【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體，尤其涉及一種強微腔微顯示陽極結構及其制備方法和應用。
技術介紹
1、有機發光二極管(organiclight-emittingdiode，oled)顯示技術具有自發光、高對比度、高反應速度等特點，廣泛適合應用在移動產品上。
2、中國專利cn117597002a公開了相關的硅基oled微顯示器強微腔陽極結構如圖1所示，包括互補金屬氧化物半導體(cmos)基板、金屬陽極層和透明陽極層，存在發光亮度不均勻的問題。
技術實現思路
1、有鑒于此，本專利技術的目的在于提供一種強微腔微顯示陽極結構及其制備方法。本專利技術的強微腔微顯示陽極結構中環狀透明金屬氧化物層具有降低顯示面內電阻的功能，從而使得發光亮度更加均勻。
2、為了實現上述專利技術目的，本專利技術提供以下技術方案：
3、本專利技術提供了一種強微腔微顯示陽極結構，包括互補金屬氧化物半導體電路層、子像素區和貫穿所述互補金屬氧化物半導體電路層的cmos導電通孔層；
4、所述子像素區間隔設置在所述互補金屬氧化物半導體電路層上，所述子像素區的個數為3n，所述n為≥1的正整數，所述子像素區之間由像素定義層間隔；
5、每個所述子像素區包括依次層疊設置的陽極金屬層、強微腔透明絕緣層和環狀透明金屬氧化物層，所述環狀透明金屬氧化物層包裹所述強微腔透明絕緣層，所述陽極金屬層與所述互補金屬氧化物半導體電路層接觸。
6、優選地，所述陽極金屬層和強微腔透明絕緣層形成臺階
7、優選地，所述像素定義層具有像素開口。
8、優選地，所述像素定義層的上表面還包括阻止層，所述阻止層包括依次層疊設置的氮化硅材料層和氧化硅材料層，所述氮化硅材料層與所述像素定義層接觸。
9、優選地，所述阻止層具有開口結構。
10、優選地，相鄰三個所述子像素區中的強微腔透明絕緣層的厚度均不相同。
11、優選地，所述環狀透明金屬氧化物層的材質包括氧化鋅和/或氧化銦錫。
12、本專利技術還提供了上述技術方案所述強微腔微顯示陽極結構的制備方法，包括以下步驟：
13、提供互補金屬氧化物半導體電路層，貫穿所述互補金屬氧化物半導體電路層形成cmos導電通孔層；
14、在所述互補金屬氧化物半導體電路層的表面進行沉積，形成陽極金屬沉積層；
15、在所述陽極金屬沉積層的表面依次進行沉積和刻蝕，形成強微腔透明絕緣層，然后對所述陽極金屬沉積層進行刻蝕，暴露出所述互補金屬氧化物半導體電路層，形成陽極金屬層，然后在所述陽極金屬層和強微腔透明絕緣層的表面進行沉積，形成環狀透明金屬氧化物層，在所述暴露出的互補金屬氧化物半導體電路層的表面進行沉積，形成像素定義層，得到所述強微腔微顯示陽極結構。
16、優選地，形成所述像素定義層后還包括在所述像素定義層的上表面沉積阻止層，得到所述強微腔微顯示陽極結構。
17、優選地，形成所述阻止層后還包括對所述阻止層進行刻蝕，形成開口結構。
18、本專利技術提供了一種強微腔微顯示陽極結構，包括互補金屬氧化物半導體電路層、子像素區和貫穿所述互補金屬氧化物半導體電路層的cmos導電通孔層，所述子像素區間隔設置在所述互補金屬氧化物半導體電路層上，所述子像素區的個數為3n，所述n為≥1的正整數，所述子像素區之間由像素定義層間隔；每個所述子像素區包括依次層疊設置的陽極金屬層、強微腔透明絕緣層和環狀透明金屬氧化物層，所述環狀透明金屬氧化物層包裹所述強微腔透明絕緣層，所述陽極金屬層與所述互補金屬氧化物半導體電路層接觸。
19、與現有技術相比，本專利技術的有益效果如下：
