【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本申請屬于顯示，尤其涉及一種發(fā)光基板、顯示裝置以及制備方法。
技術(shù)介紹
1、隨著人們對高畫質(zhì)顯示器的追求，傳統(tǒng)顯示器的側(cè)入式背光mdl(發(fā)光基板)無法滿足高h(yuǎn)dr(高動態(tài)光照渲染)對比度等高畫質(zhì)要求，能夠?qū)崿F(xiàn)高畫質(zhì)的direct-mdl(直顯發(fā)光基板)又存在厚度和重量較大等一些列問題。mini?led(微型發(fā)光二極管)發(fā)光基板可以很好的兼顧輕薄化和高畫質(zhì)高動態(tài)顯示的需求。
2、在相關(guān)mini?led直顯產(chǎn)品中，由于發(fā)光基板的差異性導(dǎo)致貼膜后發(fā)光基板的黑度不能保持一致，需要花費大量人力和時間進(jìn)行測試、分類管控，存在生產(chǎn)效率低、品控難度大、生產(chǎn)成本高等缺陷。若對基板進(jìn)行預(yù)處理，在基板上形成底黑層以使發(fā)光基板的黑度保持一致。但是在相關(guān)技術(shù)中，形成的底黑層或不能滿足黑度要求、或?qū)Πl(fā)光基板的光效影響較大，或形成底黑層的效率偏低，不能很好地滿足發(fā)光基板對墨色和光效的要求。
3、需要說明的是，在上述
技術(shù)介紹
部分公開的信息僅用于加強對本公開的背景的理解，因此可以包括不構(gòu)成對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本申請旨在至少能夠在一定程度上解決發(fā)光基板上的底黑層不能兼顧黑色和亮度的技術(shù)問題。為此，本申請?zhí)峁┝艘环N發(fā)光基板、顯示裝置以及制備方法。
2、本申請實施例提供的一種發(fā)光基板，所述發(fā)光基板包括：
3、基底；
4、多個像素單元，多個所述像素單元陣列排布地設(shè)置在所述基底上；
5、多個圍壩，多個所述圍壩分別
6、底黑層，所述底黑層設(shè)置在所述底黑區(qū)上。
7、在一些實施方式中，所述圍壩在所述基底上環(huán)繞所述像素單元形成封閉環(huán)；
8、所述底黑層與所述圍壩接觸設(shè)置。
9、在一些實施方式中，所述圍壩包括至少一個目標(biāo)圍壩，所述底黑層與所述目標(biāo)圍壩連續(xù)接觸并環(huán)繞設(shè)置。
10、在一些實施方式中，所述圍壩相對所述基底的高度比所述像素單元相對所述基底的高度小5μm～15μm。
11、在一些實施方式中，所述底黑層相對所述基底的高度在10μm～60μm范圍內(nèi)，所述底黑層相對所述基底的高度比所述圍壩相對所述基底的高度小5μm以上。
12、在一些實施方式中，每個所述像素區(qū)的面積小于等于3.125×104μm2。
13、在一些實施方式中，所述像素區(qū)的總面積與所述基底的總面積比小于等于0.02％。
14、在一些實施方式中，所述像素單元包括兩個子像素單元，所述發(fā)光基板包括間隔圍壩，所述間隔圍壩位于所述子像素單元之間。
15、在一些實施方式中，所述圍壩的顏色包括黑色、白色、灰色中的至少一種；
16、所述圍壩垂直于所述基底的截面形狀包括矩形和梯形中的至少一種。
17、在一些實施方式中，所述圍壩包括層疊設(shè)置的第一圍壩層和第二圍壩層，所述第一圍壩層位于所述第二圍壩層和基底之間；
18、其中，所述第一圍壩層的顏色為白色；所述第二圍壩層的顏色為黑色或灰色。
19、在一些實施方式中，所述圍壩的材料包括基質(zhì)和位于所述基質(zhì)中的染色劑。
20、在一些實施方式中，所述基質(zhì)包括硅膠、環(huán)氧樹脂、丙烯酸類樹脂、聚酰亞胺樹脂、聚乙烯類樹脂、氟樹脂、硅氧烷聚合物類樹脂、縮丁醛樹脂、苯乙烯-馬來酸共聚物、氯化聚丙烯、聚氨酯類樹脂、酚醛樹脂、聚酯樹脂、醇酸樹脂、苯乙烯樹脂、聚酰胺樹脂、橡膠類樹脂、環(huán)化橡膠、聚丁二烯、苯并胍胺樹脂、三聚氰胺樹脂、脲醛樹脂中的至少一種；所述染色劑包括炭黑、錳鐵黑、氧化鐵黑、銅鉻黑、鐵鉻黑、鐵黑、鈷黑、硫化銻、苯胺黑中的至少一種；或，所述染色劑包括二氧化鈦、氧化鋅、硫化鋅、復(fù)合鈦白、鋅鋇白、鉛白、銻白、堿性硫酸鉛中的至少一種。
21、在一些實施方式中，所述染色劑在所述圍壩的材料中的質(zhì)量含量為1.0％～5.0％。
