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    半導(dǎo)體元件制造技術(shù)
    
                            
    技術(shù)編號(hào)：43885387 閱讀：7 留言：0更新日期：2025-01-03 13:02
    
                        
    
                        
    
                            
                            本發(fā)明專利技術(shù)公開一種半導(dǎo)體元件，其主要包含一第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管設(shè)于一基底上、一接點(diǎn)區(qū)(pickup?region)設(shè)于該第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管一側(cè)以及一保護(hù)二極管設(shè)于該第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管另一側(cè)，其中第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管又包含一第一柵極結(jié)構(gòu)設(shè)于基底上以及一第一源極/漏極區(qū)域設(shè)于第一柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)，保護(hù)二極管電連接該第一柵極結(jié)構(gòu)，且接點(diǎn)區(qū)以及保護(hù)二極管包含不同導(dǎo)電型式。
    
                            
                            
    


    
                            

                            
    【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
    
                                
    本專利技術(shù)涉及一種半導(dǎo)體元件，尤其是涉及一種于重度加壓(heavy?charging)時(shí)提供較緩和擊穿電壓的保護(hù)元件。

    技術(shù)介紹
    1、隨著半導(dǎo)體集成電路裝置的尺寸持續(xù)縮小，在深次微米的互補(bǔ)式金屬氧化物半晶體管(cmos)的技術(shù)中，較淺的接面深度(junction?depth)、更薄的柵極氧化層(gateoxide)的厚度、具有輕摻雜漏極(lightly?doped?drain,ldd)、淺溝隔離(shallow?trenchisolation,sti)以及自行對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物(self-aligned?silicide)等結(jié)構(gòu)或制作工藝已成為標(biāo)準(zhǔn)制作工藝。但是上述的結(jié)構(gòu)或制作工藝卻使得集成電路產(chǎn)品更容易遭受靜電放電(esd)的損害，因此芯片中必需加入esd防護(hù)電路設(shè)計(jì)來保護(hù)集成電路免受esd的損害。一般市場上的集成電路產(chǎn)品，在人體放電模式(human-body?model,hbm)中，至少要有高于2000伏特以上耐壓能力，而為了承受如此大的esd電壓，esd保護(hù)電路必需被設(shè)計(jì)成具有足夠大的元件尺寸，因而增加所占用硅芯片的面積。

    技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
    1、本專利技術(shù)一實(shí)施例揭露一種半導(dǎo)體元件或更具體而言可于重度加壓(heavycharging)時(shí)提供較緩和擊穿電壓(soft?breakdown)的保護(hù)元件，其主要包含一第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管設(shè)于一基底上、一接點(diǎn)區(qū)(pickup?region)設(shè)于該第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管一側(cè)以及一保護(hù)二極管設(shè)于該第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管另一側(cè)，其中第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管又包含一第一柵極結(jié)構(gòu)設(shè)于基底上以及一第一源極/漏極區(qū)域設(shè)于第一柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)，保護(hù)二極管電連接該第一柵極結(jié)構(gòu)，且接點(diǎn)區(qū)以及保護(hù)二極管包含不同導(dǎo)電型式。
    本文檔來自技高網(wǎng)...
                            
    
                            
    【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
    
                                
    1.一種半導(dǎo)體元件，其特征在于，包含：
    2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中該第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管包含：
    3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體元件，其中該保護(hù)二極管電連接該第一柵極結(jié)構(gòu)。
    4.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體元件，其中該接點(diǎn)區(qū)包含第一導(dǎo)電型式。
    5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體元件，其中該保護(hù)二極管包含：
    6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體元件，其中該接點(diǎn)區(qū)濃度小于該第一摻雜區(qū)濃度。
    7.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體元件，其中該保護(hù)二極管包含：
    8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體元件，其中該阱區(qū)濃度小于該接點(diǎn)區(qū)濃度。
    9.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體元件，其中該保護(hù)二極管包含：
    10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體元件，其中該第二摻雜區(qū)電連接該第一柵極結(jié)構(gòu)。
    11.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體元件，其中該第一摻雜區(qū)底表面切齊該第二摻雜區(qū)底表面。
    12.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體元件，還包含硅化金屬阻擋層設(shè)于該第一摻雜區(qū)上。
    13.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，還包含第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管設(shè)于該第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管以及該保護(hù)二極管之間。
    14.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體元件，其中該第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管以及該第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管包含不同導(dǎo)電型式。
    15.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體元件，其中該第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管包含：
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    【技術(shù)特征摘要】
    
                                
    1.一種半導(dǎo)體元件，其特征在于，包含：
    2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中該第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管包含：
    3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體元件，其中該保護(hù)二極管電連接該第一柵極結(jié)構(gòu)。
    4.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體元件，其中該接點(diǎn)區(qū)包含第一導(dǎo)電型式。
    5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體元件，其中該保護(hù)二極管包含：
    6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體元件，其中該接點(diǎn)區(qū)濃度小于該第一摻雜區(qū)濃度。
    7.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體元件，其中該保護(hù)二極管包含：
    8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體元件，其中該阱區(qū)濃度小于該接點(diǎn)區(qū)濃度。
    9.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體元件，其中該保...
                            
    
                            
    【專利技術(shù)屬性】
    
                                技術(shù)研發(fā)人員：周志飚，
    
        申請(qǐng)(專利權(quán))人：聯(lián)華電子股份有限公司，
    
        類型：發(fā)明
    
        國別省市：
    
                            
    
                            
                        
    
                    
    
                    
                    
                     
                
    
                
                
    
                    
    
                        網(wǎng)友詢問留言
                        已有0條評(píng)論
                    
    
                    
    
                        
    
                            
      
                                
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