【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)、成膜裝置、對(duì)準(zhǔn)方法、成膜方法以及電子器件的制造方法。
技術(shù)介紹
1、在有機(jī)el顯示裝置(有機(jī)el顯示器)的制造中，在對(duì)構(gòu)成有機(jī)el顯示裝置的有機(jī)發(fā)光元件(有機(jī)el元件；oled)進(jìn)行形成時(shí)，使從成膜裝置的蒸鍍?cè)凑舭l(fā)的蒸鍍材料經(jīng)由形成有像素圖案的掩模向基板蒸鍍，由此形成有機(jī)物層或金屬層。
2、在向上蒸鍍方式(向上沉積)的成膜裝置中，蒸鍍?cè)丛O(shè)置在成膜裝置的真空容器的下部，基板配置在真空容器的上部，向基板的下表面蒸鍍。在這樣的向上蒸鍍方式的成膜裝置的真空容器內(nèi)，基板由于僅其下表面的周邊部由基板支架保持，因此基板因其自重而撓曲，這成為使蒸鍍精度下降的一個(gè)主要原因。即使在向上蒸鍍方式以外的方式的成膜裝置中，也有可能產(chǎn)生由基板的自重引起的撓曲。
3、作為用于減少由基板的自重引起的撓曲的方法，正在研討使用靜電卡盤的技術(shù)。即，利用靜電卡盤將基板的上表面遍及其整體地吸附，由此能夠減少基板的撓曲。
4、在專利文獻(xiàn)1(韓國(guó)專利公開(kāi)公報(bào)2007-0010723號(hào))中，提出了利用靜電卡盤來(lái)吸附基板及掩模的技術(shù)。
5、【現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)】
6、【專利文獻(xiàn)】
7、【專利文獻(xiàn)1】韓國(guó)專利公開(kāi)公報(bào)2007-0010723號(hào)
8、【要解決的課題】
9、然而，在現(xiàn)有技術(shù)中，在利用靜電卡盤吸附了基板的狀態(tài)下，當(dāng)為了進(jìn)行基板與掩模之間的對(duì)準(zhǔn)而使吸附有基板的靜電卡盤接近掩模時(shí)，掩模從靜電卡盤受到靜電引力，存在與基板的下表面接觸的情況。在該狀態(tài)下，如果進(jìn)行基板
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本專利技術(shù)的目的在于提供一種能夠減少對(duì)基板的成膜面的損傷的對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)、成膜裝置、對(duì)準(zhǔn)方法、成膜方法以及電子器件的制造方法。
2、【課題的解決方案】
3、本專利技術(shù)的第一方案的對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)用于調(diào)整基板與掩模的相對(duì)位置，其特征在于，包括：靜電卡盤，所述靜電卡盤用于吸附所述基板；分離狀態(tài)檢測(cè)機(jī)構(gòu)，所述分離狀態(tài)檢測(cè)機(jī)構(gòu)用于檢測(cè)所述掩模與由所述靜電卡盤吸附的所述基板的分離狀態(tài)；位置調(diào)整機(jī)構(gòu)，所述位置調(diào)整機(jī)構(gòu)用于調(diào)整所述掩模與由所述靜電卡盤吸附的所述基板的相對(duì)位置；及控制部，所述控制部用于控制所述靜電卡盤、所述分離狀態(tài)檢測(cè)機(jī)構(gòu)、所述位置調(diào)整機(jī)構(gòu)，所述控制部基于通過(guò)所述分離狀態(tài)檢測(cè)機(jī)構(gòu)檢測(cè)到的所述基板與所述掩模的分離狀態(tài)，來(lái)決定是否開(kāi)始所述位置調(diào)整機(jī)構(gòu)進(jìn)行的所述基板與所述掩模的相對(duì)位置的調(diào)整。
4、本專利技術(shù)的第二方案的對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)用于調(diào)整基板與掩模的相對(duì)位置，其特征在于，包括：靜電卡盤，所述靜電卡盤用于吸附所述基板；距離測(cè)定機(jī)構(gòu)，所述距離測(cè)定機(jī)構(gòu)用于測(cè)定所述掩模與由所述靜電卡盤吸附的所述基板的距離；位置調(diào)整機(jī)構(gòu)，所述位置調(diào)整機(jī)構(gòu)用于調(diào)整所述掩模與由所述靜電卡盤吸附的所述基板的相對(duì)位置；及控制部，所述控制部用于控制所述靜電卡盤、所述距離測(cè)定機(jī)構(gòu)、所述位置調(diào)整機(jī)構(gòu)，所述控制部基于通過(guò)所述距離測(cè)定機(jī)構(gòu)測(cè)定到的所述基板與所述掩模之間的距離，來(lái)決定是否開(kāi)始所述位置調(diào)整機(jī)構(gòu)進(jìn)行的所述基板與所述掩模的相對(duì)位置的調(diào)整。
5、本專利技術(shù)的第三方案的成膜裝置用于將蒸鍍材料經(jīng)由掩模向基板成膜，其特征在于，包括本專利技術(shù)的第一方案或第二方案的對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)。
6、本專利技術(shù)的第四方案的對(duì)準(zhǔn)方法用于調(diào)整基板與掩模的相對(duì)位置，其特征在于，包括：使靜電卡盤吸附所述基板的步驟；檢測(cè)所述掩模與由所述靜電卡盤吸附的所述基板的分離狀態(tài)的步驟；基于檢測(cè)到的所述基板與所述掩模的所述分離狀態(tài)，來(lái)決定是否開(kāi)始所述基板與所述掩模的相對(duì)位置的調(diào)整的步驟；及當(dāng)在決定是否開(kāi)始所述相對(duì)位置的調(diào)整的步驟中決定為開(kāi)始所述基板與所述掩模的相對(duì)位置的調(diào)整時(shí)，調(diào)整所述基板與所述掩模的相對(duì)位置的步驟。
7、本專利技術(shù)的第五方案的計(jì)算機(jī)能夠讀取的記錄介質(zhì)記錄有用于使計(jì)算機(jī)執(zhí)行用于調(diào)整基板與掩模的相對(duì)位置的對(duì)準(zhǔn)方法的程序，其特征在于，所述對(duì)準(zhǔn)方法是本專利技術(shù)的第四方案的對(duì)準(zhǔn)方法。
8、本專利技術(shù)的第六方案的保存于介質(zhì)的計(jì)算機(jī)程序用于使計(jì)算機(jī)執(zhí)行用于調(diào)整基板與掩模的相對(duì)位置的對(duì)準(zhǔn)方法，其特征在于，所述對(duì)準(zhǔn)方法是本專利技術(shù)的第四方案的對(duì)準(zhǔn)方法。
