【技術實現步驟摘要】
本申請實施例涉及半導體加工，尤其涉及一種半導體工藝設備的排氣系統及氣路系統。
技術介紹
1、半導體加工過程一般是將晶片放置于反應爐中，再向反應爐通入反應氣體進行反應加工。晶片的清潔度一般要求較高，當反應爐開始工作時，需要對反應爐進行抽真空，為了使反應爐快速形成真空，一般會以較快的速度對反應爐進行抽氣，但容易使反應爐內的氣流紊亂，造成反應爐內的晶片震動，并使反應爐內產生顆粒粉塵(產生顆粒粉塵的原因為顆粒粉塵揚起或顆粒粉塵脫落等物理原因)，產生的顆粒粉塵再附著于晶片上，導致晶片清潔度低的問題。
技術實現思路
1、有鑒于此，本申請提供一種的半導體工藝設備的排氣系統，以解決在排氣時，反應爐內的晶片震動，導致晶片清潔度低的問題。
2、本申請提供一種半導體工藝設備的排氣系統，包括排氣主路、排氣支路、抽氣組件、控壓閥、第一截止組件、第一連接支路、第二連接支路、壓力檢測組件和控制器，排氣主路與控壓閥連接，控壓閥將排氣主路劃分為兩段管路，排氣主路的第一段管路的進氣口與半導體工藝設備的反應腔室的出氣口連通，排氣主路的第一段管路的出氣口與控壓閥的一端連接，控壓閥的另一端與排氣主路的第二段管路的進氣口連接，排氣主路的第二段管路的出氣口與抽氣組件的進氣口連通。排氣主路的第一段管路的進氣口與出氣口之間的管路與第一連接支路的進氣口連通，第一連接支路的出氣口與第二連接支路的進氣口連通，第二連接支路位于第一連接支路的上方。壓力檢測組件與第二連接支路連接，壓力檢測組件位于第二連接支路的上方，用于檢測反應腔
3、在上述實施例中，由于第二連接支路、第一連接支路、排氣主路和反應腔室依次連通，使壓力檢測組件能夠對排氣主路的壓力進行檢測，從而對反應腔室內的壓力進行檢測。當抽氣組件開始抽氣時，壓力檢測組件檢測到的壓力未達到第一值時，控壓閥關閉，第一截止組件導通，以使反應腔室內的氣體流經管徑較小的第一連接支路、第二連接支路排氣支路，從而使得抽氣組件以較慢的抽氣速度對反應腔室進行抽氣，從而降低反應腔室內因局部壓力變化過大而發生氣流紊亂的風險，有助于減少晶片發生震動而產生顆粒粉塵的現象，達到保持晶片清潔度的效果。當壓力檢測組件檢測到的壓力達到第一值后，反應腔室內整體的壓力保持在較低的范圍內，此時反應腔室內不易產生氣流紊亂的現象，第一截止組件關閉、控壓閥導通，以使反應腔室內的氣體流經管徑較大的排氣主路，從而使得抽氣組件以較快的抽氣速度對反應腔室進行抽氣。
4、在一種可能的實施方式中，壓力檢測組件包括第一薄膜規、第二薄膜規和第二截止組件，第一薄膜規的量程大于第二薄膜規的量程，第二薄膜規通過第二截止組件與第二連接支路連接。控制器根據第一薄膜規檢測的不同壓力數值控制第二截止組件打開或關閉，以使第二薄膜規與第二連接支路連通或斷開。當第一薄膜規檢測的壓力數值大于第一值時，控制器控制第一截止組件打開，第二截止組件和控壓閥關閉；當第一薄膜規檢測的壓力數值小于第一值大于第二值時，控制器控制控壓閥打開，第一截止組件和第二截止組件關閉；當第一薄膜規檢測的壓力數值小于第二值時，控制器控制第二截止組件再打開，第二薄膜規檢測反應腔室的壓力數值。其中，第一值小于600torr，第二值小于第一值且位于第二薄膜規的量程范圍內。
5、在一種可能的實施方式中，當第二薄膜規檢測反應腔室的壓力數值時，控制器根據該壓力數值變化調控控壓閥的開度。
6、在一種可能的實施方式中，排氣系統還包括針閥，針閥與排氣支路連接，且相對于第一截止組件靠近于排氣支路的出氣口。
7、在一種可能的實施方式中，壓力檢測組件包括第一薄膜規，第一薄膜規用于檢測連接管路的壓力，當第一薄膜規檢測到的壓力超過第一值時，第三截止組件控制排氣旁路導通。
8、一種氣路系統，包括進氣系統和上述的排氣系統，進氣系統包括氣源、進氣支路、第五截止組件、吹掃管路和第六截止組件。進氣支路與第五截止組件連接，第五截止組件將進氣支路劃分為第一段管路和第二段管路，進氣支路的第一段管路的進氣口用于通入氣源，進氣支路的第一段管路的出氣口與第五截止組件的一端連接，第五截止組件的另一端與進氣支路的第二段管路的進氣口連接，進氣支路的第二段管路的出氣口與反應腔室連通，且進氣支路的第一段管路的長度大于進氣支路的第二段管路的長度。吹掃管路的進氣口與進氣支路的第一段管路連通，吹掃管路的出氣口與排氣主路連通。第六截止組件連接于吹掃管路的進氣口與出氣口之間的管路。控制器與第五截止組件和第六截止組件電連接，控制器控制第五截止組件和第六截止組件二者之一打開以及二者之另一關閉。
