【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)屬于ito膜，具體涉及超低方阻ito膜及其制備方法。
技術(shù)介紹
1、汽車變色調(diào)光膜是指材料的光學屬性在外加電場的作用下可以穩(wěn)定、可逆的發(fā)生顏色變化現(xiàn)象，這種變色調(diào)光功能在改善汽車駕駛體驗、提升司乘舒適度、調(diào)整車內(nèi)光亮度等方面起著重要的作用，能夠根據(jù)環(huán)境光線或用戶需求，自動或手動控制汽車玻璃，能夠使其光學和熱學性能發(fā)生動態(tài)改變，達到節(jié)能、舒適視覺體驗的目的。
2、ito膜即銦錫氧化物膜在電致變色調(diào)光膜中的應用主要體現(xiàn)在作為透明電極的使用上，ito膜作為電極，通過改變電壓或電流，可以控制電致變色調(diào)光膜的透明度或反射率，從而實現(xiàn)調(diào)光功能。為了提高調(diào)光反應速度、降低能耗，ito膜的方阻越低越有利于改變電壓或電流，而現(xiàn)有的ito膜方阻一般在12～20ω，再降低ito膜方阻則存在一定的制備難度，為此，如何制備更低方阻的ito膜是目前需要解決的問題。
3、公開于該
技術(shù)介紹
部分的信息僅僅旨在增加對本專利技術(shù)的總體背景的理解，而不應當被視為承認或以任何形式暗示該信息構(gòu)成已為本領(lǐng)域一般技術(shù)人員所公知的現(xiàn)有技術(shù)。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本專利技術(shù)的目的在于提供超低方阻ito膜及其制備方法，該超低方阻ito膜方阻低、翹曲低，使用性能優(yōu)良。
2、為了實現(xiàn)上述目的，本專利技術(shù)一具體實施例提供的技術(shù)方案如下：
3、一種超低方阻ito膜，包括基材層，所述基材層上依次層疊設有上涂布層、打底層、硅鋁混合層、第一ito層和第二ito層；
4、所述第一it
5、在本專利技術(shù)的一個或多個實施例中，所述第一ito層中銦錫摩爾比，以銦錫原子計為(80～99)：(1～20)。
6、在本專利技術(shù)的一個或多個實施例中，所述第二ito層中銦錫摩爾比，以銦錫原子計為(80～99)：(1～20)。
7、在本專利技術(shù)的一個或多個實施例中，所述硅鋁混合層中硅鋁摩爾比，以硅鋁原子計為(75～99)：(1～25)。
8、在本專利技術(shù)的一個或多個實施例中，所述硅鋁混合層厚度為1～30nm。
9、在本專利技術(shù)的一個或多個實施例中，所述打底層材質(zhì)選自sio2、ti、tio2、si、al2o3、mgf2、sio、hfo2、sno2和y2o3。
10、在本專利技術(shù)的一個或多個實施例中，所述打底層厚度為0.2～20nm。
11、在本專利技術(shù)的一個或多個實施例中，所述基材層為pet層、pi層、tac層、cop層或pc層。
12、本專利技術(shù)另一具體實施例提供的技術(shù)方案如下：
13、超低方阻ito膜的制備方法，包括以下步驟：
14、取基材層，在基材層的雙面分別涂布上涂布層和下涂布層，在下涂布層上設置高溫保護膜；
15、在上涂布層上依次鍍設打底層、硅鋁混合層、第一ito層和第二ito層；
16、在第二ito層上設置正保護膜。
17、在本專利技術(shù)的一個或多個實施例中，鍍設時，真空度為1×10-4pa以下，水汽值為9×10-5pa以下，反應氣體為氬氣、氮氣和氧氣混合氣體，氬氣、氮氣和氧氣流量比例為(60～80)：(20～35)：(5～10)。
18、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本專利技術(shù)通過二次鍍設ito層，并控制每次鍍設的ito層厚度，降低鍍層應力釋放受到影響的可能性，促進鍍層老化結(jié)晶充分，保證了載流子濃度和遷移率，從而達到低方阻、高導電的效果。本專利技術(shù)中的ito膜在應用于汽車變色調(diào)光膜中時，具有阻值低、能耗低、節(jié)能的優(yōu)點，同時也有效加快了調(diào)光反應速度。
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1.一種超低方阻ITO膜，其特征在于，包括基材層，所述基材層上依次層疊設有上涂布層、打底層、硅鋁混合層、第一ITO層和第二ITO層；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超低方阻ITO膜，其特征在于，所述第一ITO層中銦錫摩爾比，以銦錫原子計為(80～99)：(1～20)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超低方阻ITO膜，其特征在于，所述第二ITO層中銦錫摩爾比，以銦錫原子計為(80～99)：(1～20)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超低方阻ITO膜，其特征在于，所述硅鋁混合層中硅鋁摩爾比，以硅鋁原子計為(75～99)：(1～25)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超低方阻ITO膜，其特征在于，所述硅鋁混合層厚度為1～30nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超低方阻ITO膜，其特征在于，所述打底層材質(zhì)選自SiO2、Ti、TiO2、Si、Al2O3、MgF2、SiO、HfO2、SnO2和Y2O3。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超低方阻ITO膜，其特征在于，所述打底層厚度為0.2～20nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超低方阻ITO膜，
9.權(quán)利要求1-8任一項所述的超低方阻ITO膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的超低方阻ITO膜的制備方法，其特征在于，鍍設時，真空度為1×10-4pa以下，水汽值為9×10-5pa以下，反應氣體為氬氣、氮氣和氧氣混合氣體，氬氣、氮氣和氧氣流量比例為(60～80)：(20～35)：(5～10)。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種超低方阻ito膜，其特征在于，包括基材層，所述基材層上依次層疊設有上涂布層、打底層、硅鋁混合層、第一ito層和第二ito層；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超低方阻ito膜，其特征在于，所述第一ito層中銦錫摩爾比，以銦錫原子計為(80～99)：(1～20)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超低方阻ito膜，其特征在于，所述第二ito層中銦錫摩爾比，以銦錫原子計為(80～99)：(1～20)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超低方阻ito膜，其特征在于，所述硅鋁混合層中硅鋁摩爾比，以硅鋁原子計為(75～99)：(1～25)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超低方阻ito膜，其特征在于，所述硅鋁混合層厚度為1～30nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超低方阻ito...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：高毓康，陳超，王志堅，陳濤，趙飛，
申請(專利權(quán))人：浙江日久新材料科技有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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