【技術實現步驟摘要】
本公開涉及電路設計領域，具體涉及一種參考電壓產生電路。
技術介紹
1、在模擬和混合信號集成電路設計中，參考電壓源是一個關鍵組件，它為電路提供穩定的電壓參考點，這對于電路的正確操作至關重要。
2、參考電壓源通常通過分壓電路來實現，而金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(mosfet)由于在性能、集成度、功耗等方面的優勢，通常被用作分壓電路中的分壓器件。
3、然而，當電源電壓較高時，分壓器件可能承受超過或者接近其耐壓極限的電壓，可能導致器件損壞或者工作性能下降，導致參考電壓的準確性和穩定性受到影響。
技術實現思路
1、本公開一個或多個實施例的目的，即提供一種參考電壓產生電路。
2、該參考電壓產生電路，包括電流偏置電路、分壓電路和溫度補償電路；
3、所述電流偏置電路用于產生偏置電流；
4、所述分壓電路包括：
5、雙極型晶體管，所述偏置電流輸入所述雙極型晶體管并產生負溫度系數電壓；
6、至少兩個第一nmos管，級聯連接在雙極型晶體管的發射極和地之間，其中，級聯的第一個第一nmos管的柵極與所述發射極連接，最后一個第一nmos管的漏極輸出第一電壓；
7、第一pmos管，所述第一pmos管的柵極與所述雙極型晶體管的發射極連接，源極通過第一電阻與電源連接；
8、第二pmos管，連接在所述第一個第一nmos管的漏極與電源之間，所述第二pmos管的柵極與所述第一pmos管的源極連接，其中，所述第二
9、溫度補償電路，用于對第一電壓進行溫度補償，并輸出零溫度系數參考電壓。
10、在一些實施例中，所述分壓電路還包括第三pmos管、第四pmos管，其中，所述第三pmos管用于鏡像所述偏置電流，所述第四pmos管的源極與所述第三pmos管的漏極連接，漏極與所述雙極型晶體管的發射極連接，柵極的輸入電壓為所述電流偏置電路提供的偏置電壓。
11、在一些實施例中，所述分壓電路還包括以二極管方式連接的第二nmos管，所述第一pmos管的漏極經由所述第二nmos管接地。
12、在一些實施例中，所述電流偏置電路包括第一電流鏡、第二電流鏡和第二電阻，所述第一電流鏡包括柵極相互連接并且源極與電源連接的第五pmos管和第六pmos管，所述第六pmos管的柵極與漏極連接；所述第二電流鏡與所述第一電流鏡級聯連接，所述第二電流鏡包含柵極相互連接的第三nmos管和第四nmos管，所述第三nmos管的柵極與漏極連接，所述第四nmos管經由第二電阻接地。
13、在一些實施例中，所述電流偏置電路還包括第五nmos管和第七pmos管；
14、所述第五nmos管用于鏡像所述第二電流鏡輸出的電流，所述第五nmos管的源極接地，漏極經由以二極管方式連接的第七pmos管與電源連接，所述第七pmos管的柵極輸出偏置電壓。
15、在一些實施例中，所述參考電壓產生電路還包括用于復制所述第六pmos管的電流的第八pmos管以及第九pmos管和第十pmos管，以及用于復制所述第三nmos管的電流的第六nmos管以及第七nmos管和第八nmos管；
16、其中，所述第九pmos管的源極與電源連接，漏極與所述第六nmos管的漏極連接，柵極與所述第五pmos管的漏極連接，所述第十pmos管的柵極與所述第九pmos管的漏極連接，源極與所述第九pmos管的柵極連接，漏極與所述第三nmos管的漏極連接；
17、所述第七nmos管的源極與接地，漏極與所述第八pmos管的漏極連接，柵極與所述第四nmos管的漏極連接，所述第八nmos管的柵極與所述第七nmos管的漏極連接，源極與所述第七nmos管的柵極連接，漏極與所述第六pmos管的漏極連接。
18、在一些實施例中，所述溫度補償電路包括多個閾值差值電壓子電路，其中，每個閾值差值電壓子電路具有正溫度系數，閾值差值電壓子電路的數目根據所述雙極型晶體管的負溫度系數與每個所述閾值差值電壓子電路的正溫度系數之間的數值關系確定。
19、在一些實施例中，所述參考電壓產生電路還包括啟動電路，所述啟動電路包括第十一nmos管、第十二nmos管、第十四pmos管、第十五pmos管、第十六pmos管、第十七pmos管和反相器；
20、其中，所述第十一nmos管和所述第十二nmos管的柵接相互連接，源極接地，并且所述第十二nmos管的柵極和漏極連接；
21、所述第十四pmos管以二極管的方式連接在電源和所述第十一nmos管之間，所述第十五pmos管連接在電源和所述第十二nmos管之間；
22、所述第十四pmos管的柵極經由所述反相器與所述第十六pmos管和所述第十七pmos管的柵極連接，所述第十六pmos管和所述第十七pmos管的源與電源連接，漏極分別用于提供第一初始電流和第二初始電流。
23、在一些實施例中，所述第一nmos管的數目為兩個或三個。