9、在一種可能的實施方式中，氣源包括吹掃氣體，當第六截止組件打開且第五截止組件關閉時，吹掃氣體吹掃進氣支路的第一段管路后流經吹掃管路，抽氣組件對吹掃管路抽氣；當第五截止組件關閉且第六截止組件打開時，吹掃氣體流經被吹掃過的進氣支路吹掃反應腔室，抽氣組件對反應腔室抽氣。
10、在一種可能的實施方式中，氣源還包括反應氣體，反應氣體通入被吹掃過的進氣支路流經被吹掃過的反應腔室，抽氣組件對反應腔室抽氣。
11、在一種可能的實施方式中，進氣系統還包括第二單向閥，第二單向閥與吹掃管路的進氣口與出氣口之間的管路連通。
12、在一種可能的實施方式中，排氣支路的出氣口與吹掃管路連通，排氣支路的出氣口相對于第二單向閥靠近吹掃管路的出氣口。
13、在一種可能的實施方式中，進氣系統還包括第四薄膜規和第七截止組件，第四薄膜規和第七截止組件均與控制器電連接，吹掃管路位于第二單向閥和排氣支路的出氣口之間的管路與第四薄膜規連通并與第七截止組件連接，第七截止組件相對于第四薄膜規靠近于排氣支路的出氣口。當檢測抽氣組件是否正常時，關閉控壓閥、第一截止組件、第五截止組件、第六截止組件，打開第七截止組件和抽氣組件，抽氣組件對吹掃管路抽氣，第四薄膜規檢測吹掃管路的壓力數值。
14、在一種可能的實施方式中，進氣系統還包括清洗管路、第八截止組件，控制器與第八截止組件電連接，氣源還包括清洗氣體，清洗氣體用于清洗反應腔室內壁的殘留物。清洗管路的進氣口用于通入清洗氣體，清洗管路具有第一出氣口，清洗管路的第一出氣口與進氣支路連通清洗管路的進氣口和第一出氣口之間的管路連接第八截止組件。清洗氣體通入清洗管路流經進氣支路、反應腔室時，控制器控制第八截止組件打開，控制器控制控壓閥和第一截止組件至少一個打開，第五截止組件、第六截止組件關閉，抽氣組件對反應腔室抽氣。
15、在一種可能的實施方式中，進氣系統還包括第九截止組件，控制器與第九截止組件電連接，清洗本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種半導體工藝設備的排氣系統，其特征在于，包括排氣主路、排氣支路、抽氣組件、控壓閥、第一截止組件、第一連接支路、第二連接支路、壓力檢測組件和控制器；
2.如權利要求1所述的排氣系統，其特征在于：所述壓力檢測組件包括第一薄膜規、第二薄膜規和第二截止組件，所述第一薄膜規的量程大于所述第二薄膜規的量程，所述第二薄膜規通過所述第二截止組件與所述第二連接支路連接；
3.如權利要求2所述的排氣系統，其特征在于：當所述第二薄膜規檢測所述反應腔室的壓力數值時，所述控制器根據該壓力數值變化調控所述控壓閥的開度。
4.如權利要求1所述的排氣系統，其特征在于：所述排氣系統還包括針閥，所述針閥與所述排氣支路連接，且相對于所述第一截止組件靠近于所述排氣支路的出氣口。
5.一種氣路系統，其特征在于，包括進氣系統和如權利要求1至4中任意一項所述的排氣系統，所述進氣系統包括氣源、進氣支路、第五截止組件、吹掃管路和第六截止組件；
6.如權利要求5所述的氣路系統，其特征在于，所述氣源包括吹掃氣體，當所述第六截止組件打開且所述第五截止組件關閉時，所述吹掃
7.如權利要求6所述的氣路系統，其特征在于，所述氣源還包括反應氣體，所述反應氣體通入被吹掃過的所述進氣支路流經被吹掃過的所述反應腔室，所述抽氣組件對所述反應腔室抽氣。
8.如權利要求6所述的氣路系統，其特征在于，所述進氣系統還包括第二單向閥，所述第二單向閥與所述吹掃管路的進氣口與出氣口之間的管路連通。
9.如權利要求8所述的氣路系統，其特征在于，所述排氣支路的出氣口與所述吹掃管路連通，所述排氣支路的出氣口相對于所述第二單向閥靠近所述吹掃管路的出氣口。
10.如權利要求9所述的氣路系統，其特征在于，所述進氣系統還包括第四薄膜規和第七截止組件，所述第四薄膜規和所述第七截止組件均與所述控制器電連接，所述吹掃管路位于所述第二單向閥和所述排氣支路的出氣口之間的管路與所述第四薄膜規連通并與所述第七截止組件連接，所述第七截止組件相對于所述第四薄膜規靠近于所述排氣支路的出氣口；
