【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本申請涉及封裝領(lǐng)域，具體而言，涉及一種多芯片封裝結(jié)構(gòu)和封裝方法。
技術(shù)介紹
1、目前，在芯片封裝時(shí)，若同一封裝體內(nèi)有多個(gè)芯片，該同一封裝體內(nèi)的不同芯片之間通常是通過金屬線連接，也即打線鍵合。打線鍵合的方式需為金屬線保留足夠的空間電性連接，這使得兩芯片之間需要有足夠的間距，不利于尺寸的縮小，以及，鍵合所使用的金屬線較長，會(huì)在一定程度上影響芯片的信號傳輸，不利于芯片封裝后的電性能的提升。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、有鑒于此，本申請旨在提供一種多芯片封裝結(jié)構(gòu)和封裝方法，以提高多芯片封裝結(jié)構(gòu)的電性能和縮小多芯片封裝結(jié)構(gòu)的尺寸。
2、第一方面，本申請實(shí)施例提供一種多芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括：第一芯片、第二芯片和基板；所述第二芯片為倒裝芯片；所述第一芯片和第二芯片均包括相對的第一表面和第二表面，所述第一表面為凸點(diǎn)所在的表面；所述第二芯片的第一表面上的部分凸點(diǎn)與所述第一芯片的第一表面的凸點(diǎn)之間焊接；所述第二芯片的第一表面的其它凸點(diǎn)還與所述基板表面的焊盤連接；所述第一芯片的第二表面與所述基板電性連接。
3、在對倒裝芯片的第二芯片與其他芯片(如第一芯片)進(jìn)行多芯片的封裝，得到多芯片封裝結(jié)構(gòu)時(shí)，在本申請實(shí)施例中，使第一芯片和第二芯片的金屬凸點(diǎn)所在的第一表面相對，并使得二者的凸點(diǎn)焊接，相較于使用金屬線進(jìn)行鍵合，焊接的方式可以使得第一芯片和第二芯片之間的連接距離更短，減少連接距離對信號傳輸?shù)挠绊懀约埃谝恍酒c基板之間、第二芯片與基板之間均電性連接，該方式使得第一芯片和第二芯片分別與基板之間均
4、一實(shí)施例中，所述第二芯片設(shè)置于所述第一芯片上方，所述第二芯片的第一表面的凸點(diǎn)與所述基板表面的焊盤焊接。
5、同理，本實(shí)施例中，在第二芯片設(shè)置于第一芯片上方時(shí)，使得第二芯片的凸點(diǎn)與基板的焊盤焊接，從而有效提高第二芯片與基板之間的焊接強(qiáng)度和導(dǎo)電性，進(jìn)一步提高多芯片封裝結(jié)構(gòu)的可靠性和電性能。
6、一實(shí)施例中，所述基板上設(shè)置有凹槽；所述第一芯片設(shè)置于所述凹槽內(nèi)，且所述第一芯片的第二表面與所述凹槽的底面連接。
7、本實(shí)施例中，在基板內(nèi)開設(shè)凹槽，使得第一芯片設(shè)置在凹槽內(nèi)，由此，可以減少第一芯片在基板上方所占用的高度，縮小多芯片封裝結(jié)構(gòu)的厚度。
8、一實(shí)施例中，凹槽的深度小于或等于所述第一芯片的厚度。
9、當(dāng)凹槽過深時(shí)，第一芯片和第二芯片之間焊接的間距過長，從而使得形成的焊點(diǎn)過長，影響第一芯片和第二芯片的焊接可靠性和電性能。因此，在本申請實(shí)施例中，可以使得凹槽深度與第一芯片的厚度持平，使得凹槽消除第一芯片對厚度的影響時(shí)，減少第一芯片和第二芯片之間的間距，從而提高焊接的可靠性和電性能。同時(shí)，也可以使得凹槽的深度小于第一芯片的厚度，進(jìn)一步縮減第一芯片和第二芯片之間的間距，該方式雖會(huì)帶來一定的厚度，但是，可以提高焊接的效果，提高第一芯片和第二芯片之間的電性能連通性。
10、一實(shí)施例中，所述凹槽的底面為所述基板的金屬層，所述第一芯片的第二表面鍍金，所述第二表面與所述基板的金屬層固定連接，以使所述第一芯片的第二表面與所述基板電性連接。
11、本實(shí)施例中，在第一芯片與第二芯片已經(jīng)通過焊點(diǎn)進(jìn)行固定的情況下，使第一芯片的第二表面與凹槽的底面固定連接，可以使得二者再次進(jìn)行固定，提高多芯片封裝結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)可靠性。同時(shí)，由于第一芯片設(shè)置在凹槽中，所處的環(huán)境較為封閉，熱量可能無法及時(shí)排出，因此，在本申請的實(shí)施例中，使第一芯片的第二表面鍍金后與基板的金屬層連接，金屬具有更優(yōu)的散熱性能，可以有效提高對第一芯片的散熱效果。同時(shí)，由于基板金屬可以接地，第一芯片與基板金屬連接后可減少第一芯片電性能輻射，提升靜電釋放性能。