24、本公開所提供的參考電壓產生電路包括電流偏置電路、分壓電路和溫度補償電路，所述電流偏置電路用于產生偏置電流；所述分壓電路包括：產生負溫度系數電壓的雙極型晶體管、作為分壓器件的至少兩個第一nmos管、第一pmos管和第二pmos管，所述至少兩個第一nmos管級聯連接在雙極型晶體管的發射極和地之間，其中，級聯的第一個第一nmos管的柵極與所述發射極連接，最后一個的漏極輸出第一電壓；第一pmos管的柵極與所述雙極型晶體管的發射極連接，源極通過第一電阻與電源連接；第二pmos管連接在所述第一個第一nmos管的漏極與電源之間，所述第二pmos管的柵極與所述第一pmos管的源極連接，其中，所述第二pmos管為nat?i?ve器件。通過溫度補償電路的正溫度系數特性電壓，來補償第一電壓的負溫度系數特性，從而可以輸出零溫度系數參考電壓。由于第一pmos管和第一電阻構成源跟隨器，將第二pmos管的柵極電壓被箝位在負溫度系數電壓與第一pmos管的柵源電壓之和，由于nat?i?ve器件的閾值電壓接近于0v，因此第一個分壓器件的漏端電壓也被箝位在該電壓，因此可以保證分壓器件不超過耐壓，同時處于正常的工作區域，從而保證參考電壓的準確性和穩定性。
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1.一種參考電壓產生電路，其特征在于，所述電路包括電流偏置電路、分壓電路和溫度補償電路；
2.根據權利要求1所述的電路，其特征在于，所述分壓電路還包括第三PMOS管、第四PMOS管，其中，所述第三PMOS管用于鏡像所述偏置電流，所述第四PMOS管的源極與所述第三PMOS管的漏極連接，漏極與所述雙極型晶體管的發射極連接，柵極的輸入電壓為所述電流偏置電路提供的偏置電壓。
3.根據權利要求1所述的電路，其特征在于，所述分壓電路還包括以二極管方式連接的第二NMOS管，所述第一PMOS管的漏極經由所述第二NMOS管接地。
4.根據權利要求1所述的電路，其特征在于，所述電流偏置電路包括第一電流鏡、第二電流鏡和第二電阻，所述第一電流鏡包括柵極相互連接并且源極與電源連接的第五PMOS管和第六PMOS管，所述第六PMOS管的柵極與漏極連接；所述第二電流鏡與所述第一電流鏡級聯連接，所述第二電流鏡包含柵極相互連接的第三NMOS管和第四NMOS管，所述第三NMOS管的柵極與漏極連接，所述第四NMOS管經由第二電阻接地。
5.根據權利要求4所述的電路，其特征
6.根據權利要求5所述的電路，其特征在于，還包括用于復制所述第六PMOS管的電流的第八PMOS管以及第九PMOS管和第十PMOS管，以及用于復制所述第三NMOS管的電流的第六NMOS管以及第七NMOS管和第八NMOS管；
7.根據權利要求1所述的電路，其特征在于，所述溫度補償電路包括多個閾值差值電壓子電路，其中，每個閾值差值電壓子電路具有正溫度系數，閾值差值電壓子電路的數目根據所述雙極型晶體管的負溫度系數與每個所述閾值差值電壓子電路的正溫度系數之間的數值關系確定。
8.根據權利要求1所述的電路，其特征在于，還包括啟動電路，所述啟動電路包括第十一NMOS管、第十二NMOS管、第十四PMOS管、第十五PMOS管、第十六PMOS管、第十七PMOS管和反相器；
9.根據權利要求1所述的電路，其特征在于，所述第一NMOS管的數目為兩個或三個。
...【技術特征摘要】
1.一種參考電壓產生電路，其特征在于，所述電路包括電流偏置電路、分壓電路和溫度補償電路；
2.根據權利要求1所述的電路，其特征在于，所述分壓電路還包括第三pmos管、第四pmos管，其中，所述第三pmos管用于鏡像所述偏置電流，所述第四pmos管的源極與所述第三pmos管的漏極連接，漏極與所述雙極型晶體管的發射極連接，柵極的輸入電壓為所述電流偏置電路提供的偏置電壓。
3.根據權利要求1所述的電路，其特征在于，所述分壓電路還包括以二極管方式連接的第二nmos管，所述第一pmos管的漏極經由所述第二nmos管接地。
4.根據權利要求1所述的電路，其特征在于，所述電流偏置電路包括第一電流鏡、第二電流鏡和第二電阻，所述第一電流鏡包括柵極相互連接并且源極與電源連接的第五pmos管和第六pmos管，所述第六pmos管的柵極與漏極連接；所述第二電流鏡與所述第一電流鏡級聯連接，所述第二電流鏡包含柵極相互連接的第三nmos管和第四nmos管，所述第三nmos管的柵極與漏極連接，所述第四nmos...
【專利技術屬性】
技術研發人員：柳雪晶，陳艷，劉明磊，
申請(專利權)人：北京中電華大電子設計有限責任公司，
類型：發明
國別省市：
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