20、本專利技術設置了環狀透明金屬氧化物層，所述環狀透明金屬氧化物層包裹強微腔透明絕緣層，該環狀透明金屬氧化物層具有降低顯示面內電阻的功能，從而使得發光亮度更加均勻，有效避免了現有技術中硅基oled微顯示器強微腔陽極結構存在的發光亮度不均勻的問題；且同時能夠解決微顯示器中存在的ir?drop的問題。
21、進一步地，本專利技術限定了相鄰三個所述子像素區中的強微腔透明絕緣層的厚度均不相同，依據rgb子像素區對陽極光不同反射波長的吸收沉積不一樣厚度，在oled出光部分通過構造rgb各適合波段的修正效應達到更強的出光效果，極大地提高了器件顯示的色域及亮度，實現色域為94％以上，亮度為2500nit以上。
22、進一步地，本專利技術還限定了所述像素定義層的上表面還包括阻止層，能夠更好地阻止oled發光層電子橫向遷移。
23、本專利技術還提供了上述技術方案所述強微腔微顯示陽極結構的制備方法，本專利技術的制備方法操作簡單、易于實現工業化生產。
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1.一種強微腔微顯示陽極結構，其特征在于，包括互補金屬氧化物半導體電路層、子像素區和貫穿所述互補金屬氧化物半導體電路層的CMOS導電通孔層；
2.根據權利要求1所述的強微腔微顯示陽極結構，其特征在于，所述陽極金屬層和強微腔透明絕緣層形成臺階結構，所述臺階結構的寬度為0.2～0.5μm。
3.根據權利要求1所述的強微腔微顯示陽極結構，其特征在于，所述像素定義層具有像素開口。
4.根據權利要求1所述的強微腔微顯示陽極結構，其特征在于，所述像素定義層的上表面還包括阻止層，所述阻止層包括依次層疊設置的氮化硅材料層和氧化硅材料層，所述氮化硅材料層與所述像素定義層接觸。
5.根據權利要求4所述的強微腔微顯示陽極結構，其特征在于，所述阻止層具有開口結構。
6.根據權利要求1所述的強微腔微顯示陽極結構，其特征在于，相鄰三個所述子像素區中的強微腔透明絕緣層的厚度均不相同。
7.根據權利要求1所述的強微腔微顯示陽極結構，其特征在于，所述環狀透明金屬氧化物層的材質包括氧化鋅和/或氧化銦錫。
8.權利要求1～7任一項所述
9.根據權利要求8所述的制備方法，其特征在于，形成所述像素定義層后還包括在所述像素定義層的上表面沉積阻止層，得到所述強微腔微顯示陽極結構。
10.根據權利要求9所述的制備方法，其特征在于，形成所述阻止層后還包括對所述阻止層進行刻蝕，形成開口結構。
...【技術特征摘要】
1.一種強微腔微顯示陽極結構，其特征在于，包括互補金屬氧化物半導體電路層、子像素區和貫穿所述互補金屬氧化物半導體電路層的cmos導電通孔層；
2.根據權利要求1所述的強微腔微顯示陽極結構，其特征在于，所述陽極金屬層和強微腔透明絕緣層形成臺階結構，所述臺階結構的寬度為0.2～0.5μm。
3.根據權利要求1所述的強微腔微顯示陽極結構，其特征在于，所述像素定義層具有像素開口。
4.根據權利要求1所述的強微腔微顯示陽極結構，其特征在于，所述像素定義層的上表面還包括阻止層，所述阻止層包括依次層疊設置的氮化硅材料層和氧化硅材料層，所述氮化硅材料層與所述像素定義層接觸。
5.根據權利要求4所述的強微腔微顯示陽極結構，其...
【專利技術屬性】
技術研發人員：陳小童，吳迪，吳遠武，李陽，
申請(專利權)人：湖畔光芯半導體江蘇有限公司，
類型：發明
國別省市：
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