本發明專利技術公開了一種微顯示裝置及其制備方法，涉及顯示技術領域，其中微顯示裝置包括：驅動基板；像素陣列層，包括多個微顯示單元，排布于所述驅動基板的表面；納米復合膜，包括多層納米級膜層，位于所述微顯示單元側壁的出光方向上；其中，所述多層納米級膜層包括依次遠離所述側壁的絕緣底層、中間透射層、反射層和保護層。本發明專利技術提供的技術方案，增強了微顯示單元之間的光學隔離和電氣隔離的同時，滿足了適應更小尺寸的微顯示單元制備的需求。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術實施例涉及顯示，尤其涉及一種微顯示裝置及其制備方法。
技術介紹
1、隨著顯示技術的快速發展，microled（微發光二極管）作為下一代顯示技術，憑借其高亮度、高對比度、低功耗和長壽命等優勢，受到廣泛關注。
2、在高密度陣列化的microled顯示器中，微顯示單元之間容易發生光學串擾和電學干擾，光學串擾是指microled像素發出的光通過側向散射或透過襯底傳播，進入相鄰像素，導致顏色混淆、光強降低等現象。為了解決這一問題，傳統上采用光隔離結構，如反射杯或黑膠隔離材料來限制光的擴散。然而，這些方法存在反射效率不高以及難以適應更小尺寸像素的挑戰，且無法改善由于電極間的電場干擾而引發電信號干擾的問題，進而影響到microled的正常工作；因此，如何增強微顯示單元之間的光學隔離和電氣隔離的同時，滿足適應更小尺寸的微顯示單元制備的需求，成為本領域人員亟待解決的技術問題。
技術實現思路
1、本專利技術實施例提供了一種微顯示裝置及其制備方法，以增強微顯示單元之間的光學隔離和電氣隔離的同時，滿足適應更小尺寸的微顯示單元制備的需求。
2、根據本專利技術的一方面，提供了一種微顯示裝置，包括：
3、驅動基板；
4、像素陣列層，包括多個微顯示單元，排布于所述驅動基板的表面；
5、納米復合膜，包括多層納米級膜層，位于所述微顯示單元側壁的出光方向上；其中，所述多層納米級膜層包括依次遠離所述側壁的絕緣底層、中間透射層、反射層和保護層。
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p>6、可選的，所述絕緣底層的材料包括氧化硅；所述中間透射層的材料包括五氧化二鉭；所述反射層的材料包括氧化鋁；所述保護層的材料包括聚甲基丙烯酸甲酯。7、可選的，所述像素陣列層還包括：
8、發光結構層，位于所述驅動基板的表面；所述發光結構層包括多個間隔設置的發光結構；
9、第一介質層，位于所述發光結構遠離所述驅動基板的一側以及相鄰的兩個發光結構之間；其中，所述介質層遠離所述驅動基板一側的表面包括多個與所述發光結構對應的第一溝槽；
10、色轉換層，包括多個色轉換單元，每一所述色轉換單元對應位于一所述第一溝槽中；
11、其中，所述微顯示單元包括一發光結構和與所述發光結構對應的色轉換單元；所述納米復合膜位于所述色轉換單元側壁的出光方向上。
12、可選的，所述納米復合膜位于所述色轉換單元的側壁；所述多層納米級膜層包括依次遠離所述色轉換單元側壁的絕緣底層、中間透射層、反射層和保護層。
13、和/或，所述第一介質層遠離所述驅動基板一側的表面還包括多個第二溝槽，所述第二溝槽位于相鄰的兩個第一溝槽之間；所述納米復合膜位于所述第二溝槽的側壁和底面；所述多層納米級膜層包括依次遠離所述第二溝槽的絕緣底層、中間透射層、反射層和保護層。
14、可選的，所述第二溝槽圍繞所述微顯示單元設置；
15、和/或，所述第二溝槽的底面到所述驅動基板的距離，小于或等于所述發光結構遠離所述驅動基板一側的表面到所述驅動基板的距離。
16、可選的，所述納米復合膜的外表面包括微結構，所述微結構用于減少所述微顯示單元側壁的出光量；
17、其中，所述微結構包括納米圖案、納米孔陣列和納米柱陣列中的至少一種。
18、可選的，所述發光結構包括：
19、第一半導體層，位于所述驅動基板的一側；
20、發光層，位于所述第一半導體層遠離所述驅動基板的一側；
21、第二半導體層，位于所述發光層遠離所述驅動基板的一側；
22、所述第一半導體層朝向所述驅動基板的一側，所述第二半導體層遠離所述驅動基板的一側至少其中之一設置電流擴展層；
23、其中，所述驅動基板靠近所述像素陣列層一側的表面包括第一驅動電極、第二驅動電極，所述第一半導體層與所述第一驅動電極電連接，所述第二半導體層與所述第二驅動電極電連接。
24、可選的，所述微顯示裝置還包括：