11.如權利要求10所述的氣路系統，其特征在于，所述進氣系統還包括清洗管路、第八截止組件，所述控制器與所述第八截止組件電連接，所述氣源還包括清洗氣體，所述清洗氣體用于清洗所述反應腔室內壁的殘留物；
12.如權利要求11所述的氣路系統，其特征在于，所述進氣系統還包括第九截止組件，所述控制器與所述第九截止組件電連接，所述清洗氣體還用于清洗所述吹掃管路內壁的殘留物；
13.如權利要求5所述的氣路系統，其特征在于：所述氣路系統還包括第三薄膜規，所述第三薄膜規與所述控制器電連接，所述第三薄膜規與所述第二連接支路連通，用于檢測所述反應腔室的壓力數值，所述氣源還包括回壓氣體；
14.如權利要求13所述的氣路系統，其特征在于：所述進氣系統還包括壓差計、第三截止組件，所述半導體工藝設備還包括裝載室；
15.如權利要求14所述的氣路系統，其特征在于：所述進氣系統還包括排氣旁路和第四截止組件，所述排氣旁路的進氣口與所述第二連接支路連通，所述排氣旁路的出氣口用于將所述第二連接支路的氣體排出，所述第四截止組件連接于所述排氣旁路的進氣口與出氣口之間的管路；所述控制器根據第三薄膜規檢測的不同壓力數值還控制所述第四截止組件打開或關閉；
16.如權利要求15所述的氣路系統，其特征在于：所述第二連接支路的進氣口將所述第二連接支路劃分為第一段管路和第二段管路，所述壓力檢測組件、所述第三薄膜規、所述第三截止組件均位于所述第二連接支路的第一段管路，所述排氣旁路位于所述第二連接支路的第二段管路。
17.如權利要求16所述的氣路系統，其特征在于：所述排氣系統還包括第一單向閥，所述第一單向閥與所述排氣旁路連通，且相對于所述第四截止組件靠近于所述排氣旁路的出氣口。
...【技術特征摘要】
1.一種半導體工藝設備的排氣系統，其特征在于，包括排氣主路、排氣支路、抽氣組件、控壓閥、第一截止組件、第一連接支路、第二連接支路、壓力檢測組件和控制器；
2.如權利要求1所述的排氣系統，其特征在于：所述壓力檢測組件包括第一薄膜規、第二薄膜規和第二截止組件，所述第一薄膜規的量程大于所述第二薄膜規的量程，所述第二薄膜規通過所述第二截止組件與所述第二連接支路連接；
3.如權利要求2所述的排氣系統，其特征在于：當所述第二薄膜規檢測所述反應腔室的壓力數值時，所述控制器根據該壓力數值變化調控所述控壓閥的開度。
4.如權利要求1所述的排氣系統，其特征在于：所述排氣系統還包括針閥，所述針閥與所述排氣支路連接，且相對于所述第一截止組件靠近于所述排氣支路的出氣口。
5.一種氣路系統，其特征在于，包括進氣系統和如權利要求1至4中任意一項所述的排氣系統，所述進氣系統包括氣源、進氣支路、第五截止組件、吹掃管路和第六截止組件；
6.如權利要求5所述的氣路系統，其特征在于，所述氣源包括吹掃氣體，當所述第六截止組件打開且所述第五截止組件關閉時，所述吹掃氣體吹掃所述進氣支路的第一段管路后流經所述吹掃管路，所述抽氣組件對所述吹掃管路抽氣；當所述第五截止組件關閉且所述第六截止組件打開時，所述吹掃氣體流經被吹掃過的所述進氣支路吹掃所述反應腔室，所述抽氣組件對所述反應腔室抽氣。
7.如權利要求6所述的氣路系統，其特征在于，所述氣源還包括反應氣體，所述反應氣體通入被吹掃過的所述進氣支路流經被吹掃過的所述反應腔室，所述抽氣組件對所述反應腔室抽氣。
8.如權利要求6所述的氣路系統，其特征在于，所述進氣系統還包括第二單向閥，所述第二單向閥與所述吹掃管路的進氣口與出氣口之間的管路連通。
9.如權利要求8所述的氣路系統，其特征在于，所述排氣支路的出氣口與所述吹掃管路連通，所述排氣支路的出氣口相對于所述第二單向閥靠近所述吹掃管路的出氣口。
10.如權利要求9所述的氣路系統，其特征在于，所述進氣系統還...
【專利技術屬性】
技術研發人員：龍占勇，周亮，金文凱，李燕清，王勤勤，林佳繼，
申請(專利權)人：拉普拉斯廣州半導體科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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