22、在一些實施方式中，所述發(fā)光基板還包括：
23、黑膜，所述黑膜位于所述像素單元遠(yuǎn)離所述基底的一側(cè)；
24、所述黑膜完全覆蓋所述像素區(qū)，并且覆蓋至少部分所述底黑區(qū)。
25、本申請實施例還提供了一種顯示裝置，所述顯示裝置包括上述的發(fā)光基板，所述發(fā)光基板為顯示基板；
26、其中，所述像素單元包括多個子像素單元，所述子像素單元包括led發(fā)光芯片，所述led發(fā)光芯片為mini-led芯片和micro-led芯片中的至少一種。
27、本申請實施例提出了一種上述發(fā)光基板的制備方法，所述制備方法包括以下步驟：
28、提供基底；
29、在所述基底上形成陣列排布的像素單元；
30、在所述基底上形成圍壩；
31、在所述基底上形成底黑層。
32、在一些實施方式中，所述圍壩通過三維打印技術(shù)形成在所述基底上；所述底黑層通過三維打印技術(shù)或噴墨打印技術(shù)形成在所述底黑區(qū)上。
33、在一些實施方式中，所述圍壩的材料的粘度為200000cps～500000cps。
34、本申請實施例至少具有如下有益效果：
35、上述發(fā)光基板，在像素單元的周邊設(shè)置有圍壩，通過圍壩阻擋底黑層與像素單元接觸，避免底黑層與像素單元接觸以吸收像素單元發(fā)出的光，能夠提高發(fā)光基板的整體光效；同時，通過設(shè)置圍壩可以適當(dāng)提高底黑層相對于基底的高度，能夠確保發(fā)光基板的黑度保持一致，且具有相對較高的黑度，提高發(fā)光基板的顯示效果，滿足輕薄化和高畫質(zhì)高動態(tài)顯示的需求。
本文檔來自技高網(wǎng)...【技術(shù)保護(hù)點】
1.一種發(fā)光基板，其特征在于，所述發(fā)光基板包括：
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光基板，其特征在于，所述圍壩在所述基底上環(huán)繞所述像素單元形成封閉環(huán)；
3.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光基板，其特征在于，所述圍壩包括至少一個目標(biāo)圍壩，所述底黑層與所述目標(biāo)圍壩連續(xù)接觸并環(huán)繞設(shè)置。
4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光基板，其特征在于，所述圍壩相對所述基底的高度比所述像素單元相對所述基底的高度小5μm～15μm。
5.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光基板，其特征在于，所述底黑層相對所述基底的高度在10μm～60μm范圍內(nèi)，所述底黑層相對所述基底的高度比所述圍壩相對所述基底的高度小5μm以上。
6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光基板，其特征在于，每個所述像素區(qū)的面積小于等于3.125×104μm2。
7.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光基板，其特征在于，所述像素區(qū)的總面積與所述基底的總面積比小于等于0.02％。
8.如權(quán)利要求1至7任意一項所述的發(fā)光基板，其特征在于，所述像素單元包括兩個子像素單元，所述發(fā)光基板包括間隔圍壩，所述間隔圍壩位于所述子像素單元之
9.如權(quán)利要求1至7任意一項所述的發(fā)光基板，其特征在于，所述圍壩的顏色包括黑色、白色、灰色中的至少一種；
10.如權(quán)利要求1至7任意一項所述的發(fā)光基板，其特征在于，所述圍壩包括層疊設(shè)置的第一圍壩層和第二圍壩層，所述第一圍壩層位于所述第二圍壩層和基底之間；
11.如權(quán)利要求1至7任意一項所述的發(fā)光基板，其特征在于，所述圍壩的材料包括基質(zhì)和位于所述基質(zhì)中的染色劑。
12.如權(quán)利要求11所述的發(fā)光基板，其特征在于，所述基質(zhì)包括硅膠、環(huán)氧樹脂、丙烯酸類樹脂、聚酰亞胺樹脂、聚乙烯類樹脂、氟樹脂、硅氧烷聚合物類樹脂、縮丁醛樹脂、苯乙烯-馬來酸共聚物、氯化聚丙烯、聚氨酯類樹脂、酚醛樹脂、聚酯樹脂、醇酸樹脂、苯乙烯樹脂、聚酰胺樹脂、橡膠類樹脂、環(huán)化橡膠、聚丁二烯、苯并胍胺樹脂、三聚氰胺樹脂、脲醛樹脂中的至少一種；所述染色劑包括炭黑、錳鐵黑、氧化鐵黑、銅鉻黑、鐵鉻黑、鐵黑、鈷黑、硫化銻、苯胺黑中的至少一種，或，所述染色劑包括二氧化鈦、氧化鋅、硫化鋅、復(fù)合鈦白、鋅鋇白、鉛白、銻白、堿性硫酸鉛中的至少一種。
