【技術實現步驟摘要】
本技術屬于晶片加工，尤其涉及一種碳化硅晶片退火裝置。
技術介紹
1、碳化硅晶片是以碳化硅粉末為材料制造的片狀物體,是生產集成電路、分立器件、傳感器等半導體產品的關鍵材料,是半導體產業鏈基礎性的一環。在碳化硅晶片的生產過程中退火工序是十分重要的一個步驟，直接影響晶片的生產效率和制造質量，隨著碳化硅晶片的制造要求不斷增加，碳化硅晶片的退火裝置在實際工作中存在的不足也急需去完善。
2、現有技術中，通常采用退火爐對碳化硅晶片進行退火。具體的，首先，碳化硅晶片摞在一起放入坩堝內，然后，將坩堝豎直放置在退火爐中進行晶片的退火，使碳化硅晶片與水平面相平行或近似平行。但是，當晶片尺寸增大到6至8英寸后，由于晶片尺寸增大，使得晶片重量增加以及晶片之間接觸面積大，所以，當大量晶片摞在一起時，會造成退火完成后，因晶片氧化作用使晶片不好分離，進而會引起裂片、破片現象，從而降低成品合格率，而且退火裝置結構復雜、不易操作，重復利用率低，增加了額外的成本。
3、因此，亟需設計一種碳化硅晶片退火裝置，解決以上提到的現有的退火裝置結構復雜、重復利用率低、成本高，退火后晶片不易分離和拿取的問題。
技術實現思路
1、為解決
技術介紹
中提及的現有的退火裝置結構復雜、重復利用率低、成本高，退火后晶片不易分離和拿取的技術問題，提供一種碳化硅晶片退火裝置，以解決上述的問題。
2、為實現上述目的，本技術的碳化硅晶片退火裝置的具體技術方案如下：
3、一種碳化硅晶片退火裝置，包括支撐筒，
4、進一步，支撐筒、底環、多個中間環和坩堝蓋之間螺紋連接。
5、進一步，底環包括環狀的第一臺階和第二臺階，第一臺階和第二臺階呈z字型結構，z字型結構搭接在支撐筒上，第二臺階側壁設置有第一內螺紋，支撐筒外周設置有第一外螺紋，第一內螺紋與第一外螺紋螺接。
6、進一步，多個凸臺間隔設置在第一臺階上。
7、進一步，中間環包括環狀的第三臺階和第四臺階，第三臺階和第四臺階呈z字型結構，z字型結構搭接在底環上，第四臺階側壁設置有第二內螺紋，第一臺階外周設置有第二外螺紋，第二內螺紋與第二外螺紋螺接。
8、進一步，第三臺階上開設有避讓空間，用于避讓晶片。
9、進一步，多個凸臺間隔設置在第二臺階上。
10、進一步，多個凸臺凹陷形成放置部，晶片放置在放置部上。
11、進一步，坩堝蓋包括蓋體，蓋體上設置有第五臺階和第六臺階，第五臺階和第六臺階呈l型結構，第五臺階搭接在中間環上，第六臺階側壁設置有第三內螺紋，第三臺階外周設置有第三外螺紋，第三內螺紋與第三外螺紋螺接。
12、進一步，蓋體上開設有螺紋槽，螺紋槽螺接有吊環或提手。
13、本技術的碳化硅晶片退火裝置具有以下優點：
14、通過在支撐筒上設置有底環，底環上依次疊設有多個中間環，多個中間環遠離底環的一端設置有坩堝蓋，底環和中間環均為中空環狀結構，中空環狀結構遠離支撐筒的一側設置有多個凸臺，晶片搭接設置在多個凸臺上，支撐筒、底環、中間環和坩堝蓋可以重復使用，提高利用率，設置多個中間環，便于分離晶片，間隔多個凸臺，便于拿取晶片，結構簡單，降低成本。
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1.一種碳化硅晶片退火裝置，其特征在于，包括支撐筒，支撐筒上設置有底環，底環上依次疊設有多個中間環，多個中間環遠離底環的一端設置有坩堝蓋，底環和中間環均為中空環狀結構，中空環狀結構遠離支撐筒的一側設置有多個凸臺，晶片搭接設置在多個凸臺上。
2.根據權利要求1所述的碳化硅晶片退火裝置，其特征在于，支撐筒、底環、多個中間環和坩堝蓋之間螺紋連接。
3.根據權利要求1所述的碳化硅晶片退火裝置，其特征在于，底環包括環狀的第一臺階和第二臺階，第一臺階和第二臺階呈Z字型結構，Z字型結構搭接在支撐筒上，第二臺階側壁設置有第一內螺紋，支撐筒外周設置有第一外螺紋，第一內螺紋與第一外螺紋螺接。
4.根據權利要求3所述的碳化硅晶片退火裝置，其特征在于，多個凸臺間隔設置在第一臺階上。
5.根據權利要求3所述的碳化硅晶片退火裝置，其特征在于，中間環包括環狀的第三臺階和第四臺階，第三臺階和第四臺階呈Z字型結構，Z字型結構搭接在底環上，第四臺階側壁設置有第二內螺紋，第一臺階外周設置有第二外螺紋，第二內螺紋與第二外螺紋螺接。
6.根據權利要求5所述的碳化
7.根據權利要求5所述的碳化硅晶片退火裝置，其特征在于，多個凸臺間隔設置在第二臺階上。
8.根據權利要求1所述的碳化硅晶片退火裝置，其特征在于，多個凸臺凹陷形成放置部，晶片放置在放置部上。
9.根據權利要求5所述的碳化硅晶片退火裝置，其特征在于，坩堝蓋包括蓋體，蓋體上設置有第五臺階和第六臺階，第五臺階和第六臺階呈L型結構，第五臺階搭接在中間環上，第六臺階側壁設置有第三內螺紋，第三臺階外周設置有第三外螺紋，第三內螺紋與第三外螺紋螺接。
10.根據權利要求9所述的碳化硅晶片退火裝置，其特征在于，蓋體上開設有螺紋槽，螺紋槽螺接有吊環或提手。
...【技術特征摘要】
1.一種碳化硅晶片退火裝置，其特征在于，包括支撐筒，支撐筒上設置有底環，底環上依次疊設有多個中間環，多個中間環遠離底環的一端設置有坩堝蓋，底環和中間環均為中空環狀結構，中空環狀結構遠離支撐筒的一側設置有多個凸臺，晶片搭接設置在多個凸臺上。
2.根據權利要求1所述的碳化硅晶片退火裝置，其特征在于，支撐筒、底環、多個中間環和坩堝蓋之間螺紋連接。
3.根據權利要求1所述的碳化硅晶片退火裝置，其特征在于，底環包括環狀的第一臺階和第二臺階，第一臺階和第二臺階呈z字型結構，z字型結構搭接在支撐筒上，第二臺階側壁設置有第一內螺紋，支撐筒外周設置有第一外螺紋，第一內螺紋與第一外螺紋螺接。
4.根據權利要求3所述的碳化硅晶片退火裝置，其特征在于，多個凸臺間隔設置在第一臺階上。
5.根據權利要求3所述的碳化硅晶片退火裝置，其特征在于，中間環包括環狀的第三臺階和第四臺階，第三臺階和第四臺階...
【專利技術屬性】
技術研發人員：夏海洋，劉少晗，張旭，
申請(專利權)人：合肥高納半導體科技有限責任公司，
類型：新型
國別省市：
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