25、第二介質層，位于所述發光結構的側壁、所述發光結構遠離所述驅動基板一側的表面和所述發光結構未覆蓋的驅動基板的表面；其中，位于所述發光結構遠離所述驅動基板一側的第二介質層包括電極開口，所述電極開口暴露所述發光結構的第二半導體層或電流擴展層；
26、電極引線，位于所述第一介質層與所述第二介質層之間，所述電極引線通過所述電極開口與所述第二半導體層或電流擴展層電連接。
27、根據本專利技術的另一方面，提供了一種微顯示裝置的制備方法，用于制備本專利技術任意實施例所述的微顯示裝置，包括：
28、提供驅動基板；
29、在所述驅動基板的一側形成像素陣列層；所述像素陣列包括多個排布于所述驅動基板表面的微顯示單元；
30、形成納米復合膜，所述納米復合膜包括多層納米級膜層，位于所述微顯示單元側壁的出光方向上；其中，所述多層納米級膜層包括依次遠離所述側壁的絕緣底層、中間透射層、反射層和保護層。
31、可選的，所述在所述驅動基板的一側形成像素陣列層，包括：
32、在所述驅動基板的表面形成發光結構層，所述發光結構層包括多個間隔設置的發光結構；
33、在所述發光結構遠離所述驅動基板的一側以及相鄰的兩個發光結構之間形成第一介質層，并在所述第一介質層遠離所述驅動基板一側的表面形成多個與所述發光結構對應的第一溝槽；
34、在所述第一介質層遠離所述驅動基板的一側形成色轉換層，所述色轉換層多個色轉換單元，每一所述色轉換單元對應位于一所述第一溝槽中；
35、所述形成納米復合膜，包括：
36、在所述第一溝槽的側壁旋涂保護層；
37、通過原子沉積工藝在所述保護層的表面依次形成反射層、中間透射層和絕緣底層；
38、或者，所述形成納米復合膜，包括：
39、在所述第一介質層遠離所述驅動基板一側的表面形成多個第二溝槽，所述第二溝槽位于相鄰的兩個第一溝槽之間；
40、通過原子沉積工藝在所述第二溝槽的側壁和底部依次形成絕緣底層、中間透射層和反射層；
41、在所述反射層的表面旋涂保護層。
42、本專利技術實施例提供了一種微顯示裝置及其制備方法，其中微顯示裝置包括：驅動基板；像素陣列層，包括多個微顯示單元，排布于驅動基板的表面納米復合膜，包括多層納米級膜層，位于微顯示單元側壁的出光方向上；其中，多層納米級膜層包括依次遠離側壁的絕緣底層、中間透射層、反射層和保護層。本專利技術實施例提供的技術方案，將納米級膜層應用于微顯示單元的光學隔離和電氣隔離中；通過在微顯示單元之間引入包括絕緣底層、中間透射層、反射層和保護層的納米復合膜，不僅可以有效地阻止光子在像素間的傳播，提高微顯示單元側壁的反射效率，提高微顯示單元的出光量，還具有優良的電氣隔離作用，通過原子層沉積工藝可以精確控制納米級膜層的厚度以實現電學隔離功能，適應更小尺寸的微顯示單元制備的本文檔來自技高網
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【技術保護點】
1.一種微顯示裝置，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的微顯示裝置，其特征在于，
3.根據權利要求1所述的微顯示裝置，其特征在于，所述像素陣列層還包括：
4.根據權利要求3所述的微顯示裝置，其特征在于，
5.根據權利要求4所述的微顯示裝置，其特征在于，
6.根據權利要求1所述的微顯示裝置，其特征在于，
7.根據權利要求3所述的微顯示裝置，其特征在于，所述發光結構包括：
8.根據權利要求7所述的微顯示裝置，其特征在于，還包括：
9.一種微顯示裝置的制備方法，其特征在于，包括：
10.根據權利要求9所述的微顯示裝置的制備方法，其特征在于，所述在所述驅動基板的一側形成像素陣列層，包括：
【技術特征摘要】
1.一種微顯示裝置，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的微顯示裝置，其特征在于，
3.根據權利要求1所述的微顯示裝置，其特征在于，所述像素陣列層還包括：
4.根據權利要求3所述的微顯示裝置，其特征在于，
5.根據權利要求4所述的微顯示裝置，其特征在于，
6.根據權利要求1所述的微顯示...
【專利技術屬性】
技術研發人員：鄭文博，謝海忠，孔瑋，
申請(專利權)人：西湖煙山科技杭州有限公司，
類型：發明
國別省市：
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