13.如權(quán)利要求11所述的發(fā)光基板，其特征在于，所述染色劑在所述圍壩的材料中的質(zhì)量含量為1.0％～5.0％。
14.如權(quán)利要求1至7任意一項所述的發(fā)光基板，其特征在于，所述發(fā)光基板還包括：
15.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括如權(quán)利要求1至14任意一項所述的發(fā)光基板，所述發(fā)光基板為顯示基板；
16.一種如權(quán)利要求1至14任意一項所述的發(fā)光基板的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括以下步驟：
17.如權(quán)利要求16所述的制備方法，其特征在于，所述圍壩通過三維打印技術(shù)形成在所述基底上；所述底黑層通過三維打印技術(shù)或噴墨打印技術(shù)形成在所述底黑區(qū)上。
18.如權(quán)利要求16所述的制備方法，其特征在于，所述圍壩的材料的粘度為200000cps～500000cps。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種發(fā)光基板，其特征在于，所述發(fā)光基板包括：
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光基板，其特征在于，所述圍壩在所述基底上環(huán)繞所述像素單元形成封閉環(huán)；
3.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光基板，其特征在于，所述圍壩包括至少一個目標(biāo)圍壩，所述底黑層與所述目標(biāo)圍壩連續(xù)接觸并環(huán)繞設(shè)置。
4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光基板，其特征在于，所述圍壩相對所述基底的高度比所述像素單元相對所述基底的高度小5μm～15μm。
5.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光基板，其特征在于，所述底黑層相對所述基底的高度在10μm～60μm范圍內(nèi)，所述底黑層相對所述基底的高度比所述圍壩相對所述基底的高度小5μm以上。
6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光基板，其特征在于，每個所述像素區(qū)的面積小于等于3.125×104μm2。
7.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光基板，其特征在于，所述像素區(qū)的總面積與所述基底的總面積比小于等于0.02％。
8.如權(quán)利要求1至7任意一項所述的發(fā)光基板，其特征在于，所述像素單元包括兩個子像素單元，所述發(fā)光基板包括間隔圍壩，所述間隔圍壩位于所述子像素單元之間。
9.如權(quán)利要求1至7任意一項所述的發(fā)光基板，其特征在于，所述圍壩的顏色包括黑色、白色、灰色中的至少一種；
10.如權(quán)利要求1至7任意一項所述的發(fā)光基板，其特征在于，所述圍壩包括層疊設(shè)置的第一圍壩層和第二圍壩層，所述第一圍壩層位于所述第二圍壩層和基底之間；
11.如權(quán)利要求1至7任意一項所述的發(fā)光基板，其特征在...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：孫文佳，王瑤瑤，馬若玉，楊澤洲，李姣，管君，金亮亮，趙樂，李月橋，陳振彰，劉小舟，錢學(xué)海，
申請(專利權(quán))人：京東方晶芯科技有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
還沒有人留言評論。發(fā)表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。