【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及濾波器，尤其涉及一種濾波器的制造方法和濾波器。
技術介紹
1、濾波器能夠采用表面聲波器件實現濾波，現有的濾波器基本是采用縱向三明治結構，但是這樣的濾波器在制作的過程中，上、下電極需要兩次光刻，并且后續需要用到另一片晶圓鍵合來做上空腔，使得濾波器的加工工藝較為復雜。
技術實現思路
1、本專利技術提供了一種濾波器的制造方法和濾波器，旨在有效解決現有技術中濾波器的加工工藝較為復雜的技術問題。
2、根據本專利技術的第一方面，本專利技術提供一種濾波器的制造方法，包括：
3、提供基底，在所述基底的一側表面制作覆蓋所述基底表面的壓電層，并對所述壓電層進行刻蝕，以形成立于所述基底的一側表面之上的壓電體；制作電極層，所述電極層包覆所述壓電體以及覆蓋所述基底的剩余表面；刻蝕所述電極層，以形成沿所述基底的厚度方向設置且位于所述壓電體兩側的第一電極和第二電極，所述第一電極、所述壓電體和所述第二電極構成壓電感測結構，并在所述第一電極和所述壓電體之間制作一空氣環結構，且在所述第二電極和所述壓電體之間制作另一空氣環結構；制作殼體結構，所述殼體結構罩設并固定于所述基底的上方，以形成容納所述壓電感測結構的空腔，兩個所述空氣環結構均與所述空腔相連通；制作電連接結構，所述電連接結構包括第一電連接件和第二電連接件，所述第一電連接件與所述第一電極電連接，所述第二電連接件與所述第二電極電連接，且所述第一電連接件和所述第二電連接件均至少有部分位于所述空腔外部。
4、進一步地，在
5、進一步地，在所述刻蝕所述電極層的步驟時，刻蝕后的所述第一犧牲層的一部分位于所述第一電極和所述壓電體之間，且該部分第一犧牲層未被所述第一電極全部覆蓋，刻蝕后的所述第一犧牲層的另一部分位于所述第二電極和所述壓電體之間，且該部分第一犧牲層未被所述第二電極全部覆蓋；在所述刻蝕所述電極層的步驟后，將所述第一犧牲層全部釋放，以在所述第一電極和所述壓電體之間形成一空氣環結構，并在所述第二電極和所述壓電體之間形成另一空氣環結構。
6、進一步地，所述殼體結構的制造方法包括：在所述基底上制作第二犧牲層，以使所述第二犧牲層包覆所述第一電極和所述第二電極；在所述基底上制作鈍化層，所述鈍化層和所述基底之間的空腔將所述壓電體、所述第二犧牲層、所述第一電極和所述第二電極包覆；在所述鈍化層和所述第二犧牲層上開口，以使所述第一電極和所述第二電極暴露；在制作出所述電連接結構后，將所述第二犧牲層進行釋放，以形成容納所述壓電感測結構的空腔。
7、進一步地，所述壓電體和所述基底之間具有預定角度，所述預定角度為85°-90°。
8、進一步地，所述壓電體立于所述基底上，且合圍成封閉的規則圖形或不規則圖形，或者所述壓電體為不封閉的圖形。
9、進一步地，所述壓電體至少有一個，若所述壓電體具有兩個或兩個以上，則相鄰兩個壓電體之間的距離大于1μm。
10、進一步地，在所述壓電體上制作第一犧牲層的步驟中，制作出的所述第一犧牲層的厚度為10nm-500nm。
11、進一步地，所述對所述第一犧牲層進行刻蝕，以使所述第一犧牲層位于所述壓電體的相對兩側面的步驟后，所述第一犧牲層被分成兩部分，其中一部分位于所述壓電體的一側，且位于所述壓電體靠近所述基底的一側，另一部分位于所述壓電體的另一側，且位于所述壓電體遠離所述基底的一側，或者，所述第一犧牲層被分成四部分，其中兩部分位于所述壓電體的一側，且分別位于所述壓電體靠近和遠離所述基底的兩側，另外兩部分位于所述壓電體的另一側，且分別位于所述壓電體靠近和遠離所述基底的兩側。
12、進一步地，所述第一犧牲層被分成兩部分或被分成四部分后，在從所述第一電極至所述壓電體的方向上，每部分的第一犧牲層的寬度為0.1μm-1μm。
13、進一步地，所述刻蝕所述電極層的步驟包括：對所述電極層進行刻蝕，以在所述壓電體具有第一犧牲層的相對兩側分別制作一個電極；
14、對靠近所述基底的第一犧牲層對應的電極端部進行刻蝕，以在所述基底和該電極之間形成空隙，并部分露出該第一犧牲層，形成第一電極；
15、并對遠離所述基底的第一犧牲層對應的電極端部進行刻蝕，以在該電極遠離所述基底的一側形成空隙，并露出該第一犧牲層，形成第二電極。
16、進一步地，在所述對靠近所述基底的第一犧牲層對應的電極端部進行刻蝕時，將該電極端部刻蝕掉0.1μm-0.5μm，以露出該第一犧牲層；在所述對遠離所述基底的第一犧牲層對應的電極端部進行刻蝕，將該電極端部刻蝕掉0.1μm-0.5μm，以露出該第一犧牲層。
