【技術實現步驟摘要】
本公開屬于薄膜式濾波器，尤其涉及一種薄膜表面聲波濾波器及封裝方法。
技術介紹
1、目前，常用的射頻濾波器包括聲表面波濾波器saw(surface?acoust?i?cwave,saw)和體聲波濾波器baw(bu?l?k?acoust?i?c?wave,baw)。其中，聲表面波濾波器包括普通聲表面濾波器、溫度補償型聲表面濾波器tc-saw和薄膜型聲表面濾波器tf-saw。
2、現有半導體封裝方法主要分為兩種：傳統封裝和晶圓級封裝。傳統封裝是首先將晶圓切割成芯片，然后對芯片進行封裝；而晶圓級封裝則是先在晶圓上進行部分或全部封裝，之后再將其切割成單件。
3、在晶圓級封裝工藝中，通過使用干膜在硅片表面創建預定形狀和尺寸的空腔結構，有助于改善濾波器的光束操縱和模式控制，然而在僅靠干膜形成空腔結構的情況下，由于干膜本身的強度較弱，承受的壓力也較小，在模組封裝過程中出現塌陷的情況，進而可能會導致濾波器存在質量問題。
技術實現思路
1、為解決上述問題，本公開提供了一種薄膜表面聲波濾波器及封裝方法，通過選用第二晶圓代替干膜形成空腔,可以在后續模組組裝的時候承受更大的壓強，從而保障濾波器的質量。
2、本公開第一方面提供一種薄膜表面聲波濾波器，濾波器包括：第一晶圓，所述第一晶圓包括第一襯底層和電極層，所述電極層設置于所述第一襯底層之上；
3、第二晶圓，設置于所述第一晶圓的一側，所述第二晶圓包括第二襯底層和鍵合層，所述鍵合層設置于所述第二襯底層之上，所述鍵合
4、如此設置，第二晶圓通過鍵合層鍵合于第一晶圓的電極層上，并使得鍵合層形成于第一晶圓和第二晶圓之間的密封空腔，有助于提升傳輸效率和濾波精度，并且通過第二晶圓替換現有干膜形成的空腔，減小原來干膜所占用的面積，實現濾波器的小型化，進而增加空腔結構的穩定性，有助于在模組封裝式第一晶圓承受更大的壓強，減少在模組封裝過程中出現塌陷的情況，從而保障濾波器的質量。
5、在一些實施例中，所述第一晶圓背離所述第二晶圓的一側開設有過孔，所述過孔供所述第一晶圓的電極層露出。
6、如此設置，以便于第一晶圓通過過孔與外部器件進行電連接。
7、在一些實施例中，所述第一晶圓背離所述第二晶圓的一側設有金屬層，所述金屬層沿所述第一晶圓表面、所述過孔孔壁表面以及所述過孔中所述電極層露出的表面設置，所述金屬層通過所述過孔與所述電極層相接觸。
8、如此設置，以便于金屬層于第一晶圓上形成反射式延遲線，以增加濾波器的選擇性，從而提高接收信號的品質。
9、在一些實施例中，所述第一晶圓背離所述第二晶圓的一側設有保護層，所述保護層覆蓋所述金屬層以及所述過孔。
10、如此設置，以將第一晶圓進行保護，有助于減少第一晶圓在使用過程中因電路中的其他原件產生的靜電放電而受到的損傷。
11、在一些實施例中，所述保護層背離所述第一晶圓的一側設有多個導電球，所述導電球避開所述過孔與所述保護層與所述金屬層接觸設置。
12、如此設置，使得導電球通過金屬層與電極層接觸，實現聲波信號和電信號之間的高效耦合，以便于電極層通過導電球實現與外部器件的電連接。
13、本公開第二方面提供一種薄膜表面聲波濾波器封裝方法，適用于第一方面所述的薄膜表面聲波濾波器，所述封裝方法包括：獲取第一晶圓，所述第一晶圓包括第一襯底層和電極層，所述電極層設置于所述第一襯底層之上；獲取第二晶圓，所述第二晶圓包括第二襯底層和鍵合層，所述鍵合層設置于所述第二襯底層之上；將所述第二晶圓與所述第一晶圓鍵合連接，所述鍵合層與所述電極層鍵合，所述鍵合層在所述第一晶圓與所述第二晶圓之間包圍形成密封空腔，所述第一晶圓的電極層部分表面和所述第二晶圓的第二襯底層的部分表面露出于所述密封空腔內。
14、在本公開中，使用晶圓級封裝方式將第一晶圓和第二晶圓鍵合，利用第二晶圓在第一晶圓上形成的密封空腔，代替干膜形成的空腔，可以在后續模組組裝的時候承受更大的壓強，增加空腔結構的穩定性，有助于在模組封裝式第一晶圓承受更大的壓強。同時由于第一晶圓的空腔結構強度大，僅需在第一晶圓的邊緣圍繞一圈干膜即可，替換原來兩層干膜的結構，有助于實現薄膜表面聲波濾波器的小型化。
