【技術實現步驟摘要】
本申請涉及半導體激光器領域，更為具體地涉及vcsel晶圓及其制造方法。
技術介紹
1、隨著當今生產技術發展，同傳統硅基芯片一樣，因成本、尺寸因素要求，在保證可靠性基礎上的高集成度光芯片也愈發受到市場青睞。例如，vcsel芯片也向集成化的方向發展。
2、在傳統的vsel芯片應用中，vcsel芯片常作為基礎的元件(例如，作為光源)與其他器件被組裝為模組被應用。當vcsel芯片被應用于tof攝像模組時，vcsel芯片與線路板、支架、光學衍射元件、金屬防護罩等器件組裝在一起，以形成tof攝像模組的激光投射模組。當vcsel芯片被應用于結構光系統時，vcsel芯片與線路板、支架、光學衍射元件、金屬防護罩等器件組裝在一起，以形成結構光系統的激光投射模組。
3、值得一提的是，在實際產業中，需要對vcsel裸片進行封裝后再將其與其他器件進行組裝。vcsel裸片指未經封裝的vcsel芯片，通常由芯片制造廠提供vcsel裸片，由封裝廠來完成vcsel的封裝工作和封裝產品的組裝工作。也就是，從vcsel裸片到vcsel封裝產品經過產業鏈的兩個節點。并且，在實際產業中，封裝廠可能采購由不同廠商提供的vcsel裸片，同時，在組裝過程中還有可能發生組裝精度不一等問題，導致最終成型的vcsel封裝產品的一致性難以確保。
4、故低成本vcsel芯片，以及高均一性vcsel模塊方案是推動vcsel全面導入市場急需解決的難題。
技術實現思路
1、本申請的一個優勢在于提供了一種vcs
2、本申請的另一個優勢在于提供了一種vcsel晶圓及其制造方法，其中，所述vcsel晶圓中不僅形成有vcsel發光點還形成有光電二極管，每一個vcsel發光點或多個vcsel發光點可形成vcsel芯片，每一個光電二極管或多個光電二極管可形成光電二極管芯片，這樣，vcsel芯片和光電二極管芯片都可以在vcsel芯片制造廠完成。
3、本申請的又一個優勢在于提供了一種vcsel晶圓及其制造方法，其中，所述vcsel晶圓可在晶圓級別上實現vcsel芯片和光電二極管的連接，無需對vcsel芯片和/或光電二極管進行封裝后通過其他連接結構連接可以提高vcsel芯片和光電二極管的連接穩定性，還可以在一定程度上減小最終的組裝產品的體積。
4、為了實現上述至少一優勢或其他優勢和目的，根據本申請的一個方面，提供了一種vcsel晶圓，其包括：
5、至少一vcsel發光點和至少一光電二極管，所述vcsel發光點和所述光電二極管共基板延伸。
6、在根據本申請的vcsel晶圓中，每一vcsel發光點包括一vcsel主體、電連接于所述vcsel主體的一vcsel正電極和一vcsel負電極，每一所述vcsel主體包括一vcsel基板、一n-dbr層、一有源區、具有一限制孔的一限制層和一p-dbr層，每一所述光電二極管包括一二極管主體、電連接于所述二極管主體的一二極管正電極和一二極管負電極，每一所述二極管主體包括二極管基板、一n型半導體層、一內夾層、一p型半導體層和一保護層，所述vcsel基板和所述二極管基板為共用基板。
7、在根據本申請的vcsel晶圓中，所述vcsel基板、所述n-dbr層、所述有源區和所述p-dbr層自下而上依次排布，所述限制層位于所述有源區的上側和/或有源區的下側，所述二極管基板、所述n型半導體層、所述內夾層、所述p型半導體層和所述保護層自下而上依次排布。
8、在根據本申請的vcsel晶圓中，所述vcsel負電極和所述二極管負電極一體地連接，形成共用負電極。
9、在根據本申請的vcsel晶圓中，所述共用負電極位于所述共用基板的下表面。
10、在根據本申請的vcsel晶圓中，所述vcsel基板、所述p-dbr層、所述有源區和所述n-dbr層自下而上依次排布，所述限制層位于所述有源區的上側和/或有源區的下側，所述二極管基板、所述p型半導體層、所述內夾層、所述n型半導體層和所述保護層自下而上依次排布。
11、在根據本申請的vcsel晶圓中，所述vcsel正電極和所述二極管正電極一體地連接，形成共用正電極。
12、在根據本申請的vcsel晶圓中，所述共用正電級位于所述共用基板的下表面。
13、在根據本申請的vcsel晶圓中，所述vcsel晶圓包括至少一vcsel芯片，其中，所述vcsel芯片僅包括所述vcsel發光點，不包括所述光電二極管。
14、在根據本申請的vcsel晶圓中，所述vcsel晶圓包括至少一vcsel芯片，每一所述vcsel芯片包括至少一vcsel發光點和至少一光電二極管。
15、根據本申請的另一個方面，提供了一種vcsel晶圓的制造方法，其包括：
16、通過外延生長工藝形成至少一vcsel主體，其中，所述vcsel主體包括：共用基板、n-dbr層、有源區、具有限制孔的限制層和p-dbr層；