9、本專利技術(shù)的第七方案的成膜方法用于將蒸鍍材料經(jīng)由掩模向基板成膜，其特征在于，包括本專利技術(shù)的第四方案的對(duì)準(zhǔn)方法。
10、本專利技術(shù)的第八方案的電子器件的制造方法的特征在于，使用本專利技術(shù)的第七方案的成膜方法來(lái)制造電子器件。
11、【專利技術(shù)效果】
12、根據(jù)本專利技術(shù)，在調(diào)整基板與掩模的相對(duì)位置時(shí)，能夠減少掩模引起的基板的成膜面的損傷。
本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)，所述對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)用于調(diào)整基板與掩模的相對(duì)位置，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)，其特征在于，
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)，其特征在于，
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)，其特征在于，
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)，其特征在于，
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)，其特征在于，
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)，其特征在于，
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)，其特征在于，
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)，其特征在于，
10.一種成膜裝置，所述成膜裝置用于將蒸鍍材料經(jīng)由掩模向基板成膜，其特征在于，包括權(quán)利要求1～9中任一項(xiàng)所述的對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)。
11.一種對(duì)準(zhǔn)方法，所述對(duì)準(zhǔn)方法用于調(diào)整基板與掩模的相對(duì)位置，其特征在于，包括：
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的對(duì)準(zhǔn)方法，其特征在于，
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的對(duì)準(zhǔn)方法，其特征在于，
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的對(duì)準(zhǔn)方法，其特征在于，
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16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的對(duì)準(zhǔn)方法，其特征在于，
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的對(duì)準(zhǔn)方法，其特征在于，
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的對(duì)準(zhǔn)方法，其特征在于，
19.一種計(jì)算機(jī)能夠讀取的記錄介質(zhì)，所述記錄介質(zhì)記錄有用于使計(jì)算機(jī)執(zhí)行用于調(diào)整基板與掩模的相對(duì)位置的對(duì)準(zhǔn)方法的程序，其特征在于，
20.一種成膜方法，所述成膜方法用于將蒸鍍材料經(jīng)由掩模向基板成膜，其特征在于，包括權(quán)利要求11～18中任一項(xiàng)所述的對(duì)準(zhǔn)方法。
21.一種電子器件的制造方法，其特征在于，使用權(quán)利要求20所述的成膜方法來(lái)制造電子器件。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)，所述對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)用于調(diào)整基板與掩模的相對(duì)位置，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)，其特征在于，
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)，其特征在于，
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)，其特征在于，
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)，其特征在于，
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)，其特征在于，
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)，其特征在于，
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)，其特征在于，
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)，其特征在于，
10.一種成膜裝置，所述成膜裝置用于將蒸鍍材料經(jīng)由掩模向基板成膜，其特征在于，包括權(quán)利要求1～9中任一項(xiàng)所述的對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)。
11.一種對(duì)準(zhǔn)方法，所述對(duì)準(zhǔn)方法用于調(diào)整基板與掩模的相對(duì)位置，其特征在于，包括：
12.根...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：柏倉(cāng)一史，石井博，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：佳能特機(jī)株式會(huì)社，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：
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