15、在一些實施例中，所述封裝方法還包括：在所述第一晶圓背離所述第二晶圓的一側形成過孔，所述過孔供所述第一晶圓的電極層露出。
16、如此設置，在第一晶圓內部形成過孔樣式的孔洞，以便于通過空洞在晶圓之間或晶圓與外部器件之間進行電連接。
17、在一些實施例中，所述在所述第一晶圓背離所述第二晶圓的一側開設過孔包括：在所述第一晶圓背離所述第二晶圓的一側形成金屬層，所述金屬層沿所述第一晶圓表面、所述過孔孔壁表面以及所述過孔中所述電極層露出的表面設置，所述金屬層通過所述過孔與所述電極層相接觸。
18、如此設置，利用金屬層可以由金屬線條、電容和電感組成，主要用于延遲信號并反射信號以增加濾波器選擇性，還可以用于晶圓與晶圓之間或晶圓與外部器件之間的互聯。
19、在一些實施例中，所述在所述第一晶圓背離所述第二晶圓的一側形成金屬層包括：在所述第一晶圓背離所述第二晶圓的一側形成保護層，所述保護層覆蓋所述金屬層以及所述過孔。
20、如此設置，利用保護層將第一晶圓保護，以減少第一晶圓受到的損傷。
21、在一些實施例中，所述在所述第一晶圓背離所述第二晶圓的一側形成保護層包括：在所述保護層背離所述第一晶圓的一側形成多個導電球，所述導電球避開所述過孔設置。
22、如此設置，在第一晶圓上加一層導電球，可以提高金屬層與電極層之間的耦合效率，從而提高濾波器的性能。
23、與現有技術相比，本公開具有如下優點：
24、通過選用第二晶圓代替干膜形成空腔,減小原來干膜所占用的面積，實現濾波器的小型化，進而增加空腔結構的穩定性，可以在后續模組組裝的時候承受更大的壓強，從而保障濾波器的質量。
25、本公開的其它特征和優點將在隨后的說明書中闡述，并且，部分地從說明書中變得顯而易見，或者通過實施本公開而了解。本公開的目的和其他優點可通過在說明書、權利要求書以及附圖中所指出的結構來實現和獲得。
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1.一種薄膜表面聲波濾波器，其特征在于，所述濾波器包括：
2.根據權利要求1所述的薄膜表面聲波濾波器，其特征在于，所述第一晶圓背離所述第二晶圓的一側開設有過孔，所述過孔供所述第一晶圓的電極層露出。
3.根據權利要求2所述的薄膜表面聲波濾波器，其特征在于，所述第一晶圓背離所述第二晶圓的一側設有金屬層，所述金屬層沿所述第一晶圓表面、所述過孔孔壁表面以及所述過孔中所述電極層露出的表面設置，所述金屬層通過所述過孔與所述電極層相接觸。
4.根據權利要求3所述的薄膜表面聲波濾波器，其特征在于，所述第一晶圓背離所述第二晶圓的一側設有保護層，所述保護層覆蓋所述金屬層以及所述過孔。
5.根據權利要求4所述的薄膜表面聲波濾波器，其特征在于，所述保護層背離所述第一晶圓的一側設有多個導電球，所述導電球避開所述過孔與所述保護層與所述金屬層接觸設置。
6.一種薄膜表面聲波濾波器封裝方法，適用于權利要求1-5所述的薄膜表面聲波濾波器，其特征在于，所述封裝方法包括：
7.根據權利要求6所述的封裝方法，其特征在于，所述封裝方法還包括：
...【技術特征摘要】
1.一種薄膜表面聲波濾波器，其特征在于，所述濾波器包括：
2.根據權利要求1所述的薄膜表面聲波濾波器，其特征在于，所述第一晶圓背離所述第二晶圓的一側開設有過孔，所述過孔供所述第一晶圓的電極層露出。
3.根據權利要求2所述的薄膜表面聲波濾波器，其特征在于，所述第一晶圓背離所述第二晶圓的一側設有金屬層，所述金屬層沿所述第一晶圓表面、所述過孔孔壁表面以及所述過孔中所述電極層露出的表面設置，所述金屬層通過所述過孔與所述電極層相接觸。
4.根據權利要求3所述的薄膜表面聲波濾波器，其特征在于，所述第一晶圓背離所述第二晶圓的一側設有保護層，所述保護層覆蓋所述金屬層以及所述過孔。
5.根據權利要求4所述的薄膜表面聲波濾波器，其特...
【專利技術屬性】
技術研發人員：洪宗敏，馮端，鄒潔，
申請(專利權)人：深圳新聲半導體有限公司，
類型：發明
國別省市：
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