17、進一步地，在所述制作電連接結構時，若所述第一電極和所述第二電極均全部位于所述空腔內，則所述第一連接件貫穿所述殼體結構并與所述第一電極電連接，所述第二電連接件貫穿所述殼體結構并與所述第二電極電連接，或者，在所述制作電連接結構時，若所述第一電極有部分延伸出所述空腔，則所述第一連接件在所述殼體結構外部與所述第一電極電連接，或/和，若所述第二電極有部分延伸出所述空腔，則所述第二電連接件在所述殼體結構外部與所述第一電極電連接。
18、根據本專利技術的第二方面，本專利技術還提供了一種濾波器，包括：基底；壓電體，設置于所述基底的一側，且所述壓電體立于所述基底；第一電極和第二電極，分別設置于所述壓電體的兩側，且部分的所述第一電極、部分的所述第二電極與所述壓電體之間均具有空氣環結構，所述第一電極、所述壓電體和所述第二電極構成壓電感測結構；殼體結構，罩設并固定于所述基底的上方，以形成容納所述壓電感測結構的空腔，所述空氣環結構均與所述空腔相連通；電連接結構，包括第一電連接件和第二電連接件，第一電連接件與所述第一電極電連接，所述第二電連接件與所述第二電極電連接，且所述第一電連接件和所述第二電連接件均至少有部分位于所述空腔外部。
19、進一步地，所述壓電體和所述基底之間具有預定角度，所述預定角度為85°-90°。
20、進一步地，所述壓電體合圍成封閉的規則圖形或不規則圖形，或者所述壓電體為不封閉的圖形。
21、進一步地，所述壓電體至少有一個，若所述壓電體具有兩個或兩個以上，則相鄰兩個壓電體之間的距離大于1μm。
22、進一步地，所述空氣環結構有兩個，其中一個空氣環結構位于所述壓電體的一側，且位于所述壓電體靠近所述基底的一側，另一個空氣環結構位于所述壓電體的另一側，且位于所述壓電體遠離所述基底的一側。
23、進一步地，所述空氣環結構有四個，其中兩個空氣環結構位于所述壓電體的一側，且分別位于所述壓電體靠近和遠離所述基底的兩側，另外兩個空氣環結構位于所述壓電體的另一本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種濾波器的制造方法，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的濾波器的制造方法，其特征在于，
3.如權利要求2所述的濾波器的制造方法，其特征在于，
4.如權利要求1所述的濾波器的制造方法，其特征在于，
5.如權利要求1所述的濾波器的制造方法，其特征在于，
6.如權利要求1所述的濾波器的制造方法，其特征在于，
7.如權利要求1所述的濾波器的制造方法，其特征在于，
8.如權利要求2所述的濾波器的制造方法，其特征在于，
9.如權利要求2所述的濾波器的制造方法，其特征在于，
10.如權利要求9所述的濾波器的制造方法，其特征在于，
11.如權利要求9所述的濾波器的制造方法，其特征在于，
12.如權利要求11所述的濾波器的制造方法，其特征在于，
13.如權利要求1所述的濾波器的制造方法，其特征在于，
14.一種濾波器，其特征在于，包括：
15.如權利要求14所述的濾波器，其特征在于，
16.如權利要求14所述
17.如權利要求14所述的濾波器，其特征在于，
18.如權利要求14所述的濾波器，其特征在于，
19.如權利要求14所述的濾波器，其特征在于，
20.如權利要求18或19所述的濾波器，其特征在于，
21.如權利要求14所述的濾波器，其特征在于，
22.如權利要求14所述的濾波器，其特征在于，
23.如權利要求14所述的濾波器，其特征在于，
...【技術特征摘要】
1.一種濾波器的制造方法，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的濾波器的制造方法，其特征在于，
3.如權利要求2所述的濾波器的制造方法，其特征在于，
4.如權利要求1所述的濾波器的制造方法，其特征在于，
5.如權利要求1所述的濾波器的制造方法，其特征在于，
6.如權利要求1所述的濾波器的制造方法，其特征在于，
7.如權利要求1所述的濾波器的制造方法，其特征在于，
8.如權利要求2所述的濾波器的制造方法，其特征在于，
9.如權利要求2所述的濾波器的制造方法，其特征在于，
10.如權利要求9所述的濾波器的制造方法，其特征在于，
11.如權利要求9所述的濾波器的制造方法，其特征在于，
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【專利技術屬性】
技術研發人員：王友良，馮端，
申請(專利權)人：深圳新聲半導體有限公司，
類型：發明
國別省市：
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