沉積室連接，所述沉積室與所述氣體存儲罐分別連接在所述通氣管道的兩端，所述通氣管道上從左至右依次連接有所述流量計量閥、所述送粉器和所述分粒機；
2.根據權利要求1所述的一種LED芯片施加磁粉層和充磁退磁裝置，其特征在于：所述流量計量閥的內部設置有用于控制氣體流量、監測氣體流速的流量傳感器。
3.根據權利要求1所述的一種LED芯片施加磁粉層和充磁退磁裝置，其特征在于：所述送粉器為旋轉毛刷氣溶膠發生器，其通過步進電機推動儲粉罐內的活塞，使得磁粉顆粒向上運動，然后電刷將接觸面的磁粉帶起并由高速氣流吹出。
4.根據權利要求1所述的一種LED芯片施加磁粉層和充磁退磁裝置，其特征在于：所述分粒機用于將所述送粉器送來的氣溶膠分粒，其內部設置有用于濾除較大顆粒或顆粒團的濾網。
5.根據權利要求1所述的一種LED芯片施加磁粉層和充磁退磁裝置，其特征在于：所述噴嘴設置為矩形結構，尺寸為0.
6.根據權利要求1所述的一種LED芯片施加磁粉層和充磁退磁裝置，其特征在于：所述三維運動平臺通過移動平臺實現對噴嘴的相對運動，且其受所述主控制器直接控制。
7.根據權利要求1所述的一種LED芯片施加磁粉層和充磁退磁裝置，其特征在于：所述充退磁裝置包括內部銜鐵和外部線圈，所述外部線圈設置在所述內部銜鐵的兩側。
8.如權利要求1-7任意一項所述的一種LED芯片施加磁粉層和充磁退磁裝置的加磁芯片的制作方法，其特征在于，步驟如下：
9.根據權利要求8所述的一種LED芯片施加磁粉層和充磁退磁裝置的加磁芯片的制作方法，其特征在于：所述加磁LED芯片的所述磁粉層厚度為2μm-5μm。
10.根據權利要求8所述的一種LED芯片施加磁粉層和充磁退磁裝置的加磁芯片的制作方法，其特征在于：對所述LED芯片進行充磁時通入50Hz交流電，其外部電路中的電容組瞬時充放電,得到極大的單向脈沖充磁電流,產生大的瞬時磁場，充電過程持續至少10ms，需要退磁時通入變頻交流電，然后逐漸減少變頻磁場的振幅到0，退磁時間持續至少30ms。
...【技術特征摘要】
1.一種led芯片施加磁粉層和充磁退磁裝置，其特征在于：包括氣體存儲罐、通氣管道、流量計量閥、送粉器、分粒機、沉積室、主控制器和真空泵，所述真空泵和所述主控制器均與所述沉積室連接，所述沉積室與所述氣體存儲罐分別連接在所述通氣管道的兩端，所述通氣管道上從左至右依次連接有所述流量計量閥、所述送粉器和所述分粒機；
2.根據權利要求1所述的一種led芯片施加磁粉層和充磁退磁裝置，其特征在于：所述流量計量閥的內部設置有用于控制氣體流量、監測氣體流速的流量傳感器。
3.根據權利要求1所述的一種led芯片施加磁粉層和充磁退磁裝置，其特征在于：所述送粉器為旋轉毛刷氣溶膠發生器，其通過步進電機推動儲粉罐內的活塞，使得磁粉顆粒向上運動，然后電刷將接觸面的磁粉帶起并由高速氣流吹出。
4.根據權利要求1所述的一種led芯片施加磁粉層和充磁退磁裝置，其特征在于：所述分粒機用于將所述送粉器送來的氣溶膠分粒，其內部設置有用于濾除較大顆粒或顆粒團的濾網。
5.根據權利要求1所述的一種led芯片施加磁粉層和充磁退磁裝置，其特征在于：所述噴嘴設置為矩形結構，尺寸為0....
【專利技術屬性】
技術研發人員：孫海威，周海鵬，牛德樹，張財政，
申請(專利權)人：北京海炬科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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