【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體芯片測試，尤指一種半導體測試設備及測試方法。
技術介紹
1、半導體器件在生產制造出來后，需要對其進行測試，以剔除不良產品。可使用半導體測試設備，比如自動測試設備ate(automatic?test?equipment)來辨別和驗證所制造的半導體器件的性能。
2、ate用于模仿被測芯片(dut，device?under?test)將會在應用中體驗到的操作條件，并監測dut的響應，通過對比測試值和預期值，做出pass或fail的判斷。
3、ate包含多個測試通道(tester?channel)，一般一個測試通道用于測試芯片的一個管腳。數字芯片的輸入管腳一般要求測試設備模擬兩種電平信號，即邏輯高電平電壓vih和邏輯低電平電壓vil。一個測試通道一般能提供vih和vil兩種電壓的輸出。
4、但有少數場景需要給輸入管腳提供三種電平，如圖5所示，需要測試設備模擬圖5所示波形，其中hscl管腳存在2種電平，但hsda管腳存在3種電平，分別是低電平(0)、高電平(1，對應vdd)和介于兩者之間的mid-vcc，比如mid-vcc電壓為vdd/2。
5、在這種情況下，通常需使用兩個測試通道提供三種電平，用于一個管腳的測試。以上述hspa管腳為例，一個測試通道提供低電平0、高電平vdd，另一個測試通道提供低電平0、中間電平mid-vcc。
6、假設測試設備總共有32個測試通道，一個芯片有8個輸入管腳待測試，如果每個輸入管腳只需要兩種電平，則一個芯片只需要8個測試通道，這
7、如果每個輸入管腳都需要三種電平，按上述方案，一個芯片需要用到16個測試通道，一個測試設備只能同時測試2個芯片，這大幅降低了可并行測試的芯片數，導致測試時間和測試成本的增加。
8、如何提高可并行測試的芯片數，提高測試效率，降低測試成本，是一個期待解決的問題。
技術實現思路
1、本專利技術的目的之一是針對現有技術中存在的問題，提供一種半導體測試設備及測試方法。
2、本專利技術提供的技術方案如下：
3、一種半導體測試設備，包括：
4、至少一個測試通道，用于測試被測器件的一被測管腳；
5、所述測試通道包括：
6、驅動單元，用于當輸入信號為邏輯低電平時輸出對應的低驅動電壓，當輸入信號為邏輯高電平時輸出對應的高驅動電壓，當其輸入端懸空時，輸出端為高阻態；
7、第一開關、第二開關和第三開關；所述第一開關的輸入端與所述驅動單元相連，輸出端與所述被測管腳相連；
8、一橋式電路，其第一節點通過所述第二開關與第一電流源相連，第二節點與所述第一開關的輸出端相連，第三節點通過所述第三開關與第二電流源相連，第四節點與參考電壓相連；
9、開關控制單元，分別與所述第一開關、所述第二開關和所述第三開關的控制端相連，用于當為輸入測試時，控制所述第一開關閉合，所述第二開關和所述第三開關斷開；用于當為輸出測試時，控制所述第一開關斷開，所述第二開關和所述第三開關閉合。
10、在一些實施例中，包括：第三數模轉換器，與所述橋式電路的第三節點相連，用于提供所述參考電壓。
11、在一些實施例中，包括：
12、第一數模轉換器，與所述驅動單元相連，用于向所述驅動單元提供所述低驅動電壓；
13、第二數模轉換器，與所述驅動單元相連，用于向所述驅動單元提供所述高驅動電壓。
14、在一些實施例中，所述橋式電路包括第一二極管～第四二極管，其中，第一二極管的正極和第四二極管的正極相連，形成所述第一節點；第一二極管的負極與第二二極管的正極相連，形成所述第二節點；第二二極管的負極與第三二極管的負極相連，形成所述第三節點；第三二極管的正極和第四二極管的負極相連，形成所述第四節點。
15、本專利技術還提供一種半導體器件的測試方法，應用于前述任一實施例所述的半導體測試設備，包括：
16、獲取針對所述半導體測試設備的測試通道的測試指令；
17、根據所述測試指令獲取所述測試通道的驅動單元的輸入信號信息和開關控制單元的輸入信號信息；
18、當根據所述開關控制單元的輸入信號信息判斷當前測試為輸入測試時，所述測試通道根據以下規則生成一包含三種電平的電壓測試信號：
19、若所述驅動單元的輸入信號表示邏輯低電平時，輸出低驅動電壓vil；
20、若所述驅動單元的輸入信號表示邏輯高電平時，輸出高驅動電壓vih；
21、若所述驅動單元的輸入信號表示輸入端懸空時，輸出參考電壓vref；
22、將所述包含三種電平的電壓測試信號施加到被測器件的被測管腳。
23、在一些實施例中，在獲取測試指令之前，包括：
24、設置低驅動電壓和高驅動電壓；
25、設置參考電壓。
26、通過本專利技術提供的一種半導體測試設備及測試方法，至少能夠帶來以下有益效果：
27、本專利技術通過測試通道的驅動單元提供兩種邏輯電平對應的電壓，以及橋式電路的參考電壓提供第三種邏輯電平對應的電壓，實現了通過單測試通道向被測器件的一被測管腳提供一種包含三種電平的電壓測試信號，從而提高了使用單測試設備的可并行測試的芯片數，降低了測試成本，提高了測試效率。
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1.一種半導體測試設備，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的半導體測試設備，其特征在于，包括：
3.根據權利要求1所述的半導體測試設備，其特征在于，包括：
4.根據權利要求1所述的半導體測試設備，其特征在于，
5.一種半導體器件的測試方法，應用于權利要求1～4任一項所述的半導體測試設備，其特征在于，包括：
6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，在獲取測試指令之前，包括：
【技術特征摘要】
1.一種半導體測試設備，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的半導體測試設備，其特征在于，包括：
3.根據權利要求1所述的半導體測試設備，其特征在于，包括：
4.根據權利要求1所述...
【專利技術屬性】
技術研發人員：李超，
申請(專利權)人：普冉半導體上海股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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