12、一實(shí)施例中，所述凹槽的底面與所述第一芯片的第二表面之間焊接，以使所述第一芯片的第二表面與所述基板電性連接。
13、本實(shí)施例中，在第一芯片與第二芯片已經(jīng)通過焊點(diǎn)進(jìn)行固定的情況下，通過使凹槽底面與第一芯片的第二表面焊接，可以提高第一芯片與基板間的電互連密度，提升電性能，進(jìn)一步多芯片封裝結(jié)構(gòu)的可靠性。
14、一實(shí)施例中，所述第一芯片與所述第二芯片之間的焊接使用第一材料，所述第一芯片和所述凹槽之間的焊接使用第二材料，所述第二芯片與所述基板之間的焊接使用第三材料；所述第一材料、所述第二材料和所述第三材料相同或三者之間至少兩種材料不同。
15、不同焊接材料的焊點(diǎn)間隔、焊點(diǎn)高度等焊接使用條件不同，以及不同焊接材料的焊接可靠性、電性能等特性也不同，本申請實(shí)施例中，允許在不同的焊接位置使用相同或不同的焊接材料，以使得各焊接處形成的焊點(diǎn)均與該焊接處的實(shí)際情況更適配，從而減少因焊接材料與焊接情況不匹配導(dǎo)致連接可靠性和電性能不佳的情況。
16、一實(shí)施例中，所述第二芯片與所述第一芯片之間填充有第一介質(zhì)，所述第一芯片與所述基板之間填充有第二介質(zhì)，所述第二芯片與所述基板之間填充有第三介質(zhì)；所述第一介質(zhì)、所述第二介質(zhì)、所述第三介質(zhì)相同或三者之間至少兩種介質(zhì)不相同。
17、由于凹槽的深度、不同芯片類型、尺寸的不同，使得第一芯片與基板之間，第一芯片與第二芯片之間，以及第二芯片與基板之間可能存在不同的間距和各自之間的焊點(diǎn)間距也不同，這使得介質(zhì)在各區(qū)域之間的流動(dòng)條件不同，而不同介質(zhì)在不同的流動(dòng)條件下進(jìn)行填充時(shí)的效果不同，本申請實(shí)施例中，允許在不同的區(qū)域使用相同或不同的介質(zhì)，以使得各區(qū)域之間能夠填充與該區(qū)域的流動(dòng)條件更適配的介質(zhì)，從而對各區(qū)域進(jìn)行充分的填充，減少填充不完整的情況發(fā)生。
18、一實(shí)施例中，所述第一芯片為正裝芯片，所述第一芯片的第一表面通過引線與所述凹槽的底面連接。
19、本申請實(shí)施例中，可以兼容正裝芯片和倒裝芯片在同一多芯片封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)的封裝，有效提高所允許進(jìn)行封裝的芯片類型范圍，減少封裝形式受限。
20、一實(shí)施例中，所述多芯片封裝結(jié)構(gòu)還包括：第三芯片，所述第三芯片包括第一表面和第二表面；其中：所述第三芯片設(shè)置于所述凹槽內(nèi)，且所述第三芯片的第一表面的凸點(diǎn)與所述第二芯片的第一表面上的凸點(diǎn)焊接，所述第三芯片的第二表面與所述凹槽的底面連接；或，所述第三芯片的第一表面上的部分凸點(diǎn)與所述第一芯片的第一表面的凸點(diǎn)焊接，且所述第三芯片的第一表面的凸點(diǎn)還與所述基板的焊盤焊接。
21、本申請實(shí)施例中，多芯片封裝結(jié)構(gòu)不局限于對兩個(gè)芯片的封裝，可以是對更多芯片進(jìn)行封裝，對更多芯片進(jìn)行封裝時(shí)，除第一芯片和第二芯片外的其它芯片的連接方式可以與第一芯片或第二芯片相同，通過焊接的方式提高不同芯片之間的封裝結(jié)構(gòu)的可靠性和導(dǎo)電性。
22、第二方面，本申請實(shí)施例提供一種多芯片封本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種多芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二芯片設(shè)置于所述第一芯片上方，所述第二芯片的第一表面的凸點(diǎn)與所述基板表面的焊盤焊接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凹槽的深度小于或等于所述第一芯片的厚度。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凹槽的底面為所述基板的金屬層，所述第一芯片的第二表面鍍金，所述第二表面與所述基板的金屬層固定連接，以使所述第一芯片的第二表面與所述基板電性連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凹槽的底面與所述第一芯片的第二表面之間焊接，以使所述第一芯片的第二表面與所述基板電性連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的多芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一芯片與所述第二芯片之間的焊接使用第一材料，所述第一芯片和所述凹槽之間的焊接使用第二材料，所述第二芯片與所述基板之間的焊接使用第三材料；所述第一材料、所述第二材料和所述第三材
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二芯片與所述第一芯片之間填充有第一介質(zhì)，所述第一芯片與所述基板之間填充有第二介質(zhì)，所述第二芯片與所述基板之間填充有第三介質(zhì)；所述第一介質(zhì)、所述第二介質(zhì)、所述第三介質(zhì)相同或三者之間至少兩種介質(zhì)不相同。
9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一芯片為正裝芯片，所述第一芯片的第一表面通過引線與所述凹槽的底面連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述多芯片封裝結(jié)構(gòu)還包括：第三芯片，所述第三芯片包括第一表面和第二表面；其中：
11.一種多芯片封裝方法，其特征在于，包括：
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的多芯片封裝方法，其特征在于，所述基板上設(shè)置有凹槽；
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的多芯片封裝方法，其特征在于，所述將所述第二芯片的第一表面上的部分凸點(diǎn)與所述第一芯片的第一表面的凸點(diǎn)之間焊接，包括：
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的多芯片封裝方法，其特征在于，所述將所述第一芯片設(shè)置于所述凹槽內(nèi)并使所述第一芯片的第二表面與所述凹槽的底面電性連接，包括：
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的多芯片封裝方法，其特征在于，所述將所述第二芯片的第一表面上的其它凸點(diǎn)與所述基板的焊盤焊接，包括：
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的多芯片封裝方法，其特征在于，所述將所述第二芯片的第一表面還與所述基板通過焊點(diǎn)連接之后，所述方法還包括：
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種多芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二芯片設(shè)置于所述第一芯片上方，所述第二芯片的第一表面的凸點(diǎn)與所述基板表面的焊盤焊接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凹槽的深度小于或等于所述第一芯片的厚度。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凹槽的底面為所述基板的金屬層，所述第一芯片的第二表面鍍金，所述第二表面與所述基板的金屬層固定連接，以使所述第一芯片的第二表面與所述基板電性連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凹槽的底面與所述第一芯片的第二表面之間焊接，以使所述第一芯片的第二表面與所述基板電性連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的多芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一芯片與所述第二芯片之間的焊接使用第一材料，所述第一芯片和所述凹槽之間的焊接使用第二材料，所述第二芯片與所述基板之間的焊接使用第三材料；所述第一材料、所述第二材料和所述第三材料相同或三者之間至少兩種材料不同。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二芯片與所述第一芯片之間填充有第一介質(zhì)，所述第一芯片與所述基板之間填...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：張玲，吳中夏，柴路，
申請(專利權(quán))人：恒玄科技上海股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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