17、在所述共用基板上生長n型半導體層、內夾層、p型半導體層和保護層，以形成二極管主體；
18、在所述vcsel主體上形成vcsel正電極，并在所述二極管主體上形成二極管正電極；以及
19、在所述基板的下表面形成vcsel負電極和二極管負電極。
20、在根據本申請所述的vcsel晶圓的制造方法中，所述vcsel負電極和所述二極管負電極一體成型，形成共用負電極。
21、通過對隨后的描述和附圖的理解，本申請進一步的目的和優勢將得以充分體現。
22、本申請的這些和其它目的、特點和優勢，通過下述的詳細說明，附圖和權利要求得以充分體現。
本文檔來自技高網...【技術保護點】
1.一種VCSEL晶圓，其特征在于，包括：至少一VCSEL發光點和至少一光電二極管，所述VCSEL發光點和所述光電二極管共基板延伸。
2.根據權利要求1所述的VCSEL晶圓，其中，每一VCSEL發光點包括一VCSEL主體、電連接于所述VCSEL主體的一VCSEL正電極和一VCSEL負電極，每一所述VCSEL主體包括一VCSEL基板、一N-DBR層、一有源區、具有一限制孔的一限制層和一P-DBR層，每一所述光電二極管包括一二極管主體、電連接于所述二極管主體的一二極管正電極和一二極管負電極，每一所述二極管主體包括二極管基板、一N型半導體層、一內夾層、一P型半導體層和一保護層，所述VCSEL基板和所述二極管基板為共用基板。
3.根據權利要求2所述的VCSEL晶圓，其中，所述VCSEL基板、所述N-DBR層、所述有源區和所述P-DBR層自下而上依次排布，所述限制層位于所述有源區的上側和/或有源區的下側，所述二極管基板、所述N型半導體層、所述內夾層、所述P型半導體層和所述保護層自下而上依次排布。
4.根據權利要求3所述的VCSEL晶圓，其中，所述VCSE
5.根據權利要求3所述的VCSEL晶圓，其中，所述共用負電極位于所述共用基板的下表面。
6.根據權利要求2所述的VCSEL晶圓，其中，所述VCSEL基板、所述P-DBR層、所述有源區和所述N-DBR層自下而上依次排布，所述限制層位于所述有源區的上側和/或有源區的下側，所述二極管基板、所述P型半導體層、所述內夾層、所述N型半導體層和所述保護層自下而上依次排布。
7.根據權利要求6所述的VCSEL晶圓，其中，所述VCSEL正電極和所述二極管正電極一體地連接，形成共用正電極。
8.根據權利要求7所述的VCSEL晶圓，其中，所述共用正電級位于所述共用基板的下表面。
9.根據權利要求1所述的VCSEL晶圓，其中，所述VCSEL晶圓包括至少一VCSEL芯片，其中，所述VCSEL芯片僅包括所述VCSEL發光點，不包括所述光電二極管。
10.根據權利要求1所述的VCSEL晶圓，其中，所述VCSEL晶圓包括至少一VCSEL芯片，每一所述VCSEL芯片包括至少一VCSEL發光點和至少一光電二極管。
11.一種VCSEL晶圓的制造方法，其特征在于，包括：
12.根據權利要求11所述的VCELS晶圓的制造方法，其中，所述VCSEL負電極和所述二極管負電極一體成型，形成共用負電極。
...【技術特征摘要】
1.一種vcsel晶圓，其特征在于，包括：至少一vcsel發光點和至少一光電二極管，所述vcsel發光點和所述光電二極管共基板延伸。
2.根據權利要求1所述的vcsel晶圓，其中，每一vcsel發光點包括一vcsel主體、電連接于所述vcsel主體的一vcsel正電極和一vcsel負電極，每一所述vcsel主體包括一vcsel基板、一n-dbr層、一有源區、具有一限制孔的一限制層和一p-dbr層，每一所述光電二極管包括一二極管主體、電連接于所述二極管主體的一二極管正電極和一二極管負電極，每一所述二極管主體包括二極管基板、一n型半導體層、一內夾層、一p型半導體層和一保護層，所述vcsel基板和所述二極管基板為共用基板。
3.根據權利要求2所述的vcsel晶圓，其中，所述vcsel基板、所述n-dbr層、所述有源區和所述p-dbr層自下而上依次排布，所述限制層位于所述有源區的上側和/或有源區的下側，所述二極管基板、所述n型半導體層、所述內夾層、所述p型半導體層和所述保護層自下而上依次排布。
4.根據權利要求3所述的vcsel晶圓，其中，所述vcsel負電極和所述二極管負電極一體地連接，形成共用負電極。
5.根據權利要求3所述的vcsel晶圓，其中，所...
【專利技術屬性】
技術研發人員：林珊珊，劉赤宇，李念宜，陳睿，
申請(專利權)人：浙